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超高周波MOSFETスマートメーター 応用 低漏れ 1 μ A 産業自動化

  • Ultra-HV MOSFET Smart Meter Application Low Leakage 1 µ A for Industrial Automation
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
テクノロジー MOSFET 漏れ 低い漏出は1つ以下のµ Aに達することができる
電圧評価 高圧/超高度の電圧 HV Mosfetの塗布 LEDの運転者、アダプター、産業転換の電源、インバーター等
抵抗 低いオン抵抗 埋め込まれたFRD HV MOSFETの塗布 モーター シリーズ、インバーター、半分橋/完全なブリッジ・サーキットの塗布、等。
製品名 高圧MOSFET 超HV MOSFETの塗布 スマートなメートル、キャビネットの電源、産業転換の電源、電力システム、等。
ハイライト

スマートメーターアプリケーション MOSFET

,

低漏れMOSFET

,

産業自動化 MOSFET
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
製品の説明

製品説明:

高電圧MOSFETは,非常に高い電圧に対応するために特別に設計されたN型金属酸化半導体場効果トランジスタ (MOSFET) の1種類である.最新のFRD HV MOSFET技術で組み込まれていますこのタイプのMOSFETは,高温と低流出で優れた特性を持っています.新しい横向変数ドーピング技術と特別なパワーMOS構造があります.超高電圧に耐えるし,漏れ率は1μA未満に達する.

この高電圧MOSFETは,LEDドライバ,アダプター,産業用スイッチ電源,インバーターなどの幅広い用途に適しています.高温と低流出における優れた特性により,高性能アプリケーションのための理想的な選択になります耐久性も高く,信頼性も高く,顧客に長期間の性能を保証します.

 

技術パラメータ:

ポイント 仕様
テクノロジー MOSFET
HV モスフェット 適用 LEDドライバー,アダプター,産業用スイッチング電源,インバーターなど
熱散 熱 の 散らばる 大量
抵抗力 低オン抵抗
定位電圧 高電圧/超高電圧
利点 新しい横変形ドーピング技術 特殊パワーMOS構造 高温での優れた特性
ウルトラHV MOSFET 適用 スマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチング電源,電気電力システムなど
タイプ N
製品名 高電圧MOSFET
組み込み FRD HV MOSFET アプリケーション モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路のアプリケーションなど
 

応用:

REASUNOSによる高電圧MOSFETは,高電圧の電力を必要とするアプリケーションの最良の選択肢の一つです.このタイプのMOSFETは,LEDドライバ,アダプター,産業用スイッチ電源FRD HV MOSFETが組み込まれていて,モーターシリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回路アプリケーションに最適です.高電圧/超高電圧の電圧評価があり,1μA未満に達する低漏れ防塵,防水,反静的管状の包装など幅広いパッケージングオプションがあります.配達時間は2-30daysです. 総数量によって決まります. 支払条件は100%T/T (EXW) です.供給能力は月5KKです

 

サポートとサービス

高電圧MOSFETの技術サポートとサービス

高電圧 MOSFET 製品に対する技術サポートとサービスを提供します. 熟練したエンジニアは,質問に答え,設計とトラブルシューティングに協力します.私たちのチームは,成功の実施を保証するために個別サポートを提供することができます.

製品評価,テスト,シミュレーションを含む様々なサービスを提供します. さらに,お客様のニーズに最適なソリューションを設計するのに役立つアプリケーション特有のサポートを提供しています.私たちのチームは,私たちの製品の特徴と利点を理解するのに役立ちます可能性のあるリスクや制限について

もし質問があるか,またはあなたのアプリケーションについて議論したい場合は,私たちと連絡してください. 私たちの専門家のチームは,あなたの高電圧MOSFETプロジェクトのための適切なソリューションを見つけるのにあなたを助けるためにここにあります.

 

梱包と輸送:

パッケージと出荷 高電圧MOSFET

高電圧MOSFETは,製品の安全な配送を保証するために適切な静的消散性パッケージング材料で出荷されます.

お客様のニーズを満たすために,様々なパッケージングオプションが利用可能である.これらはチューブ,テープ,リールパッケージングを含む.また,大規模な注文のための大量パッケージングサービスを提供しています.

輸送の際に,すべての製品は,適切なパッケージング材料で送られる前に,品質と安全性を徹底的に検査します.信頼性の高い輸送サービスを利用して 商品を運送します.

 

FAQ:

Q1: 高電圧MOSFETのブランド名は?

A1:ブランド名は REASUNOS.

Q2: 製品はどこで作られていますか?

A2 についてこの製品は中国の広東で製造されています.

Q3: 高電圧MOSFETのコストは?

A3 について商品の価格は製品自体に基づいており,調査後に確認されます.

Q4: 商品のパッケージは?

A4 式:この製品は,防塵,防水,抗静的管状のパッケージで梱包され,紙箱に詰められています.

Q5: 配達時間はどのくらいですか?

A5:配達時間は2~30日で,注文の総量によって異なります.

札:

安定した高電圧電源モスフェット

耐熱 高電圧 シック モスフェット

工業用超高電圧トランジスタ