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산업 자동화를 위한 초고파 MOSFET 스마트 미터 애플리케이션 낮은 누출 1μA

  • Ultra-HV MOSFET Smart Meter Application Low Leakage 1 µ A for Industrial Automation
원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
지불 조건 사전에 100% T/T(EXW)
공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
기술 MOSFET 누출 낮은 누설은 1 µ A 미만에 도달할 수 있습니다.
전압 정격 고전압/초고압 HV MOSFET 애플리케이션 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 인버터 등
저항 낮은 온 저항 임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지/풀 브리지 회로 애플리케이션 등
제품 이름 고전압 MOSFET Ultra-HV MOSFET 애플리케이션 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 전력 시스템 등
강조하다

스마트 미터 애플리케이션 MOSFET

,

낮은 누출 MOSFET

,

산업 자동화 MOSFET
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

제품 설명:

고전압 MOSFET는 매우 높은 전압을 처리하도록 특별히 설계된 N형 금속 산화물 반도체 현장 효과 트랜지스터 (MOSFET) 이다.최신 FRD HV MOSFET 기술로 내장, 이 유형의 MOSFET는 고온과 낮은 누출에서 우수한 특성을 제공합니다. 새로운 측면 변수 도핑 기술과 특수 전력 MOS 구조를 갖추고 있습니다.그것은 초고 전압을 견딜 수 있으며 1 μ A 이하에 도달 할 수있는 낮은 누출률을 가지고 있습니다..

이 고전압 MOSFET는 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치 및 인버터와 같은 광범위한 응용 분야에 적합합니다.높은 온도와 낮은 누출에서 그것의 우수한 특성은 높은 성능의 응용 프로그램에 대한 이상적인 선택또한 고도로 내구성 있고 신뢰성 있는 제품으로 고객들에게 장기적인 성능을 제공할 수 있다는 확신을 줍니다.

 

기술 매개 변수:

항목 사양
기술 MOSFET
HV 모스페트 적용 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터 등
열 분산 큰 열 분산
저항력 낮은 전원 저항
전압 등급 고전압/극대고전압
장점 새로운 변동성 도핑 기술, 특수 전력 MOS 구조, 높은 온도에서 우수한 특성.
초고압 MOSFET 적용 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급, 산업 스위칭 전력 공급, 전기 전력 시스템, 등
종류 N
제품 이름 고전압 MOSFET
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지 / 풀 브리지 회로 응용 프로그램, 등
 

응용 프로그램:

REASUNOS의 고전압 MOSFET은 고전압 전원을 필요로하는 응용 프로그램에서 가장 좋은 선택 중 하나입니다. 이 유형의 MOSFET은 LED 드라이버, 어댑터,산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터, 그리고 더 많은. 그것은 모터 시리즈, 인버터, 하프 브릿지 / 풀 브릿지 회로 응용 프로그램에 이상적인 임베디드 FRD HV MOSFET을 가지고 있습니다.그것은 고전압 / 초고전압의 전압 등급을 가지고 있으며 1μA 미만의 낮은 누출을 달성 할 수 있습니다.또한 먼지 방지, 방수 및 반 정적 튜브형 포장과 같은 다양한 포장 옵션이 있으며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.배달 시간은 전체 양에 따라 2-30days이며 지불 조건은 100% T / T 사전에 (EXW)공급 능력은 5KK/개월입니다.

 

지원 및 서비스:

고전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

우리는 고전압 MOSFET 제품에 대한 기술 지원 및 서비스를 제공합니다. 우리의 숙련 된 엔지니어들은 귀하의 질문에 답하고 설계 및 문제 해결에 도움을 제공합니다.우리의 팀은 또한 성공적인 구현을 보장하기 위해 개인 지원을 제공 할 수 있습니다.

우리는 제품 평가, 테스트 및 시뮬레이션 등 다양한 서비스를 제공합니다. 또한 귀하의 필요에 맞는 최상의 솔루션을 설계하는 데 도움이되는 애플리케이션 특정 지원을 제공합니다.우리의 팀은 당신이 우리의 제품의 특징과 이점을 이해 할 수 있습니다, 그리고 잠재적인 위험이나 제한.

어떤 질문이 있거나 응용 프로그램을 논의하고 싶은 경우, 저희에게 연락하십시오. 우리의 전문가 팀은 당신이 당신의 고전압 MOSFET 프로젝트에 대한 올바른 솔루션을 찾을 수 있도록 여기에 있습니다.

 

포장 및 운송:

포장 및 운송 고전압 MOSFET

고전압 MOSFET는 제품의 안전한 배달을 보장하기 위해 적절한 정적 방출 포장 재료로 배송됩니다.

다양한 패키지 옵션은 고객의 요구를 충족시키기 위해 사용할 수 있습니다. 여기에는 튜브, 테이프 및 릴 패키지가 포함됩니다. 우리는 또한 큰 주문에 대용량 패키지 서비스를 제공합니다.

운송 시, 모든 제품은 적절한 포장재로 운송되기 전에 품질과 안전성을 철저히 검사합니다.우리는 명실상부하고 신뢰할 수있는 배송 서비스를 사용하여 제품을 배송합니다..

 

FAQ:

Q1: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?

A1:브랜드 이름은 REASUNOS입니다.

Q2: 제품은 어디서 만들어집니다?

A2:이 제품은 중국 광둥에서 생산됩니다.

Q3: 고전압 MOSFET 비용은 얼마입니까?

A3:제품의 가격은 제품 자체에 기초하고 있으며 문의 후 확인됩니다.

Q4: 제품은 어떻게 포장됩니까?

A4:이 제품은 먼지, 방수 및 반 정적 튜브형 포장지로 포장되어 있으며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.

Q5: 배송 시간은 얼마나 되나요?

A5:배송 시간은 2~30일이며, 전체 주문량에 따라 달라집니다.

꼬리표:

안정적인 고전압 전원 모스페트

고전압 시크 모스페트

산업용 초고전압 트랜지스터