Транзистор высокого напряжения MOSFET Технология сверхвысокого напряжения
Место происхождения | Гуандун, CN |
---|---|
Фирменное наименование | REASUNOS |
Цена | Confirm price based on product |
Упаковывая детали | Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка |
Время доставки | 2-30 дней (зависит от общего количества) |
Условия оплаты | 100% T/T заранее ((EXW) |
Поставка способности | 5кк/месяц |

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xСопротивление | Низкое На-сопротивление | Утечка | Низкая утечка может достигнуть меньше чем 1 µ a |
---|---|---|---|
Применение Mosfet HV | Водитель СИД, переходники, промышленное переключая электропитание, инверторы Etc | Оценка напряжения тока | Высоковольтное/ультравысокое напряжение тока |
Врезанное применение MOSFET HV FRD | Серия мотора, инвертор, половинный мост/полные применения мостиковой схемы, Etc. | Наименование продукта | Высоковольтный MOSFET |
тепловыделение | Большее тепловыделение | Технологии | MOSFET |
Выделить | Транзистор MOSFET высокого напряжения |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Описание продукта:
MOSFET высокого напряжения - это MOSFET высокого напряжения с встроенным FRD HV MOSFET.Приложения для полумостовых/полных мостовых цепейОн спроектирован с новой технологией латерального переменного допинга и специальной силовой структурой MOS, которая обеспечивает отличные характеристики при высоких температурах.
Технические параметры:
Наименование продукта | MOSFET высокого напряжения |
---|---|
Технологии | MOSFET |
Тип | N |
Направление напряжения | Высокое напряжение/Ультравысокое напряжение |
Сопротивление | Низкое сопротивление |
Рассеивание тепла | Большое рассеивание тепла |
Утечка | Низкая утечка может достигать менее 1 мкА |
Применение | Умный счетчик, электроснабжение кабинета, промышленное коммутационное электроснабжение, система электропитания, серия моторов, инвертор, приложения полного моста / полного моста и т. д. |
Преимущества | Новая технология латерального переменного допинга, специальная структура MOS с мощностью, отличные характеристики при высоких температурах. |
Применение:
Высоковольтный MOSFET, высококачественный продукт REASUNOS, представляет собой высоковольтный и ультравысоковольтный транзистор MOS-gate.который подходит для светодиодного драйвера, адаптеры, промышленные коммутаторы питания, инверторы и другие приложения.Его новая технология бокового переменного допинга и специальная структура MOS мощности делают его с низким уровнем напряжения на сопротивлениеКроме того, он также может быть применен к серии двигателей, инвертор, полный мост / полный мост схемы приложений, и т. д. Отличная пылестойкая, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка,помещенные в картонную коробку в картонных коробках, убедитесь, что время доставки составляет 2-30 дней, в зависимости от общего количества. Непревзойденная цена также является большим преимуществом REASUNOS высоковольтного MOSFET. С возможностью поставки 5KK / месяц,Вы всегда можете купить свой любимый продукт.
Поддержка и услуги:
Мы предоставляем техническую поддержку и сервис для нашей линии высоковольтных MOSFET продуктов.и рекомендовать дизайнерские решения.
Мы также предлагаем индивидуальные решения и поддержку, в том числе:
- Обзоры и рекомендации по данным
- Помощь в выборе подходящего MOSFET для вашего приложения
- Обзор и оптимизация конструкции
- Пересмотр структуры правления
- Испытания в цепи
- Поддержка прошивки
Для получения дополнительной информации о нашей технической поддержке и обслуживании высоковольтных MOSFET, пожалуйста, свяжитесь с нами.
Упаковка и перевозка:
Упаковка и транспортировка высоковольтного MOSFET:
- Продукт упаковывается в антистатический пакет.
- Продукт должен быть надежно помещен в картонную коробку или упакованный конверт.
- Продукт будет отправлен в течение 1-2 рабочих дней.
- Посылки будут отправлены FedEx, DHL или USPS.
- Клиенту будет предоставлен номер отслеживания после отправки продукта.
Часто задаваемые вопросы
A1: MOSFET высокого напряжения - это тип транзистора, который обычно используется в среде высокого напряжения.
A2: Торговая марка высоковольтного MOSFET - REASUNOS.
A3: MOSFET высокого напряжения производится в Гуандун, Китай.
A4: Высоковольтный MOSFET упакован в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку, помещенную в картонную коробку в картонные коробки.
A5: Срок доставки высоковольтного MOSFET составляет 2-30 дней, в зависимости от общего количества.