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安定した20V低電源Pチャネルモスフェット 低電圧高電流トランジスタ

  • Stable 20V Low Power P Channel Mosfet , Practical Low Voltage High Current Transistor
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
効率性 高効率と信頼性 電力消費量 低い電力の損失
SGTのプロセス適用 モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。 構造プロセス トレンチ/SGT
トレンチプロセスの適用 ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 EAS機能 高い EAS 機能
製品名 低電圧MOSFET SGTのプロセス利点 より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。
ハイライト

安定低電源Pチャネルモスフェット

,

20V低電源Pチャネルモスフェット

,

実用的な低電圧高電流トランジスタ
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
製品の説明

製品説明:

SGTからLow Voltage MOSFETを導入し,より多くのアプリケーションをカバーする革新的なFOM最適化です.この低ゲート電圧モスフェットは,様々なモータードライバーで使用することを可能にする低電力損失と低しきい電圧を提供しています5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチ,同期直線,無線充電,高速充電,DC/DCコンバーターこのSGT低電圧MOSFETは,電力消費量が低くなることを保証します.この製品は,これらのアプリケーションで最適なパフォーマンスのための完璧な選択です.

 

技術パラメータ:

属性 記述
構造プロセス トレンチ/SGT
トレンチプロセスの応用 ワイヤレス充電 急速充電 モータードライバー DC/DC変換 高周波スイッチ シンクロノス修正
SGT プロセスの利点 突破的なFOM最適化により多くのアプリケーションをカバーします
製品名 低電圧MOSFET
電力消費量 低電力損失
SGTプロセスの適用 モータードライバー,5Gベースステーション エネルギー貯蔵 高周波スイッチ 同期修正
EAS 能力 高いEAS能力
トレンチ プロセス の 利点 小型のRSPでは,連続型と並行型の両方が自由に組み合わせて利用できます.
効率性 高効率 で 信頼 できる
抵抗力 低Rds ((ON)
MOSFET 低スリージングル電圧 MOSFET 低スリージングル電圧
低電圧トランジスタ 低電圧トランジスタ
低ゲート電圧MOSFET 低ゲート電圧MOSFET
 

応用:

REASUNOSのLow Voltage Field Effect トランジスタ (Low Voltage MOSFET) は 自動車ドライバー,5Gベースステーション エネルギー貯蔵 高周波スイッチシンクロン直線など低電圧MOSFETは,製品によって確認できる価格で提供されています. 防塵,防水,防静的管状の包装配送時間は,総量に応じて,通常2~30日です. 支払条件は,100%T/T Advance (EXW) で,供給能力は5KK/月です.低電圧MOSFETは,突破的なFOM最適化を提供するTrench/SGTプロセスを備えていますまた,高いEAS能力,高効率,信頼性も備えています.

 

サポートとサービス

低電圧MOSFETの技術サポートとサービス

私たちは低電圧MOSFET製品に 最高品質の技術サポートとサービスを提供することに専念しています経験豊富なエンジニアと技術者のチームは,あなたの質問に答え,あなたのアプリケーションのための最良のソリューションを見つけるのに役立ちます.

私たちは幅広いサービスを提供します.

  • 総合的な製品ドキュメント
  • オンライン技術サポート
  • 現地での技術訓練
  • 製品アプリケーションの設計と開発
  • トラブルシューティングと修理サービス

低電圧 MOSFET 製品に対する最高のサポートを提供することです.質問や支援が必要な場合は,ご連絡ください.

 

梱包と輸送:

低電圧MOSFETは,品質と性能を保証するために 静止のないパッケージで出荷されます.静電がMOSFETを損傷するのを防ぐために,アンチステティック袋または他のアンチステティック材料を含める必要があります.さらに,包装は,部品を湿度やその他の環境被害から保護するように設計されるべきです.MOSFET を適切に保管し,取り扱う方法に関する詳細な指示を含む.

 

FAQ:

  • Q: その通り低電圧MOSFETのブランド名は?
    A: その通り低電圧MOSFETのブランド名は REASUNOSです
  • Q: その通り低電圧MOSFETの原産地は?
    A: その通り低電圧MOSFETの原産地は,CNの広東である.
  • Q: その通り低電圧MOSFETのコストは?
    A: その通り低電圧MOSFETの価格は製品によって確認されます
  • Q: その通り低電圧MOSFETにはどんなパッケージが使われますか?
    A: その通り低電圧MOSFETは,防塵,防水,反静的管状のパッケージで梱包され,紙箱に詰められています.
  • Q: その通り低電圧MOSFETの配達にはどれくらい時間がかかりますか?
    A: その通り低電圧MOSFETの配達時間は,総量に応じて 2~30日です.
  • Q: その通り低電圧MOSFETの支払い条件は?
    A: その通り低電圧MOSFETの支払い条件は100%T/T Advance (EXW) です
  • Q: その通り低電圧MOSFETは月数で何個供給できるのか?
    A: その通り低電圧MOSFETの供給能力は 5KK/月です
札:

Nチャネル モスフェット 低スローレッジ電圧

安定低電源Pチャネルモスフェット

ベースステーション低電圧MOSFET