उच्च वोल्टेज MOSFET ट्रांजिस्टर अति उच्च वोल्टेज प्रौद्योगिकी

उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
प्रतिरोध कम प्रतिरोध रिसाव के कम रिसाव 1 μA से कम तक पहुंच सकता है
एचवी मॉसफेट एप्लीकेशन एलईडी ड्राइवर, एडेप्टर, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, इनवर्टर आदि वेल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज
एंबेडेड एफआरडी एचवी एमओएसएफईटी एप्लीकेशन मोटर सीरीज, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट अनुप्रयोग, आदि। उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET
ताप लोपन महान ताप अपव्यय तकनीकी MOSFET
प्रमुखता देना

उच्च वोल्टेज MOSFET ट्रांजिस्टर

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
उत्पाद विवरण

उत्पाद का वर्णन:

उच्च वोल्टेज MOSFET एक उच्च वोल्टेज पावर MOSFET है जिसमें एम्बेडेड FRD HV MOSFET अनुप्रयोग है। इसमें कम प्रतिरोध और महान गर्मी अपव्यय है, जिससे यह मोटर श्रृंखला, इन्वर्टर,आधा ब्रिज/पूर्ण ब्रिज सर्किट अनुप्रयोगयह नई पार्श्व चर डोपिंग तकनीक और विशेष शक्ति एमओएस संरचना के साथ बनाया गया है, जो उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताओं को सुनिश्चित करता है।

 

तकनीकी मापदंडः

उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET
प्रौद्योगिकी एमओएसएफईटी
प्रकार एन
वोल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अति उच्च वोल्टेज
प्रतिरोध कम प्रतिरोध
ताप विसर्जन बड़ी गर्मी विसर्जन
रिसाव कम रिसाव 1 माइक्रोन ए से कम तक पहुंच सकता है
आवेदन स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, इंडस्ट्रियल स्विचिंग पावर सप्लाई, इलेक्ट्रिकल पावर सिस्टम, मोटर सीरीज, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट एप्लिकेशन आदि।
लाभ नई पार्श्व परिवर्तनीय डोपिंग तकनीक, विशेष शक्ति एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं।
 

अनुप्रयोग:

उच्च वोल्टेज MOSFET, REASUNOS का एक उच्च अंत उत्पाद एक उच्च वोल्टेज और अति उच्च वोल्टेज MOS-गेट ट्रांजिस्टर है। इसमें उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं हैं,जो एलईडी ड्राइवर के लिए उपयुक्त है, एडाप्टर, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई, इनवर्टर और अन्य अनुप्रयोग।इसकी नई पार्श्व चर डोपिंग तकनीक और विशेष शक्ति एमओएस संरचना इसे कम प्रतिरोध पर वोल्टेज रेटिंग देता हैइसके अतिरिक्त यह मोटर श्रृंखला, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट एप्लिकेशन आदि पर भी लागू किया जा सकता है।एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखा गया है, सुनिश्चित करें कि डिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है। बेजोड़ कीमत भी REASUNOS उच्च वोल्टेज MOSFET का एक बड़ा लाभ है। 5KK / महीने की आपूर्ति क्षमता के साथ,आप हमेशा अपने पसंदीदा उत्पाद प्राप्त कर सकते हैं.

 

सहायता एवं सेवाएं:

उच्च वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा

हम अपने उच्च वोल्टेज MOSFET उत्पाद लाइन के लिए तकनीकी सहायता और सेवा प्रदान करते हैं। हमारे अनुभवी इंजीनियरों की टीम उत्पाद सवालों के जवाब देने के लिए उपलब्ध है, समस्या निवारण सहायता प्रदान,और डिजाइन समाधानों की सिफारिश.

हम अनुकूलित समाधान और समर्थन भी प्रदान करते हैं, जिनमें शामिल हैंः

  • डाटा शीट समीक्षा और सिफारिशें
  • आपके आवेदन के लिए सही MOSFET का चयन करने में सहायता
  • डिजाइन समीक्षा और अनुकूलन
  • बोर्ड के लेआउट की समीक्षा
  • सर्किट में परीक्षण
  • फर्मवेयर समर्थन

हमारे उच्च वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा के बारे में अधिक जानकारी के लिए, कृपया हमसे संपर्क करें।

 

पैकिंग और शिपिंगः

उच्च वोल्टेज MOSFET के लिए पैकेजिंग और शिपिंगः

  • उत्पाद को एक एंटी-स्टेटिक बैग में पैक किया जाएगा।
  • उत्पाद को एक कार्डबोर्ड बॉक्स या पैड लिफाफे में सुरक्षित रूप से रखा जाएगा।
  • उत्पाद 1-2 कार्य दिवसों के भीतर भेज दिया जाएगा।
  • शिपमेंट FedEx, DHL, या USPS द्वारा भेजे जाएंगे।
  • उत्पाद भेजने के बाद ग्राहक को एक ट्रैकिंग नंबर प्रदान किया जाएगा।
 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

प्रश्न 1: उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी क्या है?

A1: उच्च वोल्टेज MOSFET एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है, जिसका उपयोग आमतौर पर उच्च वोल्टेज वातावरण में किया जाता है। यह एक वोल्टेज नियंत्रित उपकरण है, जो बहुत कम बिजली इनपुट के साथ बड़ी धाराओं को स्विच कर सकता है।

प्रश्न 2: उच्च वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम क्या है?

A2: उच्च वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम REASUNOS है।

Q3: उच्च वोल्टेज MOSFET का निर्माण कहाँ किया जाता है?

A3: उच्च वोल्टेज MOSFET का निर्माण गुआंग्डोंग, चीन में किया जाता है।

Q4: उच्च वोल्टेज MOSFET के लिए किस प्रकार की पैकेजिंग का उपयोग किया जाता है?

A4: उच्च वोल्टेज MOSFET को धूल, जल, और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।

Q5: उच्च वोल्टेज MOSFET के लिए वितरण समय क्या है?

A5: उच्च वोल्टेज MOSFET के लिए डिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है।

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