Преобразователь низкого напряжения MOSFET многоцелевой для беспроводной зарядки
Место происхождения | Гуандун, CN |
---|---|
Фирменное наименование | REASUNOS |
Цена | Confirm price based on product |
Упаковывая детали | Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка |
Время доставки | 2-30 дней (зависит от общего количества) |
Условия оплаты | 100% T/T заранее ((EXW) |
Поставка способности | 5кк/месяц |

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xСтруктурный процесс | Траншея/SGT | Применение SGT отростчатое | Водитель мотора, 5G базовая станция, накопление энергии, высокочастотный переключатель, одновременно |
---|---|---|---|
Траншейный процесс Применение | Беспроводная зарядка, быстрая зарядка, драйвер двигателя, преобразователь постоянного тока в постоян | Преимущества SGT отростчатые | Оптимизирование прорыва FOM, покрывая больше применения. |
Наименование продукта | МОП-транзистор низкого напряжения | Возможности EAS | Высокая способность EAS |
Преимущества траншейного процесса | Меньшие RSP, как последовательные, так и параллельные конфигурации, можно свободно комбинировать и и | Потребление энергии | Потеря низкой мощности |
Выделить | Преобразователь низкого напряжения MOSFET,Низковольтный многоцелевой MOSFET,Беспроводная зарядка низкого напряжения MOSFET |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RS2301E | P | -2.3 | -20 | 70 | 110 | SOT-23 | 3000 | |
2 | RS3415E | P | -4 | -20 | 33 | 50 | SOT-23 | 3000 | |
3 | RS2302E | N | 2.1 | 20 | 32 | 45 | SOT-23 | 3000 | |
4 | RS2300E | N | 4.5 | 20 | 21 | 32 | SOT-23 | 3000 | |
5 | RS2N7002E | N | 0.34 | 60 | 1300 | 5000 | SOT-23 | 3000 | |
6 | RS20N90D | N | 90 | 20 | 3.7 | 5 | TO-252 | 2500 | |
7 | RS3401E | P | -4.2 | -30 | 50 | 65 | SOT-23 | 3000 | |
8 | RS4435 | P | -10 | -30 | 15 | 20 | SOP-8 | 4000 | |
9 | RS3400E | N | 5.8 | 30 | 27 | 35 | SOT-23 | 3000 | |
10 | RS30N30K | N | 30 | 30 | 5.8 | 9 | DFN3*3 | 5000 | |
11 | RS30N50K | N | 50 | 30 | 3.8 | 5.5 | DFN3*3 | 5000 | |
12 | RS30N60D | N | 60 | 30 | 6.2 | 7.5 | TO-252 | 2500 | |
13 | RS30N86D | N | 86 | 30 | 4.7 | 5.5 | TO-252 | 2500 | |
14 | RS30N120G | N | 120 | 30 | 3 | 4 | DFN5*6 | 5000 | |
15 | RS30N150D | N | 150 | 30 | 3 | 4 | TO-252 | 2500 | |
16 | RS30N150T | N | 150 | 30 | 3 | 4 | TO-220 | 1000 | |
17 | RS40N100G | N | 100 | 40 | 2.8 | 3.5 | DFN5*6 | 5000 | |
18 | RS40N120D | N | 120 | 40 | 2.8 | 3.5 | TO-252 | 2500 | |
19 | RS40N120T | N | 120 | 40 | 2.8 | 3.5 | TO-220 | 1000 | |
20 | RS150N105T | N | 105 | 150 | 9.8 | 11 | TO-220 | 1000 | |
21 | RS76N20T | N | 76 | 200 | 17 | 20 | TO-220 | 1000 | |
22 | RS2310E | N | 3 | 60 | 70 | 105 | SOT-23 | 3000 | |
23 | RS60N30D | N | 30 | 60 | 22 | 35 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS60N50D | N | 50 | 60 | 14 | 22 | TO-252 | 2500 | |
25 | RS60N50T | N | 50 | 60 | 14 | 22 | TO-220 | 1000 | |
26 | RS80N25W | N | 80 | 250 | 30 | 35 | TO-247 | 600 | |
27 | RS630D | N | 9 | 200 | 250 | 300 | TO-252 | 2500 | |
28 | RS630T | N | 9 | 200 | 250 | 300 | TO-220 | 1000 | |
29 | RS640D | N | 18 | 200 | 120 | 150 | TO-252 | 2500 | |
30 | RS640T | N | 18 | 200 | 120 | 150 | TO-220 | 1000 | |
31 | RS40N130G | N | 130 | 40 | 1.45 | 1.75 | DFN5*6 | 5000 | |
32 | RS40N180T | N | 180 | 40 | 1.6 | 2 | TO-220 | 1000 | |
33 | RS60N130G | N | 130 | 60 | 2.1 | 2.5 | DFN5*6 | 5000 | |
34 | RS60N200T | N | 200 | 60 | 2.5 | 3.2 | TO-220 | 1000 | |
35 | RS85N140T | N | 140 | 85 | 4.5 | 5.3 | TO-220 | 1000 | |
36 | RS85N140S | N | 140 | 85 | 4.5 | 5.3 | TO-263 | 800 | |
37 | RS85N150T | N | 150 | 85 | 2.8 | 3.6 | TO-220 | 1000 | |
38 | RS85N150S | N | 150 | 85 | 2.7 | 3.4 | TO-263 | 800 | |
39 | RS100N78HT | N | 78 | 100 | 8.2 | 9.5 | TO-220 | 1000 | |
40 | RS100N78T | N | 78 | 100 | 8.2 | 9.5 | TO-220 | 1000 | |
41 | RS100N100T | N | 100 | 100 | 7 | 8.5 | TO-220 | 1000 | |
42 | RS100N135T | N | 135 | 100 | 3.7 | 4.2 | TO-220 | 1000 | |
43 | RS100N135HT | N | 135 | 100 | 3.7 | 4.2 | TO-220 | 1000 | |
44 | RS100N135HS | N | 135 | 100 | 4.2 | 5 | TO-263 | 800 | |
45 | RS100N180T | N | 180 | 100 | 3 | 3.8 | TO-220 | 1000 | |
46 | RS100N180S | N | 180 | 100 | 2.9 | 3.6 | TO-263 | 800 | |
47 | RS100N190T | N | 190 | 100 | 2.3 | 3 | TO-220 | 1000 | |
48 | RS100N190S | N | 190 | 100 | 2.2 | 2.8 | TO-263 | 800 | |
49 | RS110N200T | N | 200 | 110 | 3.4 | 4 | TO-220 | 1000 | |
50 | RS110N200S | N | 200 | 110 | 3.4 | 4 | TO-263 | 800 | |
51 | RS100N210S | N | 200 | 100 | 1.9 | 2.4 | TO-263 | 800 | |
52 | RS100N210T | N | 210 | 100 | 1.9 | 2.4 | TO-220 | 1000 | |
53 | RS100N300I | N | 300 | 100 | 1.7 | 2.2 | TOLL | 2000 | |
54 | RS100N60G | N | 60 | 100 | 7.5 | 8.5 | DFN5*6 | 5000 | |
55 | RS100N60HG | N | 60 | 100 | 7.5 | 8.5 | DFN5*6 | 5000 | |
56 | RS100N85G | N | 85 | 100 | 6 | 7.5 | DFN5*6 | 5000 | |
57 | RS100N85HG | N | 85 | 100 | 6 | 7.5 | DFN5*6 | 5000 | |
58 | RS100N125G | N | 125 | 100 | 4 | 4.6 | DFN5*6 | 5000 | |
59 | RS100N125HG | N | 125 | 100 | 4 | 4.6 | DFN5*6 | 5000 | |
60 | RS100N150HG | N | 150 | 100 | 3.5 | 4.2 | DFN5*6 | 5000 |
Низкое напряжение входа MOSFET с SGT Процесс преимущества для надежного процесса структуры
Описание продукта:
Низковольтный MOSFET - это низковольтный транзистор с низким пороговым напряжением и высокой способностью EAS. Он предназначен для таких приложений, как беспроводная зарядка, быстрая зарядка, драйвер двигателя,Конвертер постоянного тока/ постоянного тока, высокочастотный коммутатор и синхронная ректификация. Он имеет преимущества меньшего RSP и как серийные, так и параллельные конфигурации могут свободно комбинироваться и использоваться.Он также имеет прорывную оптимизацию FOM, что делает его подходящим для более широкого применения.
Низковольтный MOSFET предлагает отличную производительность с его транзистором низкого напряжения, низким пороговым напряжением mosfet, низким напряжением mosfet и высокой способностью EAS.быстрая зарядкаС его прорывной оптимизацией FOM он может обеспечить лучшую производительность и охватить больше применения.Более того,, он также имеет преимущества меньшего RSP и как серийные, так и параллельные конфигурации могут свободно комбинироваться и использоваться.
Низкое напряжение MOSFET является отличным выбором для тех, кто нуждается в высокой EAS-способности и низком пороговом напряжении MOSFET.Он имеет преимущества меньшего RSP и как серийные и параллельные конфигурации могут быть свободно объединены и использованыКроме того, он также имеет прорывную оптимизацию FOM, что делает его подходящим для большего количества приложений.высокочастотный переключатель и синхронная ректификация.
Технические параметры:
Параметр | Описание |
---|---|
Способность EAS | Высокая способность EAS |
Процесс траншеи Применение | Беспроводная зарядка, быстрая зарядка, драйвер двигателя, преобразователь постоянного тока/ постоянного тока, переключатель высокой частоты, синхронная коррекция |
Структурный процесс | Тренч/СГТ |
Преимущества траншейного процесса | Меньшие RSP, как серийные, так и параллельные конфигурации могут быть свободно объединены и использованы |
Сопротивление | Низкий Rds ((ON) |
Процесс SGT Преимущества | Прорыв в оптимизации FOM, охватывающий больше приложений |
Процесс SGT Применение | Драйвер двигателя, базовая станция 5G, хранилище энергии, высокочастотный переключатель, синхронная коррекция |
Эффективность | Высокая эффективность и надежность |
Наименование продукта | Низковольтный MOSFET |
Потребление энергии | Низкая потеря мощности |
Применение:
REASUNOS с гордостью предлагает свой MOSFET-транзистор низкого напряжения, который использует процесс Trench / SGT для обеспечения превосходных характеристик в широком спектре приложений.Этот низковольтный FET предназначен для обеспечения низкого сопротивления Rds ((ON) и может использоваться для беспроводной зарядки, быстрая зарядка, драйвер двигателя, преобразователь постоянного тока, высокочастотный переключатель и синхронная ректификация.который позволяет свободно комбинировать и использовать меньшие RSP и серийные и параллельные конфигурации.
Низковольтный FET REASUNOS доступен по конкурентоспособным ценам. Мы предлагаем пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку, помещенную в картонную коробку в картонные коробки.Время доставки 2-30 дней, в зависимости от общего количества, и мы принимаем 100% T / T в авансе ((EXW) платежи.
Поддержка и услуги:
Мы предлагаем полную техническую поддержку и сервис для наших низковольтных MOSFET продуктов.Наша команда опытных инженеров доступны для предоставления решений любых технических проблем, которые вы можете иметь с нашими продуктамиМы также предлагаем всестороннее обучение и образовательные услуги, чтобы помочь вам понять, как использовать наши продукты наиболее эффективно и эффективно.
Если у вас есть какие-либо вопросы или опасения, пожалуйста, не стесняйтесь связаться с нами. Наша команда обслуживания клиентов всегда готова оказать помощь и ответить на любые вопросы.
Упаковка и перевозка:
Низковольтные MOSFET обычно упаковываются и отправляются следующим образом:
- Каждое устройство упаковано в вакуумный пластиковый пакет.
- Затем мешки помещают в утвержденный ESD мешок с статической защитой.
- Затем статический щитовидной мешок помещается в транспортный контейнер.
- Затем контейнер запечатывается и отправляется клиенту.
Часто задаваемые вопросы
A: Низковольтный MOSFET - это тип транзистора с полевым эффектом металлического оксида-полупроводника (MOSFET), предназначенный для использования в низковольтных приложениях.
A: Бренд низковольтного MOSFET - REASUNOS.
О: Место происхождения низковольтного MOSFET - Гуандун, Китай.
Ответ: Подробности упаковки Низковольтный МОСФЕТ представляет собой пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку, помещенную в картонную коробку в картонные коробки.
Ответ: Время поставки MOSFET низкого напряжения составляет 2-30 дней, в зависимости от общего количества.
О: Условия оплаты MOSFET низкого напряжения составляют 100% T/T заранее (EXW).
A: Способность поставки низковольтного MOSFET составляет 5KK / месяц.