थर्मोप्रूफ हाई वोल्टेज एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर मल्टीस्कैन एंटी सर्ज

उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
एंबेडेड एफआरडी एचवी एमओएसएफईटी एप्लीकेशन मोटर सीरीज, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट अनुप्रयोग, आदि। उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET
रिसाव के कम रिसाव 1 μA से कम तक पहुंच सकता है ताप लोपन महान ताप अपव्यय
वेल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज प्रकार एन
अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग स्मार्ट मीटर, कैबिनेट बिजली आपूर्ति, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, विद्युत ऊर्जा प्रणाली, आदि। प्रतिरोध कम प्रतिरोध
प्रमुखता देना

ऊष्मारोधक उच्च वोल्टेज MOSFET

,

उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी मल्टीस्केन

,

एंटी सर्ज हाई वोल्टेज ट्रांजिस्टर

आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
उत्पाद विवरण

एम्बेडेड FRD के साथ उच्च वोल्टेज MOS-गेट ट्रांजिस्टर

 

उत्पाद का वर्णन:

उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी एक अल्ट्रा-हाई वोल्टेज एमओएस-गेट ट्रांजिस्टर है जिसमें एम्बेडेड एफआरडी है जो कि प्रकार एन है। इसका व्यापक रूप से मोटर श्रृंखला, इन्वर्टर, हाफ-ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट अनुप्रयोगों आदि में उपयोग किया जाता है।.यह नई पार्श्व चर डोपिंग प्रौद्योगिकी और विशेष शक्ति एमओएस संरचना के कारण उच्च तापमान में महान गर्मी अपव्यय और बेहतर विशेषताओं है।उच्च वोल्टेज MOSFET उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए इष्टतम विकल्प है.

 

तकनीकी मापदंडः

उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET
प्रकार एन
आवेदन एलईडी ड्राइवर, एडाप्टर, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई, इन्वर्टर, मोटर सीरीज, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट एप्लिकेशन, स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, इलेक्ट्रिकल पावर सिस्टम,आदि.
रिसाव कम रिसाव 1 माइक्रोन ए से कम तक पहुंच सकता है
प्रतिरोध कम प्रतिरोध
वोल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अति उच्च वोल्टेज
ताप विसर्जन बड़ी गर्मी विसर्जन
लाभ नई पार्श्व परिवर्तनीय डोपिंग तकनीक, विशेष शक्ति एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं।
 

अनुप्रयोग:

उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी

REASUNOS उच्च वोल्टेज MOSFET उच्च वोल्टेज और कम रिसाव की आवश्यकता है जो अनुप्रयोगों के लिए एकदम सही समाधान है। अपने क्रांतिकारी पार्श्व चर डोपिंग प्रौद्योगिकी के साथ, विशेष शक्ति एमओएस संरचना,और उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताओं, REASUNOS उच्च वोल्टेज MOSFET एलईडी ड्राइवर, एडाप्टर, औद्योगिक स्विचिंग बिजली की आपूर्ति, इन्वर्टर, स्मार्ट मीटर, कैबिनेट बिजली की आपूर्ति में इस्तेमाल किया जा सकता है,और विद्युत शक्ति प्रणाली. यह 1μA से कम का एक कम रिसाव है और धूलरोधी, जलरोधी, और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग में वितरित किया जा सकता है, एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखा गया है। डिलीवरी का समय 2-30 दिन है,कुल मात्रा के आधार पर, और कीमत उत्पाद के आधार पर पुष्टि की जाती है। REASUNOS हाई वोल्टेज MOSFET की आपूर्ति क्षमता 5KK/माह है।

 

सहायता एवं सेवाएं:

उच्च वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवाएं

XYZ में, हम ग्राहकों की संतुष्टि को महत्व देते हैं और हमारे उच्च वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए तकनीकी सहायता और सेवाओं की एक व्यापक श्रृंखला प्रदान करते हैं।अनुभवी इंजीनियरों की हमारी टीम उत्पाद चयन के बारे में आपके किसी भी प्रश्न का उत्तर देने के लिए उपलब्ध हैहम अपने ग्राहकों को सर्वोत्तम संभव सहायता प्रदान करने के लिए नवीनतम प्रौद्योगिकियों और संसाधनों का उपयोग करते हैं।

हम विभिन्न प्रकार की सेवाएं प्रदान करते हैं, जिनमें शामिल हैंः

  • उत्पाद चयन सहायता
  • डिजाइन सहायता
  • आवेदन सहायता
  • समस्या निवारण
  • तकनीकी सलाह
  • सॉफ्टवेयर और हार्डवेयर अद्यतन
  • साइट पर सहायता

हम अपने ग्राहकों को उच्चतम गुणवत्ता वाले तकनीकी सहायता और सेवाएं प्रदान करने के लिए समर्पित हैं। यदि आपके कोई प्रश्न हैं या सहायता की आवश्यकता है, तो कृपया हमसे संपर्क करें!

 

पैकिंग और शिपिंगः

उच्च वोल्टेज MOSFET उत्पादों को पैक किया जाता है और इस तरह से भेज दिया जाता हैः

  • उत्पाद को एक कार्डबोर्ड बॉक्स में रखा जाता है।
  • कार्डबोर्ड बॉक्स को फोम मशीनिंग सामग्री के साथ एक लहराती बॉक्स में रखा जाता है।
  • लहराती बॉक्स को टेप से सुरक्षित रूप से सील कर दिया गया है।
  • पैकेज पर उत्पाद की जानकारी दी गई है।
  • पैकेज को एक विश्वसनीय कूरियर सेवा के माध्यम से ग्राहक को भेज दिया जाता है।
 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

प्रश्न. उच्च वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम क्या है?
A. उच्च वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम REASUNOS है।
प्रश्न. उच्च वोल्टेज मोस्फेट का निर्माण कहाँ किया जाता है?
ए. उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी का निर्माण चीन के गुआंग्डोंग में किया जाता है।
प्रश्न. उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी की लागत कितनी है?
A. उच्च वोल्टेज MOSFET की कीमत उत्पाद पर निर्भर करती है।
प्रश्न. उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी कैसे पैक किया जाता है?
A. उच्च वोल्टेज MOSFET को धूल, पानी और एंटी-स्टेटिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।
प्रश्न. उच्च वोल्टेज मोस्फेट को वितरित करने में कितना समय लगता है?
A. उच्च वोल्टेज MOSFET के लिए डिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है।
प्र. उच्च वोल्टेज मोस्फेट के लिए क्या भुगतान शर्तें उपलब्ध हैं?
A. उच्च वोल्टेज MOSFET के लिए भुगतान की शर्तें 100% T/T अग्रिम (EXW) हैं।
प्र. उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी की मासिक आपूर्ति कितनी की जा सकती है?
A. उच्च वोल्टेज MOSFET के लिए आपूर्ति क्षमता 5KK/माह है।
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