جميع المنتجات
اتصل شخص : Anita Yin
رقم الهاتف : +86 13712219843
ال WhatsApp : +8613712219843

مستقر 20 فولت طاقة منخفضة قناة P Mosfet ، عملية منخفضة الجهد ترانزستور التيار العالي

  • Stable 20V Low Power P Channel Mosfet , Practical Low Voltage High Current Transistor
مكان المنشأ قوانغدونغ ، CN
اسم العلامة التجارية REASUNOS
الأسعار Confirm price based on product
تفاصيل التغليف عبوات أنبوبية مقاومة للغبار والماء ومضادة للكهرباء الساكنة، موضوعة داخل صندوق من الورق المقوى في علب
وقت التسليم 2-30 يومًا (يعتمد على الكمية الإجمالية)
شروط الدفع 100% T/T مقدمًا (EXW)
القدرة على العرض 5 مليون/شهر

اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.

ال WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

سكايب: sales10@aixton.com

إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.

x
تفاصيل المنتج
الكفاءة كفاءة عالية وموثوقة استهلاك الطاقة فقدان منخفض للطاقة
تطبيق عملية SGT محرك المحرك، محطة قاعدة 5G، تخزين الطاقة، مفتاح عالي التردد، تصحيح متزامن. عملية الهيكلة خندق / الرقيب
تطبيق عملية الخندق الشحن اللاسلكي، الشحن السريع، محرك المحرك، محول DC/DC، مفتاح عالي التردد، تصحيح متزامن. قدرة شرق آسيا قدرة EAS عالية
اسم المنتج موسفيت الجهد المنخفض مزايا عملية SGT اختراق FOM الأمثل، ويغطي المزيد من التطبيقات.
إبراز

مستقر منخفضة الطاقة قناة P Mosfet,20 فولت منخفضة الطاقة قناة P Mosfet,الترانزستور العملي ذو الجهد المنخفض والتيار العالي

,

20V Low Power P Channel Mosfet

,

Practical Low Voltage High Current Transistor
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
اترك رسالة
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
منتوج وصف

وصف المنتج:

إدخال MOSFET من SGT ، وهو تحسين FOM رائد يغطي المزيد من التطبيقات.يقدم هذا mosfet الجهد المنخفض البوابة انخفاض خسارة الطاقة والجهد الحد الأدنى الذي يسمح له باستخدامها في مختلف سائق المحرك، محطة قاعدة 5G، تخزين الطاقة، مفتاح التردد العالي، تصحيح متزامن، الشحن اللاسلكي، الشحن السريع، تطبيقات محول DC / DC. مع تكنولوجيا عملية الخندق،هذا MOSFET SGT منخفضة الجهد يضمن أن استهلاك الطاقة يبقى منخفضةهذا المنتج هو الخيار المثالي لأداء مثالي في هذه التطبيقات.

 

المعلمات التقنية:

الصفة الوصف
عملية الهيكل الخندق/SGT
تطبيق عملية الخندق الشحن اللاسلكي، الشحن السريع، سائق المحرك، محول DC / DC، مفتاح التردد العالي، تصحيح متزامن.
مزايا عملية SGT اختراق في تحسين FOM، تغطي المزيد من التطبيقات.
اسم المنتج MOSFET منخفضة الجهد
استهلاك الطاقة خسارة طاقة منخفضة
تطبيق عملية SGT سائق المحرك، محطة قاعدة 5G، تخزين الطاقة، مفتاح التردد العالي، تصحيح متزامن.
قدرة EAS قدرة عالية على EAS
مزايا عملية الخندق RSP أصغر ، يمكن الجمع بين كل من التكوينات المتسلسلة والموازية واستخدامها بحرية.
الكفاءة كفاءة عالية وموثوقية
المقاومة Rds ((ON)) منخفضة
MOSFET الجهد المنخفض MOSFET الجهد المنخفض
ترانزستورات الجهد المنخفض ترانزستورات الجهد المنخفض
MOSFET ذو الجهد المنخفض MOSFET ذو الجهد المنخفض
 

التطبيقات:

ترانزستور تأثير المجال منخفض الجهد (MOSFET منخفض الجهد) هو الحل المثالي لمجموعة واسعة من التطبيقات، من سائق المحرك، محطة قاعدة 5G، تخزين الطاقة،تصحيح متزامن وأكثر من ذلكمن أصل من قوانغدونغ، الصين، يتم تقديم MOSFET الجهد المنخفض بسعر يمكن تأكيدها بناء على المنتج.وتغليفات أنبوبية مضادة للستاتيكية، وضعت داخل صندوق من الورق المقوى في الكرتون. وقت التسليم هو عموما 2-30 يوما، اعتمادا على الكمية الكلية. شروط الدفع هي 100٪ T / T مقدما ((EXW) ، وقدرة التوريد من 5KK / الشهر.تحتوي MOSFET منخفضة الجهد على عملية Trench / SGT التي توفر اختراقًا في تحسين FOM، تغطي المزيد من التطبيقات. كما لديها قدرة عالية EAS وكفاءة عالية وموثوقية.

 

الدعم والخدمات:

الدعم التقني وخدمات MOSFET منخفضة الجهد

نحن ملتزمون بتوفير أعلى مستوى من الدعم التقني والخدمات لمنتجات MOSFET منخفضة الجهد.فريقنا من المهندسين والفنيين ذوي الخبرة متاح للإجابة على أسئلتك ومساعدتك في العثور على أفضل الحلول لتطبيقاتك.

نحن نقدم مجموعة واسعة من الخدمات، بما في ذلك:

  • وثائق منتج شاملة
  • الدعم التقني عبر الإنترنت
  • التدريب التقني في الموقع
  • تصميم وتطوير تطبيقات المنتج
  • خدمات استكشاف الأخطاء وإصلاحها

هدفنا هو تزويدك بأفضل دعم ممكن لمنتجات MOSFET منخفضة الجهد. إذا كان لديك أي أسئلة أو تحتاج إلى مساعدة، يرجى عدم التردد في الاتصال بنا.

 

التعبئة والشحن:

يتم شحن MOSFETs منخفضة الجهد في عبوات خالية من الوضع الثابت لضمان جودتها وأدائها.يجب أن تتضمن العبوة أكياس مضادة للستاتيك أو مواد مضادة للستاتيك الأخرى لمنع أي كهرباء ثابتة من تدمير MOSFETsبالإضافة إلى ذلك، يجب تصميم العبوة لحماية الأجزاء من الرطوبة وأي ضرر بيئي آخر.يجب أن تكون جميع العبوات ملصقة بوضوح وتتضمن تعليمات مفصلة حول كيفية تخزين الموسفيت والتعامل معها بشكل صحيح.

 

الأسئلة الشائعة:

  • س:ما هو اسم العلامة التجارية للجهد المنخفض MOSFET؟
    أ:اسم العلامة التجارية للجهد المنخفض MOSFET هو REASUNOS.
  • س:أين هو مكان المنشأ لـ MOSFET منخفض الجهد؟
    أ:مكان المنشأ لموسفيت الجهد المنخفض هو غوانغدونغ، CN.
  • س:كم تكلفة الـ MOSFET منخفضة الجهد؟
    أ:يتم تأكيد سعر MOSFET منخفض الجهد بناءً على المنتج.
  • س:أي نوع من العبوات تستخدم لـ MOSFET منخفض الجهد؟
    أ:يتم تعبئة MOSFET منخفضة الجهد مع تغليف أنبوبي مضاد للغبار والماء ومضاد للثبات، ووضع داخل صندوق من الورق المقوى في الكرتون.
  • س:كم من الوقت يستغرق تسليم MOSFET منخفضة الجهد؟
    أ:وقت التسليم لـ Low Voltage MOSFET هو 2-30 يومًا ، اعتمادًا على الكمية الإجمالية.
  • س:ما هي شروط الدفع المتاحة لـ MOSFET منخفضة الجهد؟
    أ:شروط الدفع لـ MOSFET منخفضة الجهد هي 100% T / T مقدماً (EXW).
  • س:كم عدد MOSFET منخفضة الجهد يمكن توفيره شهرياً؟
    أ:قدرة التوريد لـ MOSFET منخفضة الجهد هي 5KK / الشهر.
بطاقة:

N القناة Mosfet الجهد الحد الأدنى,مستقر منخفضة الطاقة قناة P Mosfet,محطة قاعدة MOSFET منخفضة الجهد

مستقر منخفضة الطاقة قناة P Mosfet,20 فولت منخفضة الطاقة قناة P Mosfet,الترانزستور العملي ذو الجهد المنخفض والتيار العالي

Base Station Low Voltage MOSFET