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Stabile 20V a bassa potenza canale P Mosfet, Trasistor pratico a bassa tensione ad alta corrente

  • Stable 20V Low Power P Channel Mosfet , Practical Low Voltage High Current Transistor
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
efficienza Alta efficienza e affidabilità Consumo di energia Perdita di potere basso
Applicazione trattata di SGT Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r Processo di struttura Trincea/SGT
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz Funzionalità EAS Elevata capacità EAS
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione.
Evidenziare

Mosfet di canale P stabile a bassa potenza

,

Mosfet di canale P a bassa potenza 20V

,

Trasistor pratico ad alta corrente a bassa tensione
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

Descrizione del prodotto:

Introduzione del MOSFET a bassa tensione di SGT, una ottimizzazione FOM rivoluzionaria che copre più applicazioni.Questo mosfet a bassa tensione di cancello offre una bassa perdita di potenza e una bassa tensione di soglia che consente di essere utilizzato in vari driver di motori, stazione base 5G, stoccaggio di energia, interruttore ad alta frequenza, rettificazione sincrona, ricarica wireless, ricarica rapida, applicazioni di convertitore DC/DC.questo MOSFET a bassa tensione SGT garantisce che il consumo di energia rimanga bassoQuesto prodotto è la scelta perfetta per prestazioni ottimali in queste applicazioni.

 

Parametri tecnici:

Attributo Descrizione
Processo di struttura Fossa/SGT
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona.
Vantaggi del processo SGT Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Consumo di energia Basse perdite di potenza
Applicazione del processo SGT Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
Vantaggi del processo di trincea RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
Resistenza Basso Rds ((ON)
MOSFET a bassa tensione di soglia MOSFET a bassa tensione di soglia
Transistor a bassa tensione Transistor a bassa tensione
MOSFET a bassa tensione MOSFET a bassa tensione
 

Applicazioni:

Il transistor ad effetto campo a bassa tensione di REASUNOS (Low Voltage MOSFET) è la soluzione perfetta per una vasta gamma di applicazioni, dal driver motore, alla stazione base 5G, allo stoccaggio di energia, allo switch ad alta frequenza,Rettifica sincrona e altro. Originario del Guangdong, in Cina, il MOSFET a bassa tensione è offerto ad un prezzo che può essere confermato in base al prodotto.e imballaggi tubulari antistatici, collocati all'interno di una scatola di cartone in cartoni. Il tempo di consegna è generalmente di 2-30 giorni, a seconda della quantità totale.Il MOSFET a bassa tensione è dotato di un processo Trench/SGT che offre una ottimizzazione FOM rivoluzionaria, coprendo un maggior numero di applicazioni.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizi di MOSFET a bassa tensione

Siamo impegnati a fornire il supporto tecnico e i servizi di massima qualità per i nostri prodotti MOSFET a bassa tensione.Il nostro team di ingegneri e tecnici esperti è disponibile per rispondere alle vostre domande e aiutarvi a trovare le migliori soluzioni per le vostre applicazioni.

Offriamo una vasta gamma di servizi, tra cui:

  • Documentazione completa del prodotto
  • Supporto tecnico online
  • Formazione tecnica in loco
  • Progettazione e sviluppo di applicazioni di prodotto
  • Servizi di risoluzione e riparazione di problemi

Il nostro obiettivo è quello di fornirvi il miglior supporto possibile per i vostri prodotti MOSFET a bassa tensione.

 

Imballaggio e trasporto:

I MOSFET a bassa tensione vengono spediti in imballaggi statici per garantire la loro qualità e prestazioni.L'imballaggio deve includere sacchetti antistatici o altri materiali antistatici per evitare che l'elettricità statica danneggi i MOSFETInoltre, l'imballaggio deve essere progettato per proteggere le parti dall'umidità e da qualsiasi altro danno ambientale.Tutti gli imballaggi devono essere chiaramente etichettati e includere istruzioni dettagliate su come conservare e maneggiare correttamente i MOSFET.

 

FAQ:

  • D:Qual è il marchio del MOSFET a bassa tensione?
    A:Il marchio del MOSFET a bassa tensione è REASUNOS.
  • D:Qual è il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione?
    A:Il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione è Guangdong, CN.
  • D:Quanto costa il MOSFET a bassa tensione?
    A:Il prezzo del MOSFET a bassa tensione è confermato in base al prodotto.
  • D:Che tipo di imballaggio viene utilizzato per il MOSFET a bassa tensione?
    A:Il MOSFET a bassa tensione è confezionato con un imballaggio tubulare antistatico, impermeabile e antirughe, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.
  • D:Quanto tempo ci vuole per consegnare il MOSFET a bassa tensione?
    A:Il tempo di consegna del MOSFET a bassa tensione è di 2-30 giorni, a seconda della quantità totale.
  • D:Quali condizioni di pagamento sono disponibili per il MOSFET a bassa tensione?
    A:Le condizioni di pagamento per il MOSFET a bassa tensione sono del 100% T/T in anticipo (EXW).
  • D:Quanti MOSFET a bassa tensione possono essere forniti al mese?
    A:La capacità di approvvigionamento per il MOSFET a bassa tensione è di 5KK/mese.
Etichette:

N canale Mosfet bassa tensione di soglia

Mosfet di canale P stabile a bassa potenza

MOSFET a bassa tensione della stazione base