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安定した高電圧電源モスフェット,熱分散トランジスタ Nチャネルモスフェット

  • Stable High Voltage Power Mosfet , Heat Dissipation Transistor N Channel Mosfet
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
漏れ 低い漏出は1つ以下のµ Aに達することができる 製品名 高圧MOSFET
抵抗 低いオン抵抗 テクノロジー MOSFET
タイプ N 利点 新しい側面可変的な添加の技術、特別な力MOSの構造、高温の優秀な特徴。
熱放散 大きい熱放散 埋め込まれたFRD HV MOSFETの塗布 モーター シリーズ、インバーター、半分橋/完全なブリッジ・サーキットの塗布、等。
ハイライト

安定した高電圧電源モスフェット

,

Nチャネル 高圧電源モスフェット

,

熱分散トランジスタ Nチャネルモスフェット
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
製品の説明

製品説明:

高電圧の電圧を処理する高電圧のFETで 低漏れと優れた熱消耗を 提供していますこのMOSFETは,信頼性と効率的な方法でプロジェクトを動かすために探している人々のために最新の技術を提供します高電圧MOSFETはN型で,最大3000ボルトの電力を処理することができ,1μA未満の低リーク率を誇っています.MOSFET は 熱を 放散 する 方法 も 優れています高電圧処理と低漏れの組み合わせにより,高電圧MOSFETは,信頼性の高い電力を必要とするすべてのプロジェクトのための完璧な選択です.

 

技術パラメータ:

パラメータ 価値
適用する LEDドライバ,アダプタ,産業用スイッチング電源,インバーター,モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路アプリケーション,スマートメーター,キャビネット電源,電気電力システム,など.
タイプ N
テクノロジー MOSFET
抵抗力 低オン抵抗
熱散 熱 の 散らばる 大量
利点 新しい横変形ドーピング技術 特殊パワーMOS構造 高温での優れた特性
漏れ 低漏れが1μA未満に達する
 

応用:

高電圧MOSFET - REASUNOS

REASUNOS 高電圧 MOSFETは,モーターシリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回路アプリケーション,LEDドライバー,アダプター,産業用スイッチ電源,低電阻によるインバーター中国広東で製造され,防塵,防水,反静的管状のパッケージで梱包され,紙箱の中に詰められています.価格は製品によって確認されます支払条件は100%T/T (EXW) 前払いで,供給能力は5KK/月です.

 

サポートとサービス

 

高電圧MOSFETの技術サポートとサービス

ABC会社では,私たちは,私たちの高電圧MOSFET製品のための技術サポートとサービスの最高水準を顧客に提供することにコミットしています.経験豊富なエンジニアと技術者のチームで,あなたの特定のニーズを満たすために調整されたソリューションを提供することができます我々は包括的なサポートとサービスオプションを提供しています.

  • 設置・保守サービス
  • トラブルシューティングと修理サービス
  • 現地での技術支援
  • ソフトウェアとハードウェアの更新
  • コンサルティングと訓練
  • 製品アップグレードとカスタマイズ

24時間 24時間 24時間 24時間 24時間 24時間 24時間 24時間 24時間 対応しています我々は,例外的な顧客サービスを提供することに専念し,あなたからの話を楽しみにしています.

 

梱包と輸送:

 

高電圧MOSFETの梱包と輸送:

高電圧MOSFET製品は,通常,輸送中に損傷を最小限にするためにESD保護された箱に梱包されます.すべての製品は,箱に入れる前に,保護用泡膜または泡膜でしっかりと包装する必要があります.箱には,製品名,部品番号,その他の関連情報が明記され,簡単に識別できます.箱 は 強い 梱包テープ で 密封 さ れ,顧客 に 送れ ます..

 

FAQ:

 

Q: 高電圧MOSFETとは何か?

A: 高電圧MOSFETは,従来のMOSFETよりも高電圧で動作するように設計された金属酸化半導体場効果トランジスタ (MOSFET) です.

Q: 高電圧MOSFETのブランド名は何ですか?

A: 高電圧MOSFETのブランド名は REASUNOSです

Q: 高電圧MOSFETの原産地は?

A: 高電圧MOSFETの原産地は中国広東です

Q: 高電圧MOSFETの梱包と配送時間は?

A: 高電圧 MOSFET の梱包は,防塵,防水,反静的管状の梱包で,紙箱に詰め込まれており,配送時間は2~30日です.総量によって.

Q: 高電圧MOSFETの支払い条件は?

A: 高電圧MOSFETの支払い条件は 100%T/T Advance (EXW) です.

 

札:

安定した高電圧電源モスフェット

耐熱 高電圧 シック モスフェット

工業用超高電圧トランジスタ