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急速充電 低電源 安定多機能 低限界

  • Fast Charging Low Power Fet Stable Multifunctional Low Threshold
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
効率性 高効率と信頼性 製品名 低電圧MOSFET
EAS機能 高い EAS 機能 トレンチプロセスの適用 ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。
抵抗 低いRDS （） 構造プロセス トレンチ/SGT
SGTのプロセス適用 モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。 電力消費量 低い電力の損失
ハイライト

急速な充電 低電源FET

,

低電源で安定している

,

多機能低限界モスフェット
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
製品の説明

低電源損失 SGT低電圧MOSFET

製品説明:

低電圧MOSFETは,電源制御アプリケーションで広く使用されているトランジスタの一種である.これは,低電圧トランジスタである.連続型と並列型の両方が自由に組み合わせて利用できます主にモータードライバー,5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチ,同期直線に使用されています.低電圧MOSFETは,低電力損失と高効率で知られています低電圧MOSFETは,低VGSモスフェット,低電圧モスフェット,低電圧モスフェット,低電圧モスフェット,低電圧モスフェット,低電圧モスフェット,低電圧モスフェット,低電圧モスフェット,低電圧モスフェット,低電圧モスフェットなど,この装置の利点は.

 

技術パラメータ:

パラメータ トレンチプロセス SGT プロセス
構造プロセス 溝 SGT
EAS 能力 高いEAS能力 高いEAS能力
トレンチ プロセス の 利点 小型のRSPでは,連続型と並行型の両方が自由に組み合わせて利用できます. 突破的なFOM最適化により多くのアプリケーションをカバーします
製品名 低電圧MOSFET 低電圧MOSFET
トレンチプロセスの応用 ワイヤレス充電 急速充電 モータードライバー DC/DC変換 高周波スイッチ シンクロノス修正 モータードライバー,5Gベースステーション エネルギー貯蔵 高周波スイッチ 同期修正
抵抗力 低Rds ((ON) 低Rds ((ON)
効率性 高効率 で 信頼 できる 高効率 で 信頼 できる
電力消費量 低電力損失 低電力損失
 

応用:

REASUNOS 低電圧MOSFET:高効率で低電力損失

REASUNOS低電圧MOSFETは高効率で低電力損失を提供します. これは中国広東で生産され,価格は製品に基づいて確認されます. 包装は防塵,防水,防静的管状の包装配送時間は総量に応じて2~30日です.支払い期間は100%T/T (EXW) です.供給能力は5KK/月です.低電圧MOSFETは突破的なFOM最適化を持っていますワイヤレス充電,高速充電,モータードライバ,DC/DC変換,高周波スイッチ,同期直線に使用することができます.EAS能力も高い.

 

サポートとサービス

低電圧MOSFETの技術サポートとサービス

アット低電圧MOSFET製品に対する技術サポートとサービスを提供します.当社のサポートチームは,当社の製品に関するご質問や問題に応答することができます.

技術支援

低電圧 MOSFET 製品に関する質問や問題に対して,当社の技術サポートチームはご協力いただけます.また,トラブルシューティングのアドバイスとサポートも提供します.電話で連絡できます電子郵便やウェブサイトで テクニカルサポートを受けることができます

サービス と 修理

低電圧 MOSFET 製品に修理やサービスが必要な場合は,当社の技術者がサポートできます. 修理,保守,アップグレードを含む幅広いサービスオプションがあります.あなたのニーズに最適なオプションを議論するために私たちと連絡することができます.

 

梱包と輸送:

低電圧 MOSFET の 梱包 と 輸送

低電圧MOSFETを輸送するには,ショックから保護するために十分な量の緩衝材料を備えた反静的袋に製品が必要です.製品 は,水分 や 環境 に 与える 危険 に 対し て 保護 する 箱 に 詰め られ ます.箱には,製品名と,意図された受信者の住所が明示されなければなりません.

低電圧MOSFETは,運送会社の規制とガイドラインに従って梱包され,信頼性と安全性の高い輸送方法を使用して出荷されるべきです.すべての出荷書類は正確かつ完全で満たさなければなりません..

 

FAQ:

Q&A
Q1:この低電圧MOSFETのブランド名は?

A1:この低電圧MOSFETのブランド名は REASUNOSです.

Q2:この低電圧MOSFET製品はどこから来たのですか?

A2:この低電圧MOSFET製品は中国の広東出身です

Q3:この低電圧MOSFET製品はどのくらいの費用をかかりますか?

A3:この低電圧MOSFET製品のコストは,製品によって確認されます.

Q4:この低電圧MOSFET製品はどのパッケージに入りますか?

A4:この低電圧MOSFET製品は,防塵,防水,反静的管状のパッケージで,紙箱の中に詰め込まれています.

Q5:この低電圧MOSFET製品の配達にはどのくらい時間がかかりますか?

A5:この低電圧MOSFET製品の配送時間は,総量に応じて2~30日です.

札:

Nチャネル モスフェット 低スローレッジ電圧

安定低電源Pチャネルモスフェット

ベースステーション低電圧MOSFET