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Carregamento rápido Baixa potência Feto estável Multifuntcional Baixo limiar

  • Fast Charging Low Power Fet Stable Multifunctional Low Threshold
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
Tempo de entrega 2-30 dias (depende da quantidade total)
Termos de pagamento 100% T/T adiantado (EXW)
Habilidade da fonte 5KK/mês

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Detalhes do produto
eficiência Alta eficiência e confiável Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Capacidade EAS Alta capacidade de EAS Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre
Resistência Baixo RDS (SOBRE) processo de estrutura Trincheira/SGT
Aplicação do processo de SGT Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre Consumo de energia Perda de baixa potência
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Carregamento rápido

,

Baixa potência e estável

,

Mosfet de limiar baixo multifuncional
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

MOSFET de baixa tensão

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um tipo de transistor que é amplamente usado em aplicações de controle de potência.As configurações em série e paralelas podem ser combinadas e utilizadas livrementeÉ usado principalmente em motorista, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.Os MOSFETs de baixa tensão são conhecidos por sua baixa perda de energia e alta eficiênciaOs MOSFETs de baixa voltagem também são conhecidos por baixo vgs mosfet,que também é uma vantagem destes dispositivos.

 

Parâmetros técnicos:

Parâmetro Processo de trincheira Processo SGT
Processo de estrutura Trilha SGT
Capacidade do EAS Alta capacidade de EAS Alta capacidade de EAS
Vantagens do processo de trincheira RSPs menores, com configurações em série e paralelas, podem ser combinadas e utilizadas livremente. Otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações.
Nome do produto MOSFET de baixa tensão MOSFET de baixa tensão
Aplicação do processo de trincheira Carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona. Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Sincrónica.
Resistência Baixa Rds ((ON) Baixa Rds ((ON)
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade Alta eficiência e fiabilidade
Consumo de energia Baixa perda de potência Baixa perda de potência
 

Aplicações:

REASUNOS MOSFET de baixa tensão: alta eficiência e baixa perda de energia

O REASUNOS MOSFET de baixa tensão oferece alta eficiência e baixa perda de energia. É produzido em Guangdong, China, e o preço é confirmado com base no produto.e embalagens tubulares antiestáticasO prazo de entrega é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total. O prazo de pagamento é 100% T/T adiantado (EXW). A capacidade de fornecimento é de 5KK/mês.O MOSFET de baixa tensão tem uma otimização FOM inovadora, cobrindo mais aplicações, permitindo-lhe ser utilizado para carregamento sem fio, carregamento rápido, motor driver, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.Tem também uma elevada capacidade de EAS.

 

Apoio e Serviços:

Suporte técnico e serviço de MOSFET de baixa tensão

Em, fornecemos suporte técnico e serviços para nossos produtos MOSFET de baixa tensão. Nossa equipe de suporte está disponível para responder a qualquer pergunta ou problema que você possa ter sobre nossos produtos.

Apoio técnico

A nossa equipa de apoio técnico está disponível para ajudá-lo com perguntas ou problemas relativos aos nossos produtos MOSFET de baixa tensão.Pode contactar-nos por telefone., e-mail, ou nosso site para assistência técnica.

Serviço e Reparação

Se você precisar de reparos ou serviços para seus produtos MOSFET de baixa tensão, nossos técnicos estão disponíveis para ajudar.Pode contactar-nos para discutir a melhor opção para as suas necessidades.

 

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte de MOSFET de baixa tensão

Para o transporte de MOSFETs de baixa tensão, os produtos precisam estar em um saco antiestático com uma quantidade suficiente de material de amortecimento para protegê-los de choques.Os produtos devem também ser embalados numa caixa que os proteja da umidade e de quaisquer outros perigos ambientaisA caixa deve ser claramente rotulada com o nome do produto e o endereço do destinatário pretendido.

Os MOSFET de baixa tensão devem ser embalados em conformidade com os regulamentos e orientações do transportador e devem ser enviados utilizando um método de transporte confiável e seguro.Todos os documentos de expedição devem ser preenchidos de forma precisa e completa.

 

Perguntas frequentes:

Perguntas e respostas
Q1: Qual é o nome da marca deste MOSFET de baixa tensão?

A1:A marca deste MOSFET de baixa tensão é REASUNOS.

P2:De onde vem este produto MOSFET de baixa tensão?

A2: Este produto MOSFET de baixa tensão é de Guangdong, China.

Q3: Quanto custa este produto MOSFET de baixa tensão?

A3:O custo deste produto MOSFET de baixa tensão deve ser confirmado com base no produto.

Q4: Em que embalagem vem este produto MOSFET de baixa tensão?

A4:Este produto MOSFET de baixa tensão é fornecido numa embalagem tubular à prova de poeira, à prova de água e antiestática, colocada dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.

Q5: Quanto tempo demora a entrega deste produto MOSFET de baixa tensão?

A5:O prazo de entrega deste produto MOSFET de baixa tensão é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.

Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base