Все продукты
Контактное лицо : Anita Yin
Номер телефона : +86 13712219843
WhatsApp : 8613712219843

Мультифункциональный MOSFET из карбида кремния с множественными сценами для питания ВПС

  • Multiscene Silicon Carbide MOSFET Multi Function For UPS Power Supply
Место происхождения Гуандун, CN
Фирменное наименование REASUNOS
Количество мин заказа 600
Цена Confirm price based on product
Упаковывая детали Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка
Время доставки 2-30 дней (зависит от общего количества)
Условия оплаты 100% T/T заранее ((EXW)
Поставка способности 5кк/месяц

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Тип N Частота Высокочастотный
Сила Наивысшая мощность Материал Силиконовый карбид
Наименование продукта МОП-транзистор из карбида кремния Тип прибора MOSFET
Сопротивление Низкое сопротивление эффективность Высокая эффективность
Выделить

МОСФЕТ из карбида кремния с множественными сценами

,

Кремниевой карбидный MOSFET многофункциональный

,

Силовое питание Si Carbide Mosfet
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
7 RSM120025Z N 90 1200 25 34 TO247-4 600
8 RSM120040W N 68 1200 40 55 TO247-3 600
9 RSM120040Z N 68 1200 40 55 TO247-4 600
10 RSM120075W N 33 1200 75 95 TO247-3 600
11 RSM120075Z N 33 1200 75 95 TO247-4 600
12 RSM120080W N 36 1200 80 98 TO247-3 600
13 RSM120080Z N 36 1200 80 98 TO247-4 600
14 RSM120160W N 18 1200 160 196 TO247-3 600
15 RSM120160Z N 18 1200 160 196 TO247-4 600
16 RSM1701K0W N 5 1700 1000 1300 TO247-3 600
17 RSM1701K0Z N 5 1700 1000 1300 TO247-4 600
18 RSM170045W N 72 1700 45 70 TO247-3 600
19 RSM170045Z N 72 1700 45 70 TO247-4 600
Оставьте сообщение
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Характер продукции

Силиконовый карбид с низким уровнем сопротивления транзистор с эффектом поля для питания ВПС

Описание продукта:

Силиконовый карбид (SiC) MOSFET - это высокочастотный, высокоэффективный полупроводниковый транзистор металлического оксида с эффектом поля (MOSFET), основанный на материале Силиконового карбида.Этот MOSFET имеет широкий диапазон рабочей температуры, низкое сопротивление, высокая частота работы, низкий заряд шлюза и быстрая скорость переключения, что делает его идеальным для использования в силовой электронике.Силиконовый карбид MOSFET предназначен для обеспечения превосходных показателей эффективностиОн способен обрабатывать высокие уровни мощности, выдерживать высокие температуры и обеспечивать очень низкие потери мощности.MOSFET также способен работать на высоких частотах, и достижение высокой эффективности в широком диапазоне приложений, что делает его идеальным выбором для применения в силовой электронике.

Силиконовый карбидный MOSFET предлагает уникальное сочетание низкого сопротивления и высокой частоты работы.,высокочастотная работа MOSFET обеспечивает превосходную производительность с точки зрения энергоэффективности и надежности,и низкое сопротивление делает его идеальным выбором для высокопроизводительных приложенийНизкий заряд шлюза и быстрая скорость переключения делают его идеальным выбором для высокомощных, высокочастотных приложений.

 

Технические параметры:

Параметр Подробная информация
Материал Силиконовый карбид
Тип N
Сила Высокая власть
Преимущества На основе национальной военной стандартной производственной линии, процесс стабилен и качество надежно
Сопротивление Низкое сопротивление
Частота Высокая частота
Эффективность Высокая эффективность
Наименование продукта Силиконокарбидный МОСФЕТ
Тип устройства MOSFET
Применение Солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока/ постоянного тока, драйвер двигателя, подача электроэнергии UPS, переключатель питания, зарядная куча и т.д.
Ключевые слова Транзистор с эффектом поля карбида кремния, Транзистор с эффектом поля металла-оксида-полупроводника, Транзистор с эффектом поля полупроводника карбида кремния
 

Применение:

Транзисторы с эффектом полевого действия (SiC MOSFETs) из карбида кремния REASUNOS являются идеальным выбором для применения в условиях высокого тока, высокого напряжения и высокой температуры.У них низкое сопротивление., высокоэффективные SiC MOSFET обеспечивают отличную тепловую производительность и отличную надежность.Электрические источники ВПС, переключение источников питания и зарядные батареи.

REASUNOS предлагает широкий ассортимент SiC MOSFET продуктов различных типов и размеров.и антистатическая трубчатая упаковкаЦена продукта зависит от общего количества и срок доставки обычно составляет 2-30 дней, в зависимости от заказа.Условия оплаты 100% T/T вперед (EXW)У нас есть возможность поставки 5 тыс. в месяц.

 

Поддержка и услуги:

Продукты MOSFET из карбида кремния поддерживаются широким спектром технических услуг и услуг поддержки.

Технические услуги и поддержка, доступные для продуктов MOSFET из карбида кремния, включают:

  • Техническая помощь Наши эксперты готовы предоставить консультации и поддержку, помогая вам наилучшим образом использовать технологию.
  • Испытания продуктов Наши инженеры имеют опыт в тестировании и проверке продуктов MOSFET из карбида кремния.
  • Поддержка программного обеспечения Наша команда может оказать помощь в разработке программного обеспечения, чтобы максимально использовать ваш продукт MOSFET из карбида кремния.
  • Поддержка по гарантии. Наши технические специалисты готовы помочь вам в любых вопросах, связанных с гарантией на ваш продукт MOSFET из карбида кремния.
  • Техническое обслуживание и ремонт. Наши технические специалисты готовы помочь вам в обслуживании и ремонте вашего продукта MOSFET из карбида кремния.
 

Упаковка и перевозка:

Упаковка и транспортировка КАРБИДОВОГО КРУЗОФЕТА включают следующие этапы:

  • Упаковка продукта в соответствующую тару.
  • Маркировка упаковки с наименованием продукта, номером заказа и любыми специальными инструкциями.
  • Проверка продукта для обеспечения отсутствия видимых дефектов перед отправкой.
  • Использование подходящего способа доставки для обеспечения безопасной и своевременной доставки продукта.
 

Часто задаваемые вопросы

Вопрос 1: Какое торговое название углекислого кремниевого MOSFET?
Ответ 1: Торговая марка MOSFET из карбида кремния - REASUNOS.
Вопрос 2: Где находится место происхождения КАРБИДОВОГО КАРБИДОВОГО МОСФЕТА?
A2: Место происхождения КАРБИДОВОГО КРУЗОФЕТА - Гуандун, Китай.
Q3: Каково минимальное количество заказа для КАРБИДОВОГО КАРБИДА MOSFET?
Ответ 3: Минимальное количество заказов для КАРБИДОВОГО КАРБИДОВОГО МОСФЕТА - 600.
Вопрос 4: Как упаковывается КАРБИД КРМ?
A4: Силиконовый карбид MOSFET упаковывается в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку, помещенную в картонную коробку в картонные коробки.
Q5: Каково время доставки для MOSFET из карбида кремния?
A5: Время доставки для КАРБИДОВОГО КАРБИДА MOSFET составляет 2-30 дней, в зависимости от общего количества.
Бирки:

Практический автомобильный Сик Мосфет

N Тип Си Си Мосфета

Автомобильный карбид кремния MOSFET