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MOSFET multifunção de carburo de silício multiscene para fonte de alimentação UPS

  • Multiscene Silicon Carbide MOSFET Multi Function For UPS Power Supply
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Quantidade de ordem mínima 600
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagem tubular à prova de pó, à prova de água e antiestática, colocada dentro de uma caixa de pap
Tempo de entrega 2-30 dias (depende da quantidade total)
Termos de pagamento 100% T/T adiantado (EXW)
Habilidade da fonte 5KK/mês

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Detalhes do produto
Tipo N Frequência De alta frequência
Potência Poder superior Materiais Carbono de silício
Nome do produto MOSFET de carboneto de silício Tipo de dispositivo MOSFET
Resistência Baixa resistência eficiência Eficiência elevada
Destacar

MOSFET de carburo de silício de múltiplos cenários

,

MOSFET de carburo de silício multifunção

,

Fornecimento de energia Si Carbide Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
7 RSM120025Z N 90 1200 25 34 TO247-4 600
8 RSM120040W N 68 1200 40 55 TO247-3 600
9 RSM120040Z N 68 1200 40 55 TO247-4 600
10 RSM120075W N 33 1200 75 95 TO247-3 600
11 RSM120075Z N 33 1200 75 95 TO247-4 600
12 RSM120080W N 36 1200 80 98 TO247-3 600
13 RSM120080Z N 36 1200 80 98 TO247-4 600
14 RSM120160W N 18 1200 160 196 TO247-3 600
15 RSM120160Z N 18 1200 160 196 TO247-4 600
16 RSM1701K0W N 5 1700 1000 1300 TO247-3 600
17 RSM1701K0Z N 5 1700 1000 1300 TO247-4 600
18 RSM170045W N 72 1700 45 70 TO247-3 600
19 RSM170045Z N 72 1700 45 70 TO247-4 600
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

Transistor de efeito de campo de baixa resistência de carburo de silício para fonte de alimentação UPS

Descrição do produto:

O MOSFET de Carbide de Silício (SiC) é um Transistor de Efeito de Campo de Semicondutores de Óxido de Metal de alta frequência e alta eficiência (MOSFET) baseado no material de Carbide de Silício.Este MOSFET tem um amplo intervalo de temperatura de trabalho, baixa resistência, operação de alta frequência, baixa carga de portão e velocidade de comutação rápida, tornando-o ideal para uso em aplicações de eletrônica de potência.O MOSFET de Carbono de Silício é projetado para fornecer um desempenho superior em termos de eficiênciaÉ capaz de lidar com níveis de potência elevados, suportar altas temperaturas e proporcionar perdas de potência muito baixas.O MOSFET também é capaz de operar em altas frequências, e alcançando uma elevada eficiência numa ampla gama de aplicações, tornando-a uma escolha ideal para aplicações de electrónica de potência.

O MOSFET de Carbono de Silício oferece uma combinação única de baixa resistência e operação de alta frequência.,A operação de alta frequência do MOSFET proporciona um desempenho superior em termos de eficiência energética e fiabilidade,e a baixa resistência de ligação torna-o uma escolha ideal para aplicações de alta potênciaA baixa carga de portão e a velocidade de comutação rápida tornam-na uma escolha ideal para aplicações de alta potência e alta frequência.

 

Parâmetros técnicos:

Parâmetro Detalhes
Materiais Carbono de silício
Tipo N
Potência Alto Poder
Vantagens Baseado na linha de produção padrão militar nacional, o processo é estável e a qualidade é confiável
Resistência Baixa resistência
Frequência Frequência elevada
Eficiência Eficiência elevada
Nome do produto MOSFET de carburo de silício
Tipo de dispositivo MOSFET
Aplicação Inversor solar, conversor de alta tensão DC/DC, condutor de motor, fonte de alimentação UPS, fonte de alimentação de comutação, pilha de carga, etc.
Palavras-chave Transistor de Efeito de Campo de Carbono de Silício, Transistor de Efeito de Campo de Metal-óxido-semicondutor, Transistor de Efeito de Campo de Oxido de Metal de Carbono de Silício
 

Aplicações:

REASUNOS Transistores de Efeito de Campo de Metal-Óxido de Silício e Semicondutores (SiC MOSFETs) são a escolha perfeita para aplicações de alta corrente, alta voltagem e alta temperatura.Estes têm pouca resistência., os MOSFETs SiC de alta eficiência oferecem um excelente desempenho térmico e uma excelente fiabilidade.Fontes de alimentação UPS, trocando fontes de alimentação e pilhas de carregamento.

A REASUNOS oferece uma vasta gama de produtos MOSFET SiC em diferentes tipos e tamanhos.e embalagens tubulares antiestáticasO preço do produto depende da quantidade total e o prazo de entrega é geralmente de 2 a 30 dias, dependendo da encomenda.As condições de pagamento são 100% T/T antecipadamente (EXW)Temos uma capacidade de abastecimento de 5K por mês.

 

Apoio e Serviços:

Os produtos MOSFET de carburo de silício são suportados por uma ampla gama de serviços técnicos e de suporte.

Os serviços técnicos e suporte disponíveis para os produtos MOSFET de carburo de silício incluem:

  • Assistência técnica ¢ Os nossos especialistas estão à disposição para aconselhar e apoiar, ajudando-o a fazer o melhor uso da tecnologia.
  • Teste de produto
  • Suporte de software Our equipe pode fornecer assistência com o desenvolvimento de software para tirar o máximo proveito do seu produto MOSFET de carburo de silício.
  • Suporte de garantia
  • Manutenção e reparação
 

Embalagem e transporte:

A embalagem e o envio do MOSFET de carburo de silício incluem as seguintes etapas:

  • Embalagem do produto num recipiente adequado.
  • Etiquetar a embalagem com o nome do produto, número de encomenda e quaisquer instruções especiais.
  • Inspecção do produto para garantir que não há defeitos visíveis antes do envio.
  • Utilização de um método de transporte adequado para garantir a entrega segura e pontual do produto.
 

Perguntas frequentes:

P1: Qual é a marca do MOSFET de Carbono de Silício?
R1: A marca do MOSFET de Carbono de Silício é REASUNOS.
P2: Onde é o local de origem do MOSFET de carburo de silício?
R2: O local de origem do MOSFET de carburo de silício é Guangdong, na China.
Q3: Qual é a quantidade mínima de encomenda para o MOSFET de carburo de silício?
R3: A quantidade mínima de encomenda para o MOSFET de carburo de silício é de 600.
P4: Como é que o MOSFET de Carbono de Silício é embalado?
A4: O MOSFET de Carbono de Silício é embalado em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.
Q5: Qual é o prazo de entrega do MOSFET de carburo de silício?
R5: O prazo de entrega do MOSFET de carburo de silício é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.
Etiquetas:

Prático automóvel Sic Mosfet

N Tipo Sic Potência Mosfet

MOSFET de carburo de silício automotivo