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Stabil Konverter Siliziumkarbid Transistor, UPS Stromversorgung SiC FETs
| Herkunftsort | Guangdong, KN |
|---|---|
| Markenname | REASUNOS |
| Min Bestellmenge | 600 |
| Preis | Confirm price based on product |
| Verpackung Informationen | Staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Kartons in einer Kartonbox. |
| Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
| Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |
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xProduktdetails
| Macht | Hohe Leistung | Widerstand | Geringer Widerstand |
|---|---|---|---|
| Anwendung | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, | Einheitentyp | MOSFET |
| Produktbezeichnung | Siliziumkarbid-MOSFET | Effizienz | Hohe Leistungsfähigkeit |
| Vorteile | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu | Häufigkeit | Hochfrequenz |
| Hervorheben | Stabiler Transistor aus Siliziumkarbid,Transistor aus Siliziumkarbid,UPS-Stromversorgung SiC-FETs |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
| 2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
| 3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
| 4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
| 5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
| 7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
| 8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
| 9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
| 10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
| 11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
| 12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
| 13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
| 14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
| 15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
| 16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
| 17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
| 18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Produkt-Beschreibung
Metalloxid Halbleiterfeldwirkungstransistor für UPS-Stromversorgung
Beschreibung des Produkts:
Produktübersicht von Siliziumkarbid-MOSFET
Der Silicon Carbide (SiC) Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) ist eine Art N-Kanal-Gerät mit einem Silicon Carbide-Material.Dieses Gerät ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert und bietet eine hervorragende Schaltleistung. The Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) is an advanced power device that combines the high performance of Silicon Carbide technology with the low resistance of a Metal-Oxide-Semiconductor structureEs ist ideal für Anwendungen geeignet, bei denen ein hoher Frequenzwechsel und ein geringer Einschaltwiderstand erforderlich sind.
Das Siliziumkarbid-MOSFET bietet eine überlegene Schaltleistung mit geringen Leitverlusten und geringer Torladung.GleichspannungsumrichterEs verfügt über eine hervorragende Temperaturstabilität und bietet eine überlegene Leistungsfähigkeit.Das Siliziumkarbid-MOSFET ist ein zuverlässiges und robustes Gerät, das für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet ist.
Technische Parameter:
| Produktbezeichnung | MOSFET aus Siliziumkarbid |
|---|---|
| Gerätetypen | MOSFET |
| Macht | Hohe Macht |
| Typ | N |
| Widerstand | Niedriger Widerstand |
| Material | Siliziumkarbid |
| Vorteile | Auf der Grundlage der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig. |
| Häufigkeit | Hochfrequenz |
| Effizienz | Hohe Effizienz |
| Anwendung | Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw. |
| Schlüsselwörter | SiC-Metall-Oxid-Halbleiter, SiC-Feldwirkungstransistor, MOSFET auf Basis von Siliziumkarbid |
Anwendungen:
Reasunos Silicon Carbide MOSFET ist ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET), der hohe Leistung, geringen Widerstand und hohe Effizienz bietet.Es basiert auf der nationalen militärischen Produktionslinie.Dieses Produkt stammt aus Guangdong, China, mit einer Mindestbestellmenge von 600 Einheiten.Der Preis des Erzeugnisses muss auf der Grundlage der Gesamtmenge bestätigt werden.. Die Verpackung ist staub-, wasser- und antistatische Rohrverpackung, die in eine Kartonbox in Kartons gelegt wird. Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW)- Die Versorgungsfähigkeit beträgt 5KK/Monat.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Silicon Carbide MOSFET bietet Unterstützung und Dienstleistungen, um sicherzustellen, dass Kunden die höchste Qualität der Produktleistung erfahren.
Technische Unterstützung und Dienstleistungen für Silicon Carbide MOSFET umfassen:
- Unterstützung und Orientierung bei der Konstruktion
- Anwendung und technische Unterstützung
- Produktprüfung und -validierung
- 24/7 Online-Kundenservice
- Instandhaltung und Reparatur vor Ort
- Software- und Firmware-Updates
- Expertenberatung und Problemlösung
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Siliziumkarbid-MOSFET:
- Das Arzneimittel sollte in einem statischen Abschirmbeutel verpackt werden, um vor elektrostatischer Entladung zu schützen.
- Es sollte in einer trockenen und sauberen Umgebung aufbewahrt werden.
- Es sollte in einem Karton oder Behälter mit geeignetem Polstermaterial versendet werden, um es vor Beschädigungen zu schützen.
Häufige Fragen:
F1: Was ist Siliziumkarbid-MOSFET?
A1: Silicon Carbide MOSFET ist ein Leistungshalbleitergerät aus Silicon Carbide. Es wird in vielen Anwendungen wie Motorsteuerung, Wechselrichter, Konverter und Stromversorgungssysteme verwendet.
F2: Wie heißt der Markenname von Siliziumkarbid-MOSFET?
A2: Der Markenname von Siliziumkarbid-MOSFET ist REASUNOS.
F3: Wo liegt der Ursprungsort von Siliziumkarbid-MOSFET?
A3: Der Ursprungsort von Siliziumkarbid-MOSFET ist Guangdong, China.
F4: Wie hoch ist die Mindestbestellmenge für Siliziumkarbid-MOSFET?
A4: Die Mindestbestellmenge für Siliziumkarbid-MOSFET beträgt 600 Stück.
F5: Was sind die Verpackungsdetails für Siliziumkarbid-MOSFET?
A5: Die Verpackungsdetails für Siliziumkarbid-MOSFET ist eine staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, die in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt wird.
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