Все продукты
Устойчивый конвертер Силиконовый карбид транзистор, UPS питание SiC FETs
| Место происхождения | Гуандун, CN |
|---|---|
| Фирменное наименование | REASUNOS |
| Количество мин заказа | 600 |
| Цена | Confirm price based on product |
| Упаковывая детали | Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка |
| Время доставки | 2-30 дней (зависит от общего количества) |
| Условия оплаты | 100% T/T заранее ((EXW) |
| Поставка способности | 5кк/месяц |
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Сила | Наивысшая мощность | Сопротивление | Низкое сопротивление |
|---|---|---|---|
| Применение | Солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока в постоянный, драйвер двигателя, | Тип прибора | MOSFET |
| Наименование продукта | МОП-транзистор из карбида кремния | эффективность | Высокая эффективность |
| Преимущества | Основанный на производственной линии национального военного стандарта, процесс стабилен, а качество | Частота | Высокочастотный |
| Выделить | Стабильный транзистор из карбида кремния,Транзистор из карбида кремния,Силовой подач UPS SiC FET |
||
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
| 2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
| 3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
| 4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
| 5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
| 7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
| 8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
| 9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
| 10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
| 11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
| 12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
| 13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
| 14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
| 15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
| 16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
| 17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
| 18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Характер продукции
Транзистор с эффектом поля полупроводникового оксида металла для питания ВПС
Описание продукта:
Обзор продукта КАРБИДОГРУБНОГО МОСФЕТА
Транзистор с полевым эффектом металлического оксида полупроводника (MOSFET) - это тип N-канального устройства с материалом карбида кремния.Это устройство предназначено для высокочастотных приложений и предлагает отличную производительность переключения. The Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) is an advanced power device that combines the high performance of Silicon Carbide technology with the low resistance of a Metal-Oxide-Semiconductor structureОн идеально подходит для приложений, где требуется переключение высокой частоты и низкое сопротивление.
Силиконовый карбидный MOSFET обеспечивает превосходную производительность переключения с низкими потерями проводимости и низким зарядом ворот.Инверторы постоянного токаОн обладает отличной температурной стабильностью и предлагает превосходные возможности обработки тока.Силиконовый карбид MOSFET является надежным и прочным устройством, подходящим для широкого спектра приложений.
Технические параметры:
| Наименование продукта | Силиконокарбидный МОСФЕТ |
|---|---|
| Тип устройства | MOSFET |
| Сила | Высокая власть |
| Тип | N |
| Сопротивление | Низкое сопротивление |
| Материал | Силиконовый карбид |
| Преимущества | Основываясь на национальной военной производственной линии, процесс стабилен, а качество надежно. |
| Частота | Высокая частота |
| Эффективность | Высокая эффективность |
| Применение | Солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока/ постоянного тока, драйвер мотора, питание UPS, переключающее питание, зарядные установки и т.д. |
| Ключевые слова | SiC металлический оксид-полупроводник, SiC транзистор с эффектом поля, MOSFET на основе карбида кремния |
Применение:
Reasunos Silicon Carbide MOSFET - это транзистор с полевым эффектом металлического оксида-полупроводника (MOSFET), который предлагает высокую мощность, низкое сопротивление и высокую эффективность.Он основан на национальной военной производственной линии.Этот продукт поставляется из Гуандун, Китай, с минимальным количеством заказов 600 единиц.Цена продукта подлежит подтверждению на основе общего количестваОпаковка пылестойкая, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в картонные коробки.Условия оплаты 100% T/T заранее (EXW)Возможности поставки составляют 5 кк/месяц.
Поддержка и услуги:
Silicon Carbide MOSFET предоставляет поддержку и услуги для обеспечения того, чтобы клиенты испытывали высочайшее качество производительности продукции.
Техническая поддержка и услуги для MOSFET из карбида кремния включают:
- Поддержка и руководство по проектированию
- Приложение и техническая поддержка
- Испытания и валидация продукции
- 24/7 онлайн обслуживание клиентов
- Техническое обслуживание и ремонт на месте
- Обновления программного обеспечения и прошивки
- Консультация экспертов и устранение неполадок
Упаковка и перевозка:
Силиконовый карбид MOSFET упаковка и перевозка:
- Продукт должен быть упакован в мешок с статической защитой для защиты от электростатического разряда.
- Он должен храниться в сухой и чистой среде.
- Он должен быть отправлен в коробке или контейнере с соответствующим амортизационным материалом, чтобы защитить его от повреждения.
Часто задаваемые вопросы
Вопрос 1: Что такое КАРБИД КРЕМЕННЫЙ?
A1: Силиконовый карбид MOSFET - это устройство полупроводников питания, изготовленное из карбида кремния.
Вопрос 2: Каково торговое название КАРБИДОГО КРЕМЕНТА?
A2: Торговая марка КАРБИДОГРУБНОГО МОСФЕТА - REASUNOS.
Q3: Где находится место происхождения КАРБИДОВОГО КРЕМЕННОГО МОСФЕТА?
A3: Место происхождения КАРБИДОВОГО КРЕДНОГО МОСФЕТА - Гуандун, Китай.
Вопрос 4: Каково минимальное количество заказов для КАРБИДОВОГО КАРБИДОВОГО МОСФЕТА?
A4: Минимальное количество заказов для КАРБИДОВОГО МОСФЕТА составляет 600 штук.
Q5: Какова детальная упаковка для КАРБИДОВОГО КАРБИДОВОГО МОСФЕТА?
A5: Подробности упаковки для КАРБИДОВОГО КАРБИДА MOSFET является пылестойкой, водонепроницаемой и антистатической трубчатой упаковкой, помещенной внутри картонной коробки в картонные коробки.
Порекомендованные продукты
