Anwendung von Ultra-HV-MOSFET-Smartmetern mit geringer Leckage 1 μ A für die industrielle Automatisierung

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Technologie MOSFET Leckage Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen
Nennspannung Hochspannungs-/Ultrahochspannung Hochspg Mosfet-Anwendung LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw.
Widerstand Niedriger Auf-Widerstand Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc.
Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen
Hervorheben

MOSFET-Anwendung für intelligente Zähler

,

MOSFET mit geringer Leckage

,

MOSFET für industrielle Automatisierung

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

Ein Hochspannungs-MOSFET ist eine Art N-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET), der speziell für sehr hohe Spannungen entwickelt wurde.Eingebettet mit der neuesten FRD HV MOSFET-Technologie, bietet diese Art von MOSFET überlegene Eigenschaften bei hoher Temperatur und geringer Leckage.Es kann extrem hohen Spannungen standhalten und hat eine geringe Leckagerate, die weniger als 1 μ A erreichen kann.

Dieses Hochspannungs-MOSFET eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen wie LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltnetzteile und Wechselrichter.Seine hervorragenden Eigenschaften bei hohen Temperaturen und geringer Leckage machen es zur idealen Wahl für HochleistungsanwendungenEs ist auch sehr langlebig und zuverlässig, was den Kunden die Gewissheit gibt, dass es langfristig Leistung bietet.

 

Technische Parameter:

Artikel Spezifikation
Technologie MOSFET
Anwendung von HV Mosfet LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw.
Wärmeabbau Große Wärmeverteilung
Widerstand Niedriger Einsatzwiderstand
Nennspannung Hochspannung/Ultrahochspannung
Vorteile Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen.
Anwendung von Ultra-HV-MOSFET Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw.
Typ N
Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw.
 

Anwendungen:

Das Hochspannungs-MOSFET von REASUNOS ist eine der besten Optionen für Anwendungen, die eine hohe Spannungsleistung erfordern.mit einer Leistung von mehr als 100 WEs verfügt über ein eingebettetes FRD HV MOSFET, das sich ideal für Motorenreihen-, Wechselrichter- und Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen eignet.Es hat eine Spannungsbewertung von hoher Spannung/ultrahoher Spannung und eine geringe Leckage, die weniger als 1μA erreichen kannEs verfügt auch über eine breite Palette von Verpackungsmöglichkeiten wie staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackungen, die in einer Kartonbox in Kartons platziert werden.Lieferzeit beträgt 2-30 Tage je nach Gesamtmenge und Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW)- Die Versorgungsfähigkeit beträgt 5K/Monat.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Service von Hochspannungs-MOSFET

Wir bieten technische Unterstützung und Service für unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte an. Unsere sachkundigen Ingenieure stehen zur Verfügung, um Ihre Fragen zu beantworten und bei der Entwicklung und Fehlerbehebung zu helfen.Unser Team kann Ihnen auch persönliche Unterstützung bieten, um eine erfolgreiche Umsetzung zu gewährleisten.

Wir bieten eine Vielzahl von Dienstleistungen an, darunter Produktbewertung, Test und Simulation. Darüber hinaus bieten wir anwendungsspezifische Unterstützung, um Ihnen bei der Entwicklung der besten Lösung für Ihre Bedürfnisse zu helfen.Unser Team kann Ihnen helfen, die Eigenschaften und Vorteile unserer Produkte zu verstehen, sowie alle möglichen Risiken oder Einschränkungen.

Wenn Sie Fragen haben oder Ihre Bewerbung besprechen möchten, kontaktieren Sie uns. Unser Expertenteam ist hier, um Ihnen bei der Suche nach der richtigen Lösung für Ihr Hochspannungs-MOSFET-Projekt zu helfen.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFET

Hochspannungs-MOSFETs werden in geeigneten statisch-dissipativen Verpackungsmaterialien geliefert, um die sichere Lieferung der Produkte zu gewährleisten.

Wir bieten eine Vielzahl von Verpackungsmöglichkeiten an, um die Bedürfnisse der Kunden zu erfüllen. Dazu gehören Rohr-, Band- und Rollenverpackungen. Wir bieten auch Massenverpackungen für große Aufträge an.

Bei der Versendung werden alle Produkte gründlich auf Qualität und Sicherheit geprüft, bevor sie in geeigneten Verpackungsmaterialien versandt werden.Wir versenden unsere Produkte mit seriösen und zuverlässigen Versanddiensten.

 

Häufige Fragen:

F1: Wie lautet der Markenname des Hochspannungs-MOSFET?

A1:Der Markenname ist REASUNOS.

F2: Wo wird das Produkt hergestellt?

A2:Das Produkt wird in Guangdong, China, hergestellt.

F3: Wie viel kostet das Hochspannungs-MOSFET?

A3:Der Preis der Ware basiert auf dem Erzeugnis selbst und wird bei Anfrage bestätigt.

F4: Wie ist das Produkt verpackt?

A4:Das Produkt wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt, die in Kartons in einer Kartonschachtel platziert werden.

F5: Wie lange dauert die Lieferzeit?

A5:Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge der Bestellung.