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MOSFET-Transistor mit Wärme- und Hochspannungsschutz
| Herkunftsort | Guangdong, KN |
|---|---|
| Markenname | REASUNOS |
| Preis | Confirm price based on product |
| Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
| Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
| Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |
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xProduktdetails
| Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. | Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET |
|---|---|---|---|
| Leckage | Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen | Wärmeableitung | Große Wärmeableitung |
| Nennspannung | Hochspannungs-/Ultrahochspannung | Typ | N |
| Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg | Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen | Widerstand | Niedriger Auf-Widerstand |
| Hervorheben | MOSFET mit hoher Spannung,Hochspannungs-MOSFET-Multiscene,Hochspannungstransistor gegen Überspannung |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Produkt-Beschreibung
Hochspannungs-MOS-Gate-Transistor mit eingebetteter FRD
Beschreibung des Produkts:
Das Hochspannungs-MOSFET ist der Ultra-Hochspannungs-MOS-Gate-Transistor mit eingebettetem FRD, der Typ N ist. Es wird weit verbreitet in Motorserie, Wechselrichter, Halbbrücken-/Fullbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw. verwendet.Es verfügt über eine hohe Wärmeableitung und über hervorragende Eigenschaften bei hohen Temperaturen aufgrund der neuen seitlichen variablen Dopingtechnologie und der speziellen Leistungsstruktur von MOS.Hochspannungs-MOSFET ist die optimale Wahl für Hochspannungsanwendungen.
Technische Parameter:
| Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET |
|---|---|
| Typ | N |
| Anwendung | LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Inverter, Motorreihe, Inverter, Anwendungen für Halbbrücken/Fullbrückenkreise, Smart Meter, Kabinettstromversorgung, elektrisches Stromsystem,Und so weiter. |
| Leckage | Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen |
| Widerstand | Niedriger Einsatzwiderstand |
| Nennspannung | Hochspannung/Ultrahochspannung |
| Wärmeabbau | Große Wärmeverteilung |
| Vorteile | Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen. |
Anwendungen:
Hochspannungs-MOSFET
REASUNOS Hochspannungs-MOSFET ist die perfekte Lösung für Anwendungen, die hohe Spannung und geringe Leckage erfordern.,und ausgezeichnete Eigenschaften bei hoher Temperatur, kann REASUNOS Hochspannungs-MOSFET in LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter, Smart Meter, Schrankenstromversorgung verwendet werden,und Stromversorgungssystem. Es hat eine geringe Leckage von weniger als 1 μA und kann in staub-, wasser- und antistatischer Rohrverpackung geliefert werden, die in einer Kartonschachtel in Karton verpackt ist. Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage,je nach Gesamtmenge, und der Preis wird auf der Grundlage des Produkts bestätigt.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Technische Unterstützung und Dienstleistungen für Hochspannungs-MOSFET
Bei XYZ legen wir Wert auf die Kundenzufriedenheit und bieten eine umfassende Palette an technischer Unterstützung und Dienstleistungen für unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte.Unser Team von erfahrenen Ingenieuren ist bereit, alle Fragen zu beantworten, die Sie bezüglich der Produktauswahl haben könnenWir nutzen die neuesten Technologien und Ressourcen, um unseren Kunden den bestmöglichen Support zu bieten.
Wir bieten eine Vielzahl von Dienstleistungen an, darunter:
- Unterstützung bei der Produktauswahl
- Unterstützung der Konstruktion
- Unterstützung bei der Beantragung
- Fehlerbehebung
- Technische Beratung
- Software- und Hardwareaktualisierungen
- Unterstützung vor Ort
Wenn Sie Fragen haben oder Hilfe benötigen, kontaktieren Sie uns bitte!
Verpackung und Versand:
Hochspannungs-MOSFET-Produkte werden wie folgt verpackt und versendet:
- Das Produkt wird in eine Kartonbox gelegt.
- Die Kartonbox wird in eine Wellpappe mit Schaumstoffpolsterung eingepackt.
- Die Wellpappe ist mit Klebeband verschlossen.
- Die Verpackung ist mit Produktinformationen versehen.
- Das Paket wird über einen zuverlässigen Kurierdienst an den Kunden versandt.
Häufige Fragen:
- F. Welcher Markenname trägt das Hochspannungs-MOSFET?
- A. Der Markenname für das Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
- F. Wo wird das Hochspannungs-MOSFET hergestellt?
- A. Das Hochspannungs-MOSFET wird in Guangdong (China) hergestellt.
- F. Wie viel kostet das Hochspannungs-MOSFET?
- A. Der Preis des Hochspannungs-MOSFET hängt vom Produkt ab.
- F. Wie ist das Hochspannungs-MOSFET verpackt?
- A. Das Hochspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.
- F. Wie lange dauert die Lieferung des Hochspannungs-MOSFET?
- A. Die Lieferzeit für das Hochspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage, je nach Gesamtmenge.
- F. Welche Zahlungsbedingungen stehen für das Hochspannungs-MOSFET zur Verfügung?
- A. Die Zahlungsbedingungen für das Hochspannungs-MOSFET sind 100% T/T im Voraus (EXW).
- F. Wie viele Hochspannungs-MOSFETs können monatlich geliefert werden?
- A. Die Versorgungsfähigkeit des Hochspannungs-MOSFET beträgt 5 KK/Monat.
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