Όλα τα Προϊόντα
Υπεύθυνος Επικοινωνίας : Anita Yin
Τηλεφωνικό νούμερο : +86 13712219843
Whatsapp : 8613712219843

Πολλαπλή λειτουργία MOSFET καρβιδίου πυριτίου πολυεπίπεδου για τροφοδοσία ηλεκτρικής ενέργειας UPS

  • Multiscene Silicon Carbide MOSFET Multi Function For UPS Power Supply
Τόπος καταγωγής Guangdong, ΣΟ
Μάρκα REASUNOS
Ποσότητα παραγγελίας min 600
Τιμή Confirm price based on product
Συσκευασία λεπτομέρειες Αδιάβροχη, αδιάβροχη και αντιστατική σωληνιακή συσκευασία, τοποθετημένη μέσα σε ένα χαρτόκουτο σε κο
Χρόνος παράδοσης 2-30 ημέρες (εξαρτάται από τη συνολική ποσότητα)
Όροι πληρωμής 100% T/T εκ των προτέρων (EXW)
Δυνατότητα προσφοράς 5KK/μήνα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Τύπος Ν Συχνότητα Υψηλή συχνότητα
Δύναμη Υψηλή δύναμη Υλικό Καρβίδιο πυριτίου
Ονομασία προϊόντος MOSFET καρβιδίου πυριτίου Τύπος συσκευών MOSFET
Αντίσταση Χαμηλή αντίσταση αποδοτικότητα Υψηλή αποδοτικότητα
Επισημαίνω

Πολλαπλές σκηνές MOSFET καρβιδίου πυριτίου

,

Πολυλειτουργία MOSFET καρβιδίου πυριτίου

,

Ηλεκτρική τροφοδότηση Si Carbide Mosfet
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
7 RSM120025Z N 90 1200 25 34 TO247-4 600
8 RSM120040W N 68 1200 40 55 TO247-3 600
9 RSM120040Z N 68 1200 40 55 TO247-4 600
10 RSM120075W N 33 1200 75 95 TO247-3 600
11 RSM120075Z N 33 1200 75 95 TO247-4 600
12 RSM120080W N 36 1200 80 98 TO247-3 600
13 RSM120080Z N 36 1200 80 98 TO247-4 600
14 RSM120160W N 18 1200 160 196 TO247-3 600
15 RSM120160Z N 18 1200 160 196 TO247-4 600
16 RSM1701K0W N 5 1700 1000 1300 TO247-3 600
17 RSM1701K0Z N 5 1700 1000 1300 TO247-4 600
18 RSM170045W N 72 1700 45 70 TO247-3 600
19 RSM170045Z N 72 1700 45 70 TO247-4 600
Αφήστε ένα μήνυμα
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Περιγραφή προϊόντων

Τρανζίστορα χαμηλής αντίστασης του καρβιδίου του πυριτίου για τροφοδοσία ηλεκτρικής ενέργειας UPS

Περιγραφή του προϊόντος:

Το Silicon Carbide (SiC) MOSFET είναι ένα υψηλής συχνότητας, υψηλής απόδοσης μεταλλικό οξείδιο ημιαγωγού πεδίου (MOSFET) με βάση το υλικό Silicon Carbide.Αυτό το MOSFET έχει ένα ευρύ εύρος θερμοκρασίας εργασίας, χαμηλή αντίσταση, λειτουργία υψηλής συχνότητας, χαμηλό φορτίο πύλης και γρήγορη ταχύτητα διασύνδεσης, καθιστώντας το ιδανικό για χρήση σε εφαρμογές ηλεκτρονικής ισχύος.Το Silicon Carbide MOSFET έχει σχεδιαστεί για να παρέχει ανώτερη απόδοση όσον αφορά την αποδοτικότηταΕίναι ικανό να χειρίζεται υψηλά επίπεδα ισχύος, να αντέχει υψηλές θερμοκρασίες και να παρέχει πολύ χαμηλές απώλειες ισχύος.Το MOSFET είναι επίσης ικανό να λειτουργεί σε υψηλές συχνότητες, και επιτυγχάνει υψηλή απόδοση σε ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών, καθιστώντας την ιδανική επιλογή για εφαρμογές ηλεκτρονικής ισχύος.

Το Silicon Carbide MOSFET προσφέρει ένα μοναδικό συνδυασμό χαμηλής αντίστασης και λειτουργίας υψηλής συχνότητας.,Η λειτουργία υψηλής συχνότητας του MOSFET παρέχει ανώτερη απόδοση όσον αφορά την αποδοτικότητα ενέργειας και την αξιοπιστία,και η χαμηλή αντίσταση του καθιστά ιδανική επιλογή για εφαρμογές υψηλής ισχύοςΤο χαμηλό φορτίο πύλης και η γρήγορη ταχύτητα εναλλαγής το καθιστούν ιδανική επιλογή για εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας.

 

Τεχνικές παραμέτρους:

Παράμετρος Λεπτομέρειες
Υλικό Καρβίδιο πυριτίου
Τύπος N
Δύναμη Υψηλή δύναμη
Πλεονεκτήματα Με βάση την εθνική στρατιωτική γραμμή παραγωγής, η διαδικασία είναι σταθερή και η ποιότητα είναι αξιόπιστη.
Αντίσταση Μικρή Αντίσταση
Συχνότητα Υψηλή συχνότητα
Αποτελεσματικότητα Υψηλή αποδοτικότητα
Ονομασία προϊόντος MOSFET καρβιδίου πυριτίου
Τύπος συσκευής MOSFET
Εφαρμογή Ηλιακός μετατροπέας, μετατροπέας υψηλής τάσης DC/DC, οδηγός κινητήρα, παροχή ηλεκτρικής ενέργειας UPS, παροχή ηλεκτρικής ενέργειας μεταγωγής, στοίβα φόρτισης, κλπ.
Κλειδιά Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Καρβιδίου του Σιλικόντου, Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Μεταλλικού-Οξειδίου-Σημικάγωγου, Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Μεταλλικού Οξειδίου Καρβιδίου του Σιλικόντου
 

Εφαρμογές:

Τα Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου (SiC MOSFETs) με μεταλλικό οξείδιο του σιδηρουργικού καρβίνου REASUNOS είναι η τέλεια επιλογή για εφαρμογές υψηλού ρεύματος, υψηλής τάσης και υψηλής θερμοκρασίας.Αυτοί έχουν χαμηλή αντίσταση., τα υψηλής απόδοσης SiC MOSFET προσφέρουν εξαιρετικές θερμικές επιδόσεις και εξαιρετική αξιοπιστία.Ηλεκτρικές πηγές ηλεκτρικής ενέργειας UPS, διακόπτοντας τις πηγές ρεύματος και τις στοές φόρτισης.

Η REASUNOS προσφέρει ένα ευρύ φάσμα προϊόντων SiC MOSFET σε διάφορους τύπους και μεγέθη.και αντιστατική σωληνιακή συσκευασίαΗ τιμή του προϊόντος εξαρτάται από τη συνολική ποσότητα και ο χρόνος παράδοσης είναι συνήθως 2-30 ημέρες, ανάλογα με την παραγγελία.Οι όροι πληρωμής είναι 100% T/T προκαταβολικά (EXW)Έχουμε μια ικανότητα προμήθειας 5K ανά μήνα.

 

Υποστήριξη και υπηρεσίες:

Τα προϊόντα Silicon Carbide MOSFET υποστηρίζονται από ένα ευρύ φάσμα τεχνικών υπηρεσιών και υπηρεσιών υποστήριξης.

Οι τεχνικές υπηρεσίες και υποστήριξη που είναι διαθέσιμες για τα προϊόντα MOSFET καρβιδίου πυριτίου περιλαμβάνουν:

  • Τεχνική υποστήριξη Οι εμπειρογνώμονές μας είναι στη διάθεσή σας για να σας συμβουλεύσουν και να σας υποστηρίξουν, βοηθώντας σας να χρησιμοποιήσετε την τεχνολογία με τον καλύτερο τρόπο.
  • Δοκιμασία προϊόντων Οι μηχανικοί μας έχουν εμπειρία στην δοκιμή και την επικύρωση των προϊόντων Silicon Carbide MOSFET.
  • Υποστήριξη λογισμικού Η ομάδα μας μπορεί να παρέχει βοήθεια με την ανάπτυξη λογισμικού για να αξιοποιήσετε στο έπακρο το προϊόν Silicon Carbide MOSFET.
  • Υποστήριξη εγγύησης ️ Οι τεχνικοί μας είναι στη διάθεσή σας για να σας βοηθήσουν με τυχόν ζητήματα που σχετίζονται με την εγγύηση με το προϊόν MOSFET Silicon Carbide σας.
  • Συντήρηση και επισκευή Οι τεχνικοί μας είναι στη διάθεσή σας για να σας βοηθήσουν να συντηρήσετε και να επισκευάσετε το προϊόν MOSFET του Καρβιδίου του Σιλικίου.
 

Συσκευή και αποστολή:

Η συσκευασία και η αποστολή του Silicon Carbide MOSFET περιλαμβάνει τα ακόλουθα βήματα:

  • Συσκευασία του προϊόντος σε κατάλληλο δοχείο.
  • Η επισήμανση της συσκευασίας με το όνομα του προϊόντος, τον αριθμό παραγγελίας και τυχόν ειδικές οδηγίες.
  • Επιθεώρηση του προϊόντος για να διασφαλιστεί ότι δεν υπάρχουν ορατά ελαττώματα πριν από την αποστολή.
  • Χρησιμοποιώντας κατάλληλη μέθοδο αποστολής για να διασφαλιστεί ότι το προϊόν παραδίδεται με ασφάλεια και εγκαίρως.
 

Γενικά ερωτήματα:

Ε: Ποιο είναι το εμπορικό σήμα του MOSFET του Καρβιδίου του Σιλικίου;
Α1: Η εμπορική ονομασία του MOSFET του Καρβιδίου του Σιλικίου είναι REASUNOS.
Ε2: Πού βρίσκεται ο τόπος προέλευσης του MOSFET από καρβίδιο του πυριτίου;
Α2: Ο τόπος προέλευσης του MOSFET του καρβιδίου του πυριτίου είναι το Guangdong της Κίνας.
Ε3: Ποια είναι η ελάχιστη ποσότητα παραγγελίας για το Silicon Carbide MOSFET;
Α3: Η ελάχιστη ποσότητα παραγγελίας για το MOSFET από καρβίδιο του πυριτίου είναι 600.
Ε4: Πώς συσκευάζεται το MOSFET του Καρβιδίου του Σιλικίου;
Α4: Το Silicon Carbide MOSFET συσκευάζεται σε ανθεκτική στη σκόνη, στην υγρασία και στην αντιστατική σωληνιακή συσκευασία, τοποθετείται μέσα σε ένα χαρτονιούχο κουτί σε κουτιά.
Ε5: Ποιος είναι ο χρόνος παράδοσης για το Silicon Carbide MOSFET;
Α5: Ο χρόνος παράδοσης για το MOSFET από καρβίδιο του πυριτίου είναι 2-30 ημέρες, ανάλογα με τη συνολική ποσότητα.
Ετικέττες:

Πρακτικός αυτοκινητοβιομηχανικός Sic Mosfet

Τύπος N Sic Power Mosfet

Καρβιδιοπυριτικό MOSFET