안정적인 고전압 전력 모스페트, 열분 dissipating 트랜지스터 N 채널 모스페트

원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
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제품 상세 정보
누출 낮은 누설은 1 µ A 미만에 도달할 수 있습니다. 제품 이름 고전압 MOSFET
저항 낮은 온 저항 기술 MOSFET
종류 장점 새로운 측면 가변 도핑 기술, 특수 Power MOS 구조, 고온 특성이 우수합니다.
방열 뛰어난 열 방출 임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지/풀 브리지 회로 애플리케이션 등
강조하다

안정적인 고전압 전원 모스페트

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N 채널 고전압 전원 모스페트

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열 분사 트랜지스터 N 채널 모스페트

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

제품 설명:

고전압 MOSFET를 소개합니다. 높은 전압을 처리할 수 있도록 설계된 고전압 FET입니다.이 MOSFET는 신뢰성 있고 효율적인 방법을 찾고있는 사람들에게 최신 기술을 제공합니다.고전압 MOSFET는 N형으로 최대 3,000 볼트 전력을 처리 할 수 있으며 1 μ A 미만의 낮은 누출률을 자랑하며 고전력 애플리케이션에 이상적인 선택입니다.MOSFET 는 또한 큰 열 분비를 제공합니다높은 전압 처리와 낮은 누출의 조합으로고전압 MOSFET는 신뢰할 수있는 전원이 필요한 모든 프로젝트에 대한 완벽한 선택입니다.

 

기술 매개 변수:

매개 변수 가치
적용 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터, 모터 시리즈, 인버터, 반 브릿지 / 풀 브릿지 회로 응용 프로그램, 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 전기 전력 시스템,등등.
종류 N
기술 MOSFET
저항력 낮은 전원 저항
열 분산 큰 열 분산
장점 새로운 변변성 부작용 기술, 특수 전력 MOS 구조, 높은 온도에서 우수한 특성
누출 낮은 누출량은 1μA 미만까지 도달할 수 있습니다.
 

응용 프로그램:

고전압 MOSFET - REASUNOS

REASUNOS 고전압 MOSFET는 모터 시리즈, 인버터, 반 브릿지 / 풀 브릿지 회로 애플리케이션, LED 드라이버, 어댑터, 산업 스위치 전원 공급 장치,그리고 인버터 때문에 낮은 전원 저항중국 광둥에서 제조되고 먼지, 방수, 반 정적 튜버형 포장재에 포장되어 카튼 상자 안에 배치됩니다.가격은 제품에 따라 확인됩니다., 그리고 배달 시간은 전체 양에 따라 2-30 일입니다. 지불 조건은 100% T / T 사전 (EXW) 이며 공급 능력은 5KK / 달입니다.

 

지원 및 서비스:

 

고전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

ABC 회사에서 우리는 우리의 고전압 MOSFET 제품에 대한 최고 수준의 기술 지원과 서비스를 고객에게 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.경험 많은 엔지니어와 기술자들로 구성된 저희 팀은 귀하의 특정 요구를 충족시키기 위해 맞춤형 솔루션을 제공할 수 있습니다.우리는 포괄적인 지원과 서비스 옵션을 제공합니다.

  • 설치 및 유지보수 서비스
  • 문제 해결 및 수리 서비스
  • 현장 기술 지원
  • 소프트웨어 및 하드웨어 업데이트
  • 상담 및 교육
  • 제품 업그레이드 및 사용자 정의

저희 팀은 여러분의 모든 질문에 24/7 답변하고 고전압 MOSFET 제품이 최적의 성능을 발휘할 수 있도록 솔루션을 제공합니다.우리는 예외적인 고객 서비스를 제공하기 위해 헌신하고 있습니다..

 

포장 및 운송:

 

고전압 MOSFET 포장 및 운송:

고전압 MOSFET 제품은 일반적으로 운송 중에 손상을 최소화하기 위해 ESD 보호 상자에 포장됩니다.모든 제품은 상자에 넣기 전에 보호 스펀 또는 거품 포장에 잘 포장해야합니다.상자에는 제품 이름, 부품 번호 및 다른 관련 정보가 표시되어 쉽게 식별됩니다.그 후 상자 를 단단 한 포장 테이프 로 봉인 하여 고객 에게 보내야 합니다..

 

FAQ:

 

Q: 고전압 MOSFET란 무엇인가요?

A: 고전압 MOSFET는 기존 MOSFET보다 높은 전압에서 작동하도록 설계된 금속 산화물 반도체 필드 효과 트랜지스터 (MOSFET) 이다.

Q: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?

A: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.

Q: 고전압 MOSFET의 원산지는 어디인가요?

A: 고전압 MOSFET의 원산지는 중국 광둥입니다.

Q: 고전압 MOSFET의 포장 및 배송 시간은 무엇입니까?

A: 고전압 MOSFET 의 패키지는 먼지, 방수 및 반 정적 튜버형 패키지입니다.전체량에 따라.

Q: 고전압 MOSFET에 대한 지불 조건은 무엇입니까?

A: 고전압 MOSFET의 지불 조건은 100% T/T Advance (EXW) 입니다.