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Hochspannungs-MOSFET-Transistor Ultrahochspannungstechnologie

  • High Voltage MOSFET Transistor Ultra-high Voltage Technology
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Widerstand Niedriger Auf-Widerstand Leckage Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen
Hochspg Mosfet-Anwendung LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. Nennspannung Hochspannungs-/Ultrahochspannung
Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Wärmeableitung Große Wärmeableitung Technologie MOSFET
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Hochspannungs-MOSFET-Transistor
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

Das Hochspannungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-MOSFET mit eingebetteter FRD-HV-MOSFET-Anwendung.Anwendungen für Halbbrücken-/VollbrückenkreisläufeEs ist mit einer neuen seitlichen variablen Dopingtechnologie und einer speziellen Leistungs-MOS-Struktur ausgestattet, die für hervorragende Eigenschaften bei hohen Temperaturen sorgt.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Technologie MOSFET
Typ N
Nennspannung Hochspannung/Ultrahochspannung
Widerstand Niedriger Einsatzwiderstand
Wärmeabbau Große Wärmeverteilung
Leckage Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen
Anwendung Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung, Motorreihe, Wechselrichter, Half-Bridge/Full-Bridge-Schaltkreis-Anwendungen usw.
Vorteile Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen.
 

Anwendungen:

High Voltage MOSFET, ein High-End-Produkt von REASUNOS, ist ein Hoch- und Ultra-Hochvolt-MOS-Gate-Transistor.für LED-Treiber geeignet, Adapter, industrielle Schaltnetzteile, Wechselrichter und andere Anwendungen.Die neue seitliche variable Dopingtechnologie und die spezielle Leistungs-MOS-Struktur ermöglichen eine geringe Widerstandsspannung.Darüber hinaus kann es auch auf Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücke / Vollbrücke Schaltkreis Anwendungen, etc. Die ausgezeichnete staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung,in einer Kartonscheibe in Kartonschichten, stellen Sie sicher, dass die Lieferzeit 2-30 Tage ist, je nach Gesamtmenge. Der unschlagbare Preis ist auch ein großer Vorteil von REASUNOS Hochspannungs-MOSFET.Sie können immer Ihr Lieblingsprodukt kaufen.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Service von Hochspannungs-MOSFET

Wir bieten technische Unterstützung und Service für unsere Hochspannungs-MOSFET-Produktlinie.und Designlösungen empfehlen.

Wir bieten auch maßgeschneiderte Lösungen und Unterstützung an, darunter:

  • Überprüfungen und Empfehlungen der Datenblätter
  • Unterstützung bei der Auswahl des für Ihre Anwendung geeigneten MOSFET
  • Überprüfung und Optimierung der Konstruktion
  • Überprüfung des Aufbaus des Vorstands
  • Prüfungen im Kreislauf
  • Unterstützung von Firmware

Für weitere Informationen zu unserem Hochspannungs-MOSFET-Technischen Support und -Service kontaktieren Sie uns bitte.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFET:

  • Das Produkt wird in einer antistatischen Tüte verpackt.
  • Das Produkt wird in einem Karton oder einem gepolsterten Umschlag aufbewahrt.
  • Das Produkt wird innerhalb von 1-2 Werktagen versendet.
  • Die Sendungen werden entweder per FedEx, DHL oder USPS versendet.
  • Der Kunde erhält eine Nachverfolgungsnummer, sobald das Produkt versandt wurde.
 

Häufige Fragen:

F1: Was ist ein Hochspannungs-MOSFET?

A1: Ein Hochspannungs-MOSFET ist eine Art Transistor, der typischerweise in Hochspannungsumgebungen verwendet wird.

F2: Wie heißt das Hochspannungs-MOSFET?

A2: Der Markenname von Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.

F3: Wo wird das Hochspannungs-MOSFET hergestellt?

A3: Das Hochspannungs-MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.

F4: Welche Art von Verpackung wird für Hochspannungs-MOSFET verwendet?

A4: Das Hochspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt.

F5: Wie ist die Lieferzeit für Hochspannungs-MOSFET?

A5: Die Lieferzeit für Hochspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.

Umbauten:

Stabiler Hochspannungsstrom Mosfet

Wärmedichtes Hochspannungs-Sic Mosfet

Industrie-Ultra-Hochspannungstransistor