Chuyển đổi ổn định Silicon Carbide Transistor, nguồn cung cấp điện UPS SiC FETs
Nguồn gốc | Quảng Đông, CN |
---|---|
Hàng hiệu | REASUNOS |
Số lượng đặt hàng tối thiểu | 600 |
Giá bán | Confirm price based on product |
chi tiết đóng gói | Bao bì dạng ống chống bụi, chống thấm nước và chống tĩnh điện, được đặt bên trong hộp bìa cứng dạng |
Thời gian giao hàng | 2-30 ngày (Phụ thuộc vào Tổng số lượng) |
Điều khoản thanh toán | Trả trước 100% T / T (EXW) |
Khả năng cung cấp | 5KK/tháng |

Liên hệ với tôi để lấy mẫu miễn phí và phiếu giảm giá.
WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Ứng dụng trò chuyện: sales10@aixton.com
Nếu bạn có bất kỳ mối quan tâm nào, chúng tôi cung cấp trợ giúp trực tuyến 24 giờ.
xSức mạnh | Năng lượng cao | Sức chống cự | Mức kháng cự thấp |
---|---|---|---|
Ứng dụng | Biến tần năng lượng mặt trời, Bộ chuyển đổi DC/DC điện áp cao, Trình điều khiển động cơ, Bộ nguồn UP | Loại thiết bị | MOSFET |
Tên sản phẩm | MOSFET silicon cacbua | hiệu quả | Hiệu quả cao |
Thuận lợi | Dựa trên dây chuyền sản xuất tiêu chuẩn quân sự quốc gia, quy trình ổn định và chất lượng đáng tin c | Tính thường xuyên | Tân sô cao |
Làm nổi bật | Tranzistor Silicon Carbide ổn định,Chuyển đổi Silicon Carbide Transistor,Cung cấp điện UPS SiC FET |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Transistor hiệu ứng trường bán dẫn kim loại oxit cho nguồn cung cấp điện UPS
Mô tả sản phẩm:
Silicon Carbide (SiC) Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) là một loại thiết bị kênh N với vật liệu Silicon Carbide.Thiết bị này được thiết kế cho các ứng dụng tần số cao và cung cấp hiệu suất chuyển đổi tuyệt vời. The Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) is an advanced power device that combines the high performance of Silicon Carbide technology with the low resistance of a Metal-Oxide-Semiconductor structureNó là lý tưởng cho các ứng dụng nơi chuyển tần cao và kháng cự thấp là cần thiết.
Silicon Carbide MOSFET cung cấp hiệu suất chuyển mạch vượt trội với tổn thất dẫn điện thấp và sạc cổng thấp. Nó lý tưởng cho các ứng dụng tần số cao như bộ chuyển đổi DC-DC,Máy biến đổi DC-ACNó có sự ổn định nhiệt độ tuyệt vời và cung cấp khả năng xử lý dòng điện vượt trội.Silicon Carbide MOSFET là một thiết bị đáng tin cậy và mạnh mẽ phù hợp với một loạt các ứng dụng.
Các thông số kỹ thuật:
Tên sản phẩm | Silicon Carbide MOSFET |
---|---|
Loại thiết bị | MOSFET |
Sức mạnh | Quyền lực cao |
Loại | N |
Kháng chiến | Không có nhiều người chống lại |
Vật liệu | Silicon Carbide |
Ưu điểm | Dựa trên dây chuyền sản xuất tiêu chuẩn quân sự quốc gia, quy trình ổn định và chất lượng đáng tin cậy. |
Tần số | Tần số cao |
Hiệu quả | Hiệu quả cao |
Ứng dụng | Inverter năng lượng mặt trời, Chuyển đổi DC / DC điện áp cao, Máy điều khiển động cơ, Cung cấp điện UPS, Cung cấp điện chuyển mạch, Đồ sạc, vv |
Từ khóa | SiC kim loại oxit bán dẫn, SiC trường hiệu ứng bán dẫn, MOSFET dựa trên Silicon Carbide |
Ứng dụng:
Reasunos Silicon Carbide MOSFET là một Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) cung cấp công suất cao, kháng cự thấp và hiệu quả cao.Nó dựa trên dòng sản xuất tiêu chuẩn quân sự quốc giaSản phẩm này đến từ Quảng Đông, Trung Quốc, với số lượng đặt hàng tối thiểu là 600 đơn vị.Giá của sản phẩm phải được xác nhận dựa trên tổng số lượng. Bao bì là bao bì ống chống bụi, chống nước và chống tĩnh, được đặt bên trong một hộp bìa trong hộp hộp. Thời gian giao hàng là 2-30 ngày, tùy thuộc vào tổng số lượng.Các điều khoản thanh toán là 100% T / T trước (EXW)Khả năng cung cấp là 5KK/tháng.
Hỗ trợ và Dịch vụ:
Silicon Carbide MOSFET cung cấp hỗ trợ và dịch vụ để đảm bảo khách hàng trải nghiệm chất lượng cao nhất của hiệu suất sản phẩm.
Hỗ trợ kỹ thuật và dịch vụ cho Silicon Carbide MOSFET bao gồm:
- Hỗ trợ và hướng dẫn thiết kế
- Ứng dụng và hỗ trợ kỹ thuật
- Kiểm tra và xác nhận sản phẩm
- Dịch vụ khách hàng trực tuyến 24/7
- Bảo trì và sửa chữa tại chỗ
- Bản cập nhật phần mềm và phần mềm máy
- Tư vấn chuyên gia và giải quyết sự cố
Bao bì và vận chuyển:
Bao bì và vận chuyển silicon carbide MOSFET:
- Sản phẩm nên được đóng gói trong một túi bảo vệ tĩnh để bảo vệ chống phát điện tĩnh.
- Nó nên được lưu trữ trong môi trường khô và sạch.
- Nó nên được vận chuyển trong một hộp hoặc thùng chứa với vật liệu đệm thích hợp để bảo vệ nó khỏi bị hư hại.
FAQ:
A1: Silicon Carbide MOSFET là một thiết bị bán dẫn điện làm bằng Silicon Carbide. Nó được sử dụng trong nhiều ứng dụng, chẳng hạn như hệ thống điều khiển động cơ, biến tần, chuyển đổi và nguồn cung cấp điện.
A2: Tên thương hiệu của Silicon Carbide MOSFET là REASUNOS.
A3: Nơi xuất xứ của Silicon Carbide MOSFET là Quảng Đông, Trung Quốc.
A4: Số lượng đặt hàng tối thiểu cho Silicon Carbide MOSFET là 600 miếng.
A5: Chi tiết bao bì cho Silicon Carbide MOSFET là bao bì ống chống bụi, chống nước và chống tĩnh, được đặt bên trong một hộp bìa trong hộp hộp.