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열 차단 고전압 MOSFET 트랜지스터 멀티 스케인 항 급증

  • Heatproof High Voltage MOSFET Transistor Multiscene Anti Surge
원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
지불 조건 사전에 100% T/T(EXW)
공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지/풀 브리지 회로 애플리케이션 등 제품 이름 고전압 MOSFET
누출 낮은 누설은 1 µ A 미만에 도달할 수 있습니다. 방열 뛰어난 열 방출
전압 정격 고전압/초고압 종류 엔
Ultra-HV MOSFET 애플리케이션 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 전력 시스템 등 저항 낮은 온 저항
강조하다

열성 고전압 MOSFET

,

고전압 MOSFET 멀티스케인

,

항 돌풍 고전압 트랜지스터
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

내장 FRD를 갖춘 고전압 MOS 게이트 트랜지스터

 

제품 설명:

고전압 MOSFET는 모터 시리즈, 인버터, 반 브릿지 / 풀 브릿지 회로 애플리케이션 등에 널리 사용됩니다..그것은 새로운 측면 변수 도핑 기술과 특수 전력 MOS 구조로 인해 높은 온도에서 큰 열 분산과 우수한 특성을 가지고 있습니다. 따라서,고전압 MOSFET는 고전압 애플리케이션에 최적의 선택입니다.

 

기술 매개 변수:

제품 이름 고전압 MOSFET
종류 N
적용 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터, 모터 시리즈, 인버터, 반 브릿지 / 풀 브릿지 회로 응용 프로그램, 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 전기 전력 시스템,등등.
누출 낮은 누출은 1μA 이하로 도달 할 수 있습니다.
저항력 낮은 전원 저항
전압 등급 고전압/극대고전압
열 분산 큰 열 분산
장점 새로운 변동성 도핑 기술, 특수 전력 MOS 구조, 높은 온도에서 우수한 특성.
 

응용 프로그램:

고전압 MOSFET

REASUNOS 고전압 MOSFET는 높은 전압과 낮은 누출을 필요로 하는 응용 프로그램에 대한 완벽한 솔루션입니다.,그리고 고온에서 우수한 특성을 가진 REASUNOS 고전압 MOSFET는 LED 드라이버, 어댑터, 산업 스위치 전원 공급 장치, 인버터, 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치,그리고 전기 전력 시스템. 1μA 이하의 낮은 누출량을 가지고 있으며, 먼지, 방수 및 반 정적 튜버형 포장재로 배달될 수 있으며, 카튼 상자 안에 배치됩니다. 배송 시간은 2-30일입니다.전체량에 따라REASUNOS 고전압 MOSFET는 5KK / 월의 공급 능력을 가지고 있습니다.

 

지원 및 서비스:

고전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

XYZ에서는 고객 만족을 중요시하며 고전압 MOSFET 제품에 대한 광범위한 기술 지원 및 서비스를 제공합니다.경험 많은 엔지니어의 우리 팀은 제품 선택에 관한 모든 질문에 대답 할 수 있습니다우리는 최신 기술과 자원을 사용하여 고객에게 가능한 최고의 지원을 제공합니다.

우리는 다음과 같은 다양한 서비스를 제공합니다.

  • 제품 선택 지원
  • 디자인 지원
  • 지원 지원
  • 문제 해결
  • 기술 상담
  • 소프트웨어 및 하드웨어 업데이트
  • 현장 지원

우리는 고객에게 최고 품질의 기술 지원과 서비스를 제공하기 위해 헌신합니다. 질문이 있거나 도움이 필요한 경우, 저희에게 연락하십시오!

 

포장 및 운송:

고전압 MOSFET 제품은 다음과 같은 방식으로 포장되고 배송됩니다.

  • 이 제품은 고판 상자에 넣습니다.
  • 카드본 상자는 폼 완충 재료가 있는 유선 상자에 배치됩니다.
  • 파동 상자 는 테이프 로 단단 히 봉인 되어 있습니다.
  • 패키지에는 제품 정보가 표시되어 있습니다.
  • 패키지는 신뢰할 수 있는 택배 서비스를 통해 고객에게 배송됩니다.
 

FAQ:

Q. 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?
A. 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.
Q. 고전압 MOSFET 는 어디 에서 제조 됩니까?
A. 고전압 MOSFET 는 중국 광둥에서 제조 됩니다.
Q. 고전압 MOSFET 비용은 얼마입니까?
A. 고전압 MOSFET의 가격은 제품에 따라 다릅니다.
Q. 고전압 MOSFET는 어떻게 포장됩니까?
A. 고전압 MOSFET는 먼지, 방수, 반 정적 튜버형 포장재에 포장되어 있으며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.
Q. 고전압 MOSFET를 배달하는 데 얼마나 걸릴까요?
A. 고전압 MOSFET의 배송 시간은 전체 양에 따라 2~30일입니다.
Q. 고전압 MOSFET에 대한 지불 조건은 무엇입니까?
A. 고전압 MOSFET의 지불 조건은 100% T/T Advance (EXW) 이다.
Q. 한 달에 얼마나 많은 고전압 MOSFETs를 공급 할 수 있습니까?
A. 고전압 MOSFET의 공급 능력은 5KK / 달입니다.
꼬리표:

안정적인 고전압 전원 모스페트

고전압 시크 모스페트

산업용 초고전압 트랜지스터