ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
โมสเฟตพลังงานความดันสูงที่มั่นคง, ทรานซิสเตอร์ระบายความร้อน N Channel Mosfet
| สถานที่กำเนิด | กวางตุ้ง CN |
|---|---|
| ชื่อแบรนด์ | REASUNOS |
| ราคา | Confirm price based on product |
| รายละเอียดการบรรจุ | บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง |
| เวลาการส่งมอบ | 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม) |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | 100% T/T ล่วงหน้า (EXW) |
| สามารถในการผลิต | 5KK/เดือน |
ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
| การรั่วไหล | การรั่วไหลต่ำสามารถเข้าถึงน้อยกว่า 1 µ A | ชื่อสินค้า | มอสเฟตแรงดันสูง |
|---|---|---|---|
| ความต้านทาน | ความต้านทานต่ำ | เทคโนโลยี | มอสเฟต |
| ประเภท | เอ็น | ข้อดี | เทคโนโลยีการเติมสารแปรผันด้านข้างแบบใหม่ โครงสร้าง MOS กำลังพิเศษ ลักษณะเฉพาะที่ยอดเยี่ยมในอุณหภูมิส |
| การกระจายความร้อน | กระจายความร้อนได้ดี | แอปพลิเคชัน FRD HV MOSFET แบบฝัง | ซีรีย์มอเตอร์, อินเวอร์เตอร์, การใช้งานวงจรฮาล์ฟบริดจ์/ฟูลบริดจ์ ฯลฯ |
| เน้น | โมสเฟตพลังงานความดันสูงคงที่,N Channel โมสเฟตพลังงานความดันสูง,ทรานซิสเตอร์ระบายความร้อน N Channel Mosfet |
||
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
รายละเอียดสินค้า
คําอธิบายสินค้า:
นําเสนอ MOSFET ความดันสูง FET ความดันสูง ที่ออกแบบมาเพื่อจัดการกับความดันสูง ในขณะที่ยังให้การรั่วไหลต่ําและการระบายความร้อนที่ดีMOSFET นี้ให้บริการล่าสุดในเทคโนโลยีสําหรับผู้ที่มองหาวิธีที่น่าเชื่อถือและมีประสิทธิภาพในการพลังงานโครงการของพวกเขา. MOSFET ความดันสูงเป็นแบบ N ซึ่งหมายความว่ามันสามารถจัดการกับพลังงานสูงถึง 3,000 โวลต์ และมีอัตราการรั่วไหลต่ํากว่า 1 μ A ทําให้มันเป็นทางเลือกที่เหมาะสมสําหรับการใช้งานพลังงานสูงMOSFET ยังมีการระบายความร้อนที่ดีด้วยการผสมผสานความแรงดันสูงและการรั่วไหลต่ําMOSFET ความดันสูงเป็นทางเลือกที่สมบูรณ์แบบ สําหรับโครงการใด ๆ ที่ต้องการพลังงานที่น่าเชื่อถือ.
ปริมาตรเทคนิค:
| ปริมาตร | มูลค่า |
|---|---|
| การใช้งาน | ไดรฟ์ LED, อดอปแทคเตอร์, พลังงานไฟฟ้าสลับอุตสาหกรรม, อินเวอร์เตอร์, รุ่นมอเตอร์, อินเวอร์เตอร์, การใช้งานวงจรครึ่งสะพาน / สะพานเต็ม, เครื่องวัดสมาร์ท, พลังงานไฟฟ้ากระบวนการไฟฟ้า, ระบบพลังงานไฟฟ้า,เป็นต้น. |
| ประเภท | N |
| เทคโนโลย | MOSFET |
| ความต้านทาน | ความต้านทานต่ํา |
| การระบายความร้อน | การ แปลง ความ ร้อน อย่าง ใหญ่ |
| ข้อดี | เทคโนโลยีดอปปิ้งแบบแปรปรวนด้านใหม่ โครงสร้าง MOS พลังงานพิเศษ คุณสมบัติที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูง |
| การรั่วไหล | ความรั่วไหลต่ําสามารถถึงน้อยกว่า 1 μA |
การใช้งาน:
MOSFET ความดันสูง - REASUNOS
REASUNOS MOSFET ความดันสูงเป็นทางเลือกที่สมบูรณ์แบบสําหรับชุดมอเตอร์ อินเวอร์เตอร์ การใช้งานวงจรครึ่งสะพาน / สะพานเต็มและอินเวอร์เตอร์เนื่องจากความต้านทานการเปิดต่ํามันถูกผลิตในกวางดง, จีน และบรรจุในบรรจุท่อกันฝุ่น, กันน้ํา, และต่อต้านสแตติก, วางในกล่องกระดาษกล่องในกล่องกล่องราคาถูกยืนยันขึ้นอยู่กับสินค้า, และเวลาการจัดส่งคือ 2-30 วันขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด. เงื่อนไขการชําระเงินคือ 100% T / T ก่อน (EXW) และความสามารถในการจําหน่ายคือ 5KK / เดือน.
การสนับสนุนและบริการ:
การสนับสนุนและบริการทางเทคนิค MOSFET ความดันสูง
ในบริษัทเอบีซี เรามุ่งมั่นที่จะให้ลูกค้าของเรา มีการสนับสนุนทางเทคนิคและบริการระดับสูงที่สุด สําหรับผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันสูงของเราทีมวิศวกรและเทคนิคที่มีประสบการณ์ของเราสามารถจัดหาคําตอบที่ปรับปรุงตามความต้องการของท่านเราให้บริการด้านการสนับสนุนและบริการที่ครบวงจร รวมถึง:
- บริการติดตั้งและดูแล
- บริการแก้ปัญหาและซ่อมแซม
- การช่วยเหลือทางเทคนิคในสถานที่
- อัพเดทโปรแกรมและฮาร์ดแวร์
- การปรึกษาและการฝึกอบรม
- การปรับปรุงสินค้าและการปรับแต่ง
ทีมงานของเราพร้อม 24/7 เพื่อตอบคําถามใด ๆ ที่คุณอาจมี และให้คําตอบเพื่อให้แน่ใจว่าผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันสูงของคุณจะทํางานได้ดีที่สุดเรามุ่งมั่นที่จะให้บริการผู้บริโภคอย่างดีเยี่ยม และหวังที่จะได้ยินจากคุณ.
การบรรจุและการขนส่ง
การบรรจุและการจัดส่ง MOSFET ความดันสูง:
ผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันสูงมักถูกบรรจุในกล่องที่คุ้มกัน ESD เพื่อลดความเสียหายระหว่างการขนส่งให้น้อยที่สุดผลิตภัณฑ์ทุกชนิดควรถูกห่อไว้อย่างมั่นคงในผสมป้องกันหรือผนังกระโปรง ก่อนวางในกล่องกล่องควรถูกติดป้ายอย่างชัดเจนด้วยชื่อสินค้า, เลขส่วน, และข้อมูลอื่น ๆ ที่เกี่ยวข้องเพื่อการระบุง่ายจากนั้นกล่องควรถูกปิดด้วยเทปบรรจุที่แข็งแรงและส่งไปยังลูกค้า.
FAQ:
คําถาม: MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
ตอบ: MOSFET ความดันสูงคือทรานซิสเตอร์ผลสนามโลหะ-ออกไซด์-ครึ่งนํา (MOSFET) ที่ออกแบบมาให้ทํางานในความดันสูงกว่า MOSFET ปกติ
คําถาม: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
ตอบ: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันสูงคือ REASUNOS
คําถาม: สถานที่ที่มาของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
ตอบ: สถานที่กําเนิดของ MOSFET ความดันสูงคือ กวางดง ประเทศจีน
Q: เวลาบรรจุและส่งของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
ตอบ: การบรรจุของ MOSFET ความดันสูงเป็นบรรจุท่อกันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตติก วางไว้ในกล่องกระดาษกล่องในกล่องกระดาษขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด.
คําถาม: เงื่อนไขการชําระเงินสําหรับ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
ตอบ: เงื่อนไขการชําระเงินสําหรับ MOSFET ความดันสูงคือ 100% T / T ในล่วงหน้า (EXW).
แนะนำผลิตภัณฑ์
