Stabiler Hochspannungsstrom Mosfet, Wärmeverlusttransistor N-Kanal Mosfet

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Leckage Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Widerstand Niedriger Auf-Widerstand Technologie MOSFET
Typ N Vorteile Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig
Wärmeableitung Große Wärmeableitung Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc.
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Stabiler Hochspannungsstrom Mosfet

,

N-Kanal Hochspannungsstrom Mosfet

,

Transistor zur Wärmeverteilung N-Kanal Mosfet

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

Einführung des Hochspannungs-MOSFET, einem Hochspannungs-FET, das für hohe Spannungen ausgelegt ist und gleichzeitig eine geringe Leckage und eine gute Wärmeabgabe bietet.Dieses MOSFET bietet die neueste Technologie für diejenigen, die einen zuverlässigen und effizienten Weg suchen, um ihre Projekte zu versorgenDas Hochspannungs-MOSFET ist N-Typ, was bedeutet, dass es bis zu 3.000 Volt Leistung verarbeiten kann und eine geringe Leckage von weniger als 1 μ A aufweist, was es zu einer idealen Wahl für Hochleistungsanwendungen macht.Das MOSFET bietet auch eine gute WärmeableitungMit seiner Kombination aus hoher Spannung und geringer LeckageDas Hochspannungs-MOSFET ist die perfekte Wahl für jedes Projekt, das zuverlässige Energie benötigt.

 

Technische Parameter:

Parameter Wert
Anwendung LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Inverter, Motorreihe, Inverter, Anwendungen für Halbbrücken/Fullbrückenkreise, Smart Meter, Kabinettstromversorgung, elektrisches Stromsystem,usw..
Typ N
Technologie MOSFET
Widerstand Niedriger Einsatzwiderstand
Wärmeabbau Große Wärmeverteilung
Vorteile Neue Technologie für die doppende Anwendung von seitlichen Variablen, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen
Leckage Niedrige Leckage kann weniger als 1 μA erreichen
 

Anwendungen:

Hochspannungs-MOSFET - REASUNOS

REASUNOS Hochspannungs-MOSFET ist die perfekte Wahl für Motorserien, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen, LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltnetzteile,und Wechselrichter aufgrund des geringen EinsatzwiderstandesEs wird in Guangdong, China, hergestellt und in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt, die in Kartons in einer Kartonschachtel platziert werden.Der Preis wird anhand des Produkts bestätigt., und die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage je nach Gesamtmenge. Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW) und die Lieferfähigkeit beträgt 5KK/Monat.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

 

Technische Unterstützung und Service von Hochspannungs-MOSFET

Bei der ABC Company sind wir bestrebt, unseren Kunden ein Höchstmaß an technischer Unterstützung und Service für unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte zu bieten.Unser Team aus erfahrenen Ingenieuren und Technikern kann Ihnen maßgeschneiderte Lösungen bieten, die Ihren spezifischen Anforderungen entsprechen.Wir bieten umfassende Support- und Serviceoptionen an, darunter:

  • Installations- und Wartungsleistungen
  • Fehlerbehebung und Reparatur
  • Technische Unterstützung vor Ort
  • Software- und Hardwareaktualisierungen
  • Beratung und Ausbildung
  • Produkt-Upgrades und Anpassungen

Unser Team steht Ihnen rund um die Uhr zur Verfügung, um alle Fragen zu beantworten und Lösungen zu finden, um sicherzustellen, dass Ihre Hochspannungs-MOSFET-Produkte optimal funktionieren.Wir sind bestrebt, einen außergewöhnlichen Kundenservice zu bieten und freuen uns darauf, von Ihnen zu hören..

 

Verpackung und Versand:

 

Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFET:

Hochspannungs-MOSFET-Produkte werden typischerweise in einer ESD-geschützten Box verpackt, um Schäden beim Versand zu minimieren.Alle Produkte sollten vor dem Einbringen in die Box in Schutzfolie oder Blasenfolie verpackt werden.Die Verpackung sollte klar mit dem Produktnamen, der Teilenummer und allen anderen relevanten Informationen versehen sein, um sie leicht zu identifizieren.Die Kiste sollte dann mit einem starken Verpackungsteppi versiegelt und an den Kunden geliefert werden.

 

Häufige Fragen:

 

F: Was ist ein Hochspannungs-MOSFET?

A: Ein Hochspannungs-MOSFET ist ein Metalloxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET), der bei höheren Spannungen als herkömmliche MOSFETs betrieben wird.

F: Wie heißt der Hochspannungs-MOSFET?

A: Der Markenname des Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.

F: Was ist der Ursprungsort des Hochspannungs-MOSFET?

A: Der Ursprungsort des Hochspannungs-MOSFET ist Guangdong, China.

F: Wie lange dauert die Verpackung und Lieferung des Hochspannungs-MOSFET?

A: Die Verpackung für das Hochspannungs-MOSFET besteht aus staub-, wasser- und antistatischer Rohrverpackung, die in einem Karton in Kartons gelegt wird.je nach Gesamtmenge.

F: Welche Zahlungsbedingungen gelten für das Hochspannungs-MOSFET?

A: Die Zahlungsbedingungen für das Hochspannungs-MOSFET sind 100% T/T im Voraus (EXW).