Transistor de carburo de silicio con convertidor estable, fuente de alimentación UPS SiC FETs
Lugar de origen | Guangdong, NC |
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Nombre de la marca | REASUNOS |
Cantidad de orden mínima | 600 |
Precio | Confirm price based on product |
Detalles de empaquetado | Embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antistatico, colocado dentro de una caja de c |
Tiempo de entrega | 2-30 días (depende de la cantidad total) |
Condiciones de pago | 100% T/T por adelantado (EXW) |
Capacidad de la fuente | 5KK/mes |

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xEl poder | Poder más elevado | Resistencia | Baja resistencia |
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Aplicación | Inversor solar, convertidor CC/CC de alto voltaje, controlador de motor, fuente de alimentación UPS, | Tipo de dispositivo | MOSFET |
Nombre del producto | MOSFET de carburo de silicio | eficiencia | Eficacia alta |
Ventajas | Basado en la línea de producción de normas militares nacionales, el proceso es estable y la calidad | Frecuencia | De alta frecuencia |
Resaltar | Transistor de carburo de silicio estable,Transistores de carburo de silicio,FET de suministro de energía de la UPS |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Transistor de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico para fuente de alimentación UPS
Descripción del producto:
El Transistor de Efecto de Campo de Metal-óxido-semiconductor de Carburo de Silicio (SiC) (MOSFET) es un tipo de dispositivo de canal N con un material de Carburo de Silicio.Este dispositivo está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia y ofrece un excelente rendimiento de conmutación. The Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) is an advanced power device that combines the high performance of Silicon Carbide technology with the low resistance of a Metal-Oxide-Semiconductor structureEs ideal para aplicaciones en las que se requieren conmutaciones de alta frecuencia y baja resistencia de encendido.
El MOSFET de carburo de silicio proporciona un rendimiento de conmutación superior con bajas pérdidas de conducción y baja carga de la puerta.Inversores de corriente continuaTiene una excelente estabilidad a temperatura y ofrece capacidades superiores de manejo de corriente.El MOSFET de carburo de silicio es un dispositivo fiable y robusto adecuado para una amplia gama de aplicaciones.
Parámetros técnicos:
Nombre del producto | MOSFET de carburo de silicio |
---|---|
Tipo de dispositivo | MOSFET |
El poder | El poder |
El tipo | No |
Resistencia | Baja resistencia |
El material | Carburo de silicio |
Ventajas | Basado en la línea de producción estándar militar nacional, el proceso es estable y la calidad es confiable. |
Frecuencia | Frecuencia alta |
Eficiencia | Alta eficiencia |
Aplicación | Inversor solar, convertidor de alta tensión de CC/CC, controlador de motor, fuente de alimentación UPS, fuente de alimentación de conmutación, pila de carga, etc. |
Palabras clave | SiC metal-óxido-semiconductor, SiC transistor de efecto de campo, MOSFET basado en el carburo de silicio |
Aplicaciones:
Reasunos Silicon Carbide MOSFET es un transistor de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor (MOSFET) que ofrece alta potencia, baja resistencia y alta eficiencia.Se basa en la línea de producción militar nacional estándarEste producto proviene de Guangdong, China, con una cantidad mínima de pedido de 600 unidades.El precio del producto está sujeto a confirmación basada en la cantidad total. El embalaje es un embalaje tubular a prueba de polvo, impermeable y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cartones. El tiempo de entrega es de 2 a 30 días, dependiendo de la cantidad total.Las condiciones de pago son 100% T/T por adelantado (EXW)La capacidad de suministro es de 5KK/mes.
Apoyo y servicios:
Silicon Carbide MOSFET proporciona soporte y servicios para garantizar que los clientes experimenten la más alta calidad de rendimiento del producto.
El apoyo técnico y los servicios para el MOSFET de carburo de silicio incluyen:
- Apoyo y orientación en el diseño
- Aplicación y apoyo técnico
- Pruebas y validación del producto
- Servicio de atención al cliente en línea 24 horas al día
- Mantenimiento y reparación in situ
- Actualizaciones de software y firmware
- Consulta de expertos y solución de problemas
Embalaje y envío:
Embalaje y envío del MOSFET de carburo de silicio:
- El producto debe estar envasado en una bolsa de protección estática para protegerse contra descargas electrostáticas.
- Debe almacenarse en un ambiente seco y limpio.
- Debe enviarse en una caja o contenedor con el material de amortiguación adecuado para protegerlo de daños.
Preguntas frecuentes:
A1: El MOSFET de carburo de silicio es un dispositivo semiconductor de potencia hecho de carburo de silicio. Se utiliza en muchas aplicaciones, como sistemas de control de motores, inversores, convertidores y de suministro de energía.
R2: El nombre de marca del MOSFET de carburo de silicio es REASUNOS.
R3: El lugar de origen del MOSFET de carburo de silicio es Guangdong, China.
R4: La cantidad mínima de pedido para el MOSFET de carburo de silicio es de 600 piezas.
R5: Los detalles del embalaje del MOSFET de carburo de silicio es un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antistatico, colocado dentro de una caja de cartón en cartones.