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कन्वर्टर के लिए मल्टी फंक्शन लो वोल्टेज MOSFET उच्च दक्षता

  • Multi Function Low Voltage MOSFET High Efficiency For Converter
उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
एसजीटी प्रक्रिया के लाभ निर्णायक एफओएम अनुकूलन, अधिक एप्लिकेशन को कवर करता है। ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
ट्रेंच प्रक्रिया के लाभ छोटे आरएसपी, श्रृंखला और समानांतर दोनों विन्यासों को स्वतंत्र रूप से संयोजित और उपयोग किया जा सकता ह एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।
उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET संरचना प्रक्रिया ट्रेंच/एसजीटी
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीय बिजली की खपत कम बिजली हानि
प्रमुखता देना

मल्टी फंक्शन लो वोल्टेज एमओएसएफईटी

,

निम्न वोल्टेज MOSFET उच्च दक्षता

,

कनवर्टर कम Vth मोस्फेट
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
उत्पाद विवरण

फूटप्रूफ एफओएम अनुकूलन और विश्वसनीय एसजीटी प्रक्रिया लाभों के साथ कम वोल्टेज एमओएसएफईटी

उत्पाद का वर्णन:

कम वोल्टेज MOSFET एक प्रकार का कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज MOSFET है जिसे कम VGS और कम गेट वोल्टेज के साथ डिज़ाइन किया गया है। इसमें एक उच्च EAS क्षमता और छोटा RSP भी है,जो इसे दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास के लिए उपयुक्त बनाते हैंइसके अलावा इसमें कम बिजली हानि, उच्च दक्षता और विश्वसनीय प्रदर्शन है। इसे वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, उच्च आवृत्ति स्विच,सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन और अन्य इलेक्ट्रॉनिक उपकरण.

 

तकनीकी मापदंडः

पैरामीटर विवरण
उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET
निम्न सीमा वोल्टेज निम्न सीमा वोल्टेज MOSFET
कम गेट वोल्टेज कम गेट वोल्टेज MOSFET
प्रतिरोध कम आरडीएस (ऑन)
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीयता
बिजली की खपत कम शक्ति हानि
संरचना प्रक्रिया खाई/एसजीटी
खाई की प्रक्रिया के फायदे छोटे आरएसपी, दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास को स्वतंत्र रूप से जोड़ा और उपयोग किया जा सकता है।
खाई प्रक्रिया आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।
एसजीटी प्रक्रिया लाभ अधिक अनुप्रयोगों को कवर करने के लिए सफलतापूर्वक एफओएम अनुकूलन।
एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5 जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
 

अनुप्रयोग:

चीन के गुआंग्डोंग के एक अग्रणी निम्न वोल्टेज एमओएसएफईटी प्रदाता, रेसुनोस, अपने नवीनतम एसजीटी निम्न वोल्टेज एमओएसएफईटी और निम्न वोल्टेज ट्रांजिस्टर पेश करते हैं, जिसमें बाजार में सबसे कम वोल्टेज फीट है।ग्राहक उत्पाद के आधार पर कीमत की पुष्टि कर सकते हैं. उत्पाद धूल, जलरोधक, और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग के साथ आता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है। डिलीवरी का समय 2-30 दिन है (कुल मात्रा के आधार पर),भुगतान की शर्तें 100% टी/टी अग्रिम (एक्सडब्ल्यू) हैं, और मासिक आपूर्ति क्षमता 5KK है। इसमें कम Rds ((ON) प्रतिरोध और सफलता FOM अनुकूलन है, जो अधिक अनुप्रयोगों को कवर करता है, जैसे कि मोटर ड्राइवर, 5G बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण,उच्च आवृत्ति स्विचइसके अतिरिक्त, खाई प्रक्रिया छोटे आरएसपी प्रदान करती है और दोनों श्रृंखला और समानांतर कॉन्फ़िगरेशन को स्वतंत्र रूप से संयोजित और वायरलेस चार्जिंग के लिए उपयोग किया जा सकता है,तेजी से चार्ज करना, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।

 

सहायता एवं सेवाएं:

हम कम वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए तकनीकी सहायता और सेवाएं प्रदान करते हैं। कुशल इंजीनियरों और तकनीशियनों की हमारी टीम सेवाओं की एक श्रृंखला प्रदान करती है, जिसमें शामिल हैंः

  • डिजाइन और प्रोटोटाइप
  • परीक्षण और समस्या निवारण
  • असेंबली और एकीकरण
  • रखरखाव और मरम्मत सेवाएं

हम आपको हमारे निम्न वोल्टेज मोस्फेट उत्पादों का अधिकतम लाभ उठाने में मदद करने के लिए संसाधनों और उपकरणों की एक व्यापक श्रृंखला भी प्रदान करते हैं, जिनमें शामिल हैंः

  • विस्तृत उत्पाद विनिर्देश
  • तकनीकी गाइड और ट्यूटोरियल
  • फर्मवेयर और सॉफ्टवेयर अद्यतन
  • अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न और समस्या निवारण युक्तियाँ

हमारे कम वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवाओं के बारे में अधिक जानकारी के लिए, कृपयाहमसे संपर्क करें.

 

पैकिंग और शिपिंगः

कम वोल्टेज MOSFET पैकेजिंग और शिपिंगः

निम्न वोल्टेज MOSFET को एक एंटी-स्टेटिक बैग में पैक किया जाना चाहिए।उन्हें एक गत्ते का डिब्बा में रखा जाना चाहिए जिसमें एक गद्देदार सामग्री जैसे कि हवा से भरे बुलबुले वाले लपेटें हों ताकि यह सुनिश्चित किया जा सके कि शिपिंग के दौरान उत्पादों को नुकसान न हो।पैकेज को टेप से सील करना चाहिए और उत्पाद के नाम और पते के साथ लेबल करना चाहिए।

निम्न वोल्टेज MOSFET को एक प्रतिष्ठित वाहक के साथ शिप किया जाना चाहिए और ट्रैक किया जाना चाहिए।शिपिंग कंपनी को शिपमेंट किए जाने वाले उत्पादों के मूल्य के बारे में सूचित किया जाना चाहिए और शिपमेंट के पूर्ण मूल्य के लिए उपयुक्त बीमा कवरेज लिया जाना चाहिए।.

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

प्रश्न 1: इस निम्न वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम क्या है?
A1: इस निम्न वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम REASUNOS है।
प्रश्न 2: यह निम्न वोल्टेज मोस्फेट कहाँ से आता है?
A2: यह कम वोल्टेज MOSFET गुआंग्डोंग, चीन से आता है।
Q3: इस निम्न वोल्टेज MOSFET की कीमत क्या है?
A3: इस निम्न वोल्टेज MOSFET की कीमत उत्पाद के आधार पर पुष्टि मूल्य है।
प्रश्न 4: यह निम्न वोल्टेज मोस्फेट किस प्रकार की पैकेजिंग में आता है?
A4: यह लो वोल्टेज MOSFET धूल, जल, और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग में आता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।
Q5: इस निम्न वोल्टेज MOSFET को वितरित करने में कितना समय लगता है?
A5: इस निम्न वोल्टेज MOSFET को वितरित करने में 2-30 दिन लगते हैं (कुल मात्रा के आधार पर) ।
टैग:

एन चैनल मोस्फेट निम्न सीमा वोल्टेज

स्थिर निम्न शक्ति पी चैनल मोस्फेट

बेस स्टेशन कम वोल्टेज MOSFET

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