รายละเอียดสินค้า

การสูญเสียพลังงานต่ํา SGT MOSFET ความดันต่ํา

คําอธิบายสินค้า:

MOSFET ความดันต่ํา เป็นชนิดของทรานซิสเตอร์ที่ใช้อย่างแพร่หลายในแอปพลิเคชั่นควบคุมพลังงาน เป็นกระบวนการแหล่ง, ทรานซิสเตอร์ความดันต่ํา, ซึ่งมีข้อดีหลายอย่าง เช่น RSP ที่เล็กกว่า,ทั้งระบบลําดับและแบบคู่เคียง สามารถนําไปรวมและใช้ได้อย่างอิสระโดยหลักแล้วใช้ในเครื่องขับรถ, สถานีฐาน 5G, การเก็บพลังงาน, สวิตช์ความถี่สูง, และการแก้ไขร่วมMOSFET ความดันต่ําเป็นที่รู้จักสําหรับการสูญเสียพลังงานต่ําและประสิทธิภาพสูงของพวกเขา, ซึ่งทําให้มันมีความน่าเชื่อถือ. นอกจากนี้การปรับปรุง FOM ของกระบวนการ SGT ที่มีความก้าวหน้าจะครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น. MOSFET ความดันต่ํายังเป็นที่รู้จักสําหรับ mosfet vgs ต่ํา,ซึ่งยังเป็นข้อดีของอุปกรณ์เหล่านี้.

ปริมาตรเทคนิค:

ปริมาตร	กระบวนการขัง	กระบวนการ SGT
กระบวนการโครงสร้าง	ช่องขัง	SGT
ความสามารถ EAS	ความสามารถ EAS ที่สูง	ความสามารถ EAS ที่สูง
ข้อดีของกระบวนการขัง	RSP ขนาดเล็กๆ สามารถรวมและใช้ได้อย่างอิสระ ทั้งแบบชุดและแบบปานกลาง	การปรับปรุง FOM ที่เจริญเจริญ ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น
ชื่อสินค้า	MOSFET ความดันต่ํา	MOSFET ความดันต่ํา
การใช้งานกระบวนการ Trench	การชาร์จไร้สาย, การชาร์จรวดเร็ว, คนขับมอเตอร์, เครื่องแปลง DC/DC, เครื่องสวิทช์ความถี่สูง, การแก้ไขแบบสมอง	มอเตอร์ไดรเวอร์ สถานีฐาน 5G การเก็บพลังงาน การสลับความถี่สูง การแก้ไขร่วมกัน
ความต้านทาน	Rdsต่ํา ((ON)	Rdsต่ํา ((ON)
ประสิทธิภาพ	มี ประสิทธิภาพ และ น่า เชื่อถือ	มี ประสิทธิภาพ และ น่า เชื่อถือ
การบริโภคพลังงาน	การสูญเสียพลังงานต่ํา	การสูญเสียพลังงานต่ํา

การใช้งาน:

REASUNOS MOSFET ความดันต่ํา: ประสิทธิภาพสูงและการสูญเสียพลังงานต่ํา

REASUNOS MOSFET ความดันต่ํา มีประสิทธิภาพสูงและสูญเสียพลังงานต่ํา ผลิตในกวนดง ประเทศจีน และราคาถูกยืนยันขึ้นอยู่กับผลิตภัณฑ์และบรรจุท่อแบบต้านสแตติก, วางไว้ในกล่องกระดาษกล่องในกล่องกระดาษ. เวลาในการจัดส่งคือ 2-30 วัน, ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด. ระยะเวลาการชําระเงินคือ 100% T / T ก่อน (EXW). ความสามารถในการจําหน่ายคือ 5KK / เดือน.MOSFET ความดันต่ํามีการปรับปรุง FOM ที่มีความก้าวหน้า, ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น, ทําให้มันสามารถใช้สําหรับการชาร์จไร้สาย, การชาร์จเร็ว, คนขับมอเตอร์, เครื่องแปลง DC / DC, สวิตช์ความถี่สูง, และการแก้ไขร่วมมันยังมีความสามารถ EAS ที่สูง.

การสนับสนุนและบริการ:

การสนับสนุนและบริการด้านเทคนิค MOSFET ความดันต่ํา

ใน, เราให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการสําหรับผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันต่ําของเรา ทีมงานสนับสนุนของเราพร้อมที่จะตอบคําถามหรือปัญหาที่คุณอาจมีเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ของเรา

การสนับสนุนทางเทคนิค

ทีมงานสนับสนุนทางเทคนิคของเราพร้อมที่จะช่วยคุณกับคําถามหรือปัญหาเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันต่ําของเรา เรายังให้คําแนะนําและการสนับสนุนในการแก้ไขปัญหาคุณสามารถติดต่อเราผ่านโทรศัพท์, อีเมล หรือเว็บไซต์ของเราเพื่อการช่วยเหลือทางเทคนิค

บริการและซ่อมแซม

หากคุณต้องการการซ่อมแซมหรือบริการสําหรับสินค้า MOSFET ความดันต่ําของเรา มีเทคนิคของเราพร้อมที่จะช่วย เรามีตัวเลือกการบริการที่หลากหลายรวมถึงการซ่อมแซม, การบํารุงรักษา, และการปรับปรุงคุณสามารถติดต่อเราเพื่อหารือทางเลือกที่ดีที่สุดสําหรับความต้องการของคุณ.

การบรรจุและการขนส่ง

การบรรจุและการจัดส่ง MOSFET ความดันต่ํา

สําหรับการส่ง MOSFET ความดันต่ํา สินค้าต้องอยู่ในถุงกันสแตตติกที่มีวัสดุปัสดุที่เพียงพอเพื่อป้องกันมันจากแรงกระแทกผลิตภัณฑ์ควรถูกบรรจุในกล่องที่ป้องกันมันจากความชื้นและอันตรายสิ่งแวดล้อมอื่น ๆกล่องควรถูกติดป้ายอย่างชัดเจนด้วยชื่อสินค้าและที่อยู่ของผู้รับ

MOSFETs ความดันต่ําควรถูกบรรจุตามกฎหมายและแนวทางของผู้ขนส่งและควรถูกส่งโดยใช้วิธีการขนส่งที่น่าเชื่อถือและปลอดภัยเอกสารการขนส่งทั้งหมดต้องเต็มให้ถูกต้องและสมบูรณ์.

FAQ:

คําถามและคําตอบ

Q1: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันต่ํานี้คืออะไร?

A1: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันต่ํานี้คือ REASUNOS

Q2: สินค้า MOSFET ความดันต่ํานี้มาจากไหน?

A2: ผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันต่ํานี้มาจากกวางดง ประเทศจีน

Q3: ราคาของสินค้า MOSFET ความดันต่ํานี้เท่าไหร่?

A3:ค่าใช้จ่ายของสินค้า MOSFET ความดันต่ํานี้ จะต้องยืนยันขึ้นอยู่กับสินค้า

Q4: สินค้า MOSFET ความดันต่ํานี้มีแพคเกจอะไร?

A4: ผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันต่ํานี้มีบรรจุในแบบท่อกันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตติก วางไว้ในกล่องกระดาษกล่อง

Q5: ใช้เวลานานแค่ไหนในการจัดส่งผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันต่ํานี้

A5: ระยะเวลาการจัดส่งของสินค้า MOSFET ความดันต่ํานี้คือ 2-30 วัน ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด

แท็ก:

สถานที่กำเนิด	กวางตุ้ง CN
ชื่อแบรนด์	REASUNOS
ราคา	Confirm price based on product
รายละเอียดการบรรจุ	บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง
เวลาการส่งมอบ	2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม)
เงื่อนไขการชำระเงิน	100% T/T ล่วงหน้า (EXW)
สามารถในการผลิต	5KK/เดือน

ประสิทธิภาพ	ประสิทธิภาพสูงและเชื่อถือได้	ชื่อสินค้า	มอสเฟตแรงดันต่ำ
ความสามารถของ EAS	ความสามารถ EAS สูง	การประยุกต์ใช้กระบวนการร่องลึก	การชาร์จแบบไร้สาย, การชาร์จอย่างรวดเร็ว, ไดรเวอร์มอเตอร์, ตัวแปลง DC/DC, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแ
ความต้านทาน	ถนนต่ำ(ON)	กระบวนการโครงสร้าง	ร่องลึก/SGT
การสมัครกระบวนการ SGT	ตัวขับมอเตอร์, สถานีฐาน 5G, การจัดเก็บพลังงาน, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแบบซิงโครนัส	การใช้พลังงาน	การสูญเสียพลังงานต่ำ
เน้น	การชาร์จเร็ว พลังงานต่ํา , พลังงานต่ํา และคงที่ , โมสเฟตขั้นต่ําหลายฟังก์ชัน

	No.	Part No.	Type	ID(A)	VDSS(V)	RDS(ON) Typ(mΩ)	RDS(ON) Max(mΩ)	Package	MOQ(pcs)
checkbox	1	RS2301E	P	-2.3	-20	70	110	SOT-23	3000
checkbox	2	RS3415E	P	-4	-20	33	50	SOT-23	3000
checkbox	3	RS2302E	N	2.1	20	32	45	SOT-23	3000
checkbox	4	RS2300E	N	4.5	20	21	32	SOT-23	3000
checkbox	5	RS2N7002E	N	0.34	60	1300	5000	SOT-23	3000
checkbox	6	RS20N90D	N	90	20	3.7	5	TO-252	2500
checkbox	7	RS3401E	P	-4.2	-30	50	65	SOT-23	3000
checkbox	8	RS4435	P	-10	-30	15	20	SOP-8	4000
checkbox	9	RS3400E	N	5.8	30	27	35	SOT-23	3000
checkbox	10	RS30N30K	N	30	30	5.8	9	DFN3*3	5000
checkbox	11	RS30N50K	N	50	30	3.8	5.5	DFN3*3	5000
checkbox	12	RS30N60D	N	60	30	6.2	7.5	TO-252	2500
checkbox	13	RS30N86D	N	86	30	4.7	5.5	TO-252	2500
checkbox	14	RS30N120G	N	120	30	3	4	DFN5*6	5000
checkbox	15	RS30N150D	N	150	30	3	4	TO-252	2500
checkbox	16	RS30N150T	N	150	30	3	4	TO-220	1000
checkbox	17	RS40N100G	N	100	40	2.8	3.5	DFN5*6	5000
checkbox	18	RS40N120D	N	120	40	2.8	3.5	TO-252	2500
checkbox	19	RS40N120T	N	120	40	2.8	3.5	TO-220	1000
checkbox	20	RS150N105T	N	105	150	9.8	11	TO-220	1000
checkbox	21	RS76N20T	N	76	200	17	20	TO-220	1000
checkbox	22	RS2310E	N	3	60	70	105	SOT-23	3000
checkbox	23	RS60N30D	N	30	60	22	35	TO-252	2500
checkbox	24	RS60N50D	N	50	60	14	22	TO-252	2500
checkbox	25	RS60N50T	N	50	60	14	22	TO-220	1000
checkbox	26	RS80N25W	N	80	250	30	35	TO-247	600
checkbox	27	RS630D	N	9	200	250	300	TO-252	2500
checkbox	28	RS630T	N	9	200	250	300	TO-220	1000
checkbox	29	RS640D	N	18	200	120	150	TO-252	2500
checkbox	30	RS640T	N	18	200	120	150	TO-220	1000
checkbox	31	RS40N130G	N	130	40	1.45	1.75	DFN5*6	5000
checkbox	32	RS40N180T	N	180	40	1.6	2	TO-220	1000
checkbox	33	RS60N130G	N	130	60	2.1	2.5	DFN5*6	5000
checkbox	34	RS60N200T	N	200	60	2.5	3.2	TO-220	1000
checkbox	35	RS85N140T	N	140	85	4.5	5.3	TO-220	1000
checkbox	36	RS85N140S	N	140	85	4.5	5.3	TO-263	800
checkbox	37	RS85N150T	N	150	85	2.8	3.6	TO-220	1000
checkbox	38	RS85N150S	N	150	85	2.7	3.4	TO-263	800
checkbox	39	RS100N78HT	N	78	100	8.2	9.5	TO-220	1000
checkbox	40	RS100N78T	N	78	100	8.2	9.5	TO-220	1000
checkbox	41	RS100N100T	N	100	100	7	8.5	TO-220	1000
checkbox	42	RS100N135T	N	135	100	3.7	4.2	TO-220	1000
checkbox	43	RS100N135HT	N	135	100	3.7	4.2	TO-220	1000
checkbox	44	RS100N135HS	N	135	100	4.2	5	TO-263	800
checkbox	45	RS100N180T	N	180	100	3	3.8	TO-220	1000
checkbox	46	RS100N180S	N	180	100	2.9	3.6	TO-263	800
checkbox	47	RS100N190T	N	190	100	2.3	3	TO-220	1000
checkbox	48	RS100N190S	N	190	100	2.2	2.8	TO-263	800
checkbox	49	RS110N200T	N	200	110	3.4	4	TO-220	1000
checkbox	50	RS110N200S	N	200	110	3.4	4	TO-263	800
checkbox	51	RS100N210S	N	200	100	1.9	2.4	TO-263	800
checkbox	52	RS100N210T	N	210	100	1.9	2.4	TO-220	1000
checkbox	53	RS100N300I	N	300	100	1.7	2.2	TOLL	2000
checkbox	54	RS100N60G	N	60	100	7.5	8.5	DFN5*6	5000
checkbox	55	RS100N60HG	N	60	100	7.5	8.5	DFN5*6	5000
checkbox	56	RS100N85G	N	85	100	6	7.5	DFN5*6	5000
checkbox	57	RS100N85HG	N	85	100	6	7.5	DFN5*6	5000
checkbox	58	RS100N125G	N	125	100	4	4.6	DFN5*6	5000
checkbox	59	RS100N125HG	N	125	100	4	4.6	DFN5*6	5000
checkbox	60	RS100N150HG	N	150	100	3.5	4.2	DFN5*6	5000

มอสเฟตกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

มอสเฟตแรงดันสูง

มอสเฟตแรงดันต่ำ

IGBT พลังงานสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

เอสไอซี พาวเวอร์ เซมิคอนดักเตอร์

การชาร์จเร็ว พลังงานต่ํา FET ราคาต่ํา