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Estable 20V de baja potencia P canal Mosfet, práctico transistor de baja tensión de alta corriente

  • Stable 20V Low Power P Channel Mosfet , Practical Low Voltage High Current Transistor
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
eficiencia Alta eficiencia y confiable Consumo de energía Pérdida de la energía baja
Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re Proceso de estructura Trinchera/SGT
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue Capacidad EAS Alta capacidad EAS
Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso.
Resaltar

Mosfet de canal P de baja potencia estable

,

20V de baja potencia P canal Mosfet

,

Transistores prácticos de baja tensión de alta corriente
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

Descripción del producto:

Introducción del MOSFET de bajo voltaje de SGT, una optimización FOM innovadora que cubre más aplicaciones.Este mosfet de baja tensión de puerta ofrece baja pérdida de potencia y baja tensión de umbral que le permite ser utilizado en varios conductores de motor, estación base 5G, almacenamiento de energía, conmutador de alta frecuencia, rectificación síncrona, carga inalámbrica, carga rápida, aplicaciones de convertidor DC/DC.este MOSFET de baja tensión SGT asegura que el consumo de energía permanezca bajoEste producto es la elección perfecta para un rendimiento óptimo en estas aplicaciones.

 

Parámetros técnicos:

Atributo Descripción
Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona.
Ventajas del proceso SGT La optimización de FOM, que cubre más aplicaciones.
Nombre del producto MOSFET de baja tensión
Consumo de energía Baja pérdida de energía
Aplicación del proceso SGT El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie y configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente.
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Resistencia Bajo Rds ((ON)
MOSFET de voltaje de umbral bajo MOSFET de voltaje de umbral bajo
Transistores de baja tensión Transistores de baja tensión
MOSFET de baja tensión de puerta MOSFET de baja tensión de puerta
 

Aplicaciones:

El transistor de efecto de campo de bajo voltaje de REASUNOS (MOSFET de bajo voltaje) es la solución perfecta para una amplia gama de aplicaciones, desde controlador de motor, estación base 5G, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia,rectificación sincrónica y más. Originario de Guangdong, China, el MOSFET de bajo voltaje se ofrece a un precio que se puede confirmar en función del producto.y envases tubulares antistaticosEl tiempo de entrega es generalmente de 2 a 30 días, dependiendo de la cantidad total. Los términos de pago son 100% T / T por adelantado (EXW), y una capacidad de suministro de 5KK / mes.El MOSFET de bajo voltaje cuenta con un proceso Trench / SGT que ofrece una optimización FOM innovadoraTambién tiene una alta capacidad EAS y una alta eficiencia y fiabilidad.

 

Apoyo y servicios:

Apoyo técnico y servicios de MOSFET de baja tensión

Estamos dedicados a proporcionar el soporte técnico y servicios de la más alta calidad para nuestros productos MOSFET de bajo voltaje.Nuestro equipo de ingenieros y técnicos experimentados está disponible para responder a sus preguntas y ayudarle a encontrar las mejores soluciones para sus aplicaciones.

Ofrecemos una amplia gama de servicios, entre los que se incluyen:

  • Documentación completa del producto
  • Apoyo técnico en línea
  • Formación técnica in situ
  • Diseño y desarrollo de aplicaciones de productos
  • Servicios de reparación y solución de problemas

Nuestro objetivo es proporcionarle el mejor soporte posible para sus productos MOSFET de bajo voltaje. Si tiene alguna pregunta o necesita ayuda, no dude en ponerse en contacto con nosotros.

 

Embalaje y envío:

Los MOSFET de bajo voltaje se envían en envases libres de estática para garantizar su calidad y rendimiento.El embalaje debe incluir bolsas antiestáticas u otros materiales antiestáticos para evitar que la electricidad estática dañe los MOSFET.Además, el embalaje debe estar diseñado para proteger las piezas de la humedad y de cualquier otro daño ambiental.Todos los envases deben estar claramente etiquetados e incluir instrucciones detalladas sobre cómo almacenar y manipular adecuadamente los MOSFET.

 

Preguntas frecuentes:

  • - ¿ Qué?¿Cuál es el nombre comercial del MOSFET de Bajo Voltado?
    A: ¿Qué quieres decir?El nombre comercial del MOSFET de bajo voltaje es REASUNOS.
  • - ¿ Qué?¿Cuál es el lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje?
    A: ¿Qué quieres decir?El lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje es Guangdong, CN.
  • - ¿ Qué?¿Cuánto cuesta el MOSFET de bajo voltaje?
    A: ¿Qué quieres decir?El precio del MOSFET de bajo voltaje se confirma en función del producto.
  • - ¿ Qué?¿Qué tipo de embalaje se utiliza para el MOSFET de bajo voltaje?
    A: ¿Qué quieres decir?El MOSFET de bajo voltaje está empaquetado con embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antistatico, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.
  • - ¿ Qué?¿Cuánto tiempo lleva entregar el MOSFET de bajo voltaje?
    A: ¿Qué quieres decir?El tiempo de entrega para MOSFET de bajo voltaje es de 2 a 30 días, dependiendo de la cantidad total.
  • - ¿ Qué?¿Cuáles son las condiciones de pago disponibles para los MOSFET de baja tensión?
    A: ¿Qué quieres decir?Las condiciones de pago para el MOSFET de bajo voltaje son el 100% T/T por adelantado (EXW).
  • - ¿ Qué?¿Cuántos MOSFET de bajo voltaje se pueden suministrar mensualmente?
    A: ¿Qué quieres decir?La capacidad de suministro para MOSFET de bajo voltaje es de 5KK/mes.
Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base