Carica rapida a bassa potenza Fet stabile soglia bassa multifunzione

Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
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Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
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Dettagli
efficienza Alta efficienza e affidabilità Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Funzionalità EAS Elevata capacità EAS Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz
Resistenza RDS basso (SOPRA) Processo di struttura Trincea/SGT
Applicazione trattata di SGT Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r Consumo di energia Perdita di potere basso
Evidenziare

Carica veloce a bassa potenza

,

Basso consumo di energia e stabile

,

Mosfet a bassa soglia multifunzionale

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

MOSFET a bassa tensione SGT

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un tipo di transistor ampiamente utilizzato nelle applicazioni di controllo di potenza.sia le configurazioni in serie che quelle parallele possono essere liberamente combinate e utilizzateÈ utilizzato principalmente nel driver del motore, nella stazione base 5G, nello stoccaggio dell'energia, nello switch ad alta frequenza e nella rettifica sincrona.I MOSFET a bassa tensione sono noti per la loro bassa perdita di potenza e l'elevata efficienza, che li rende affidabili. Inoltre, l'innovativa ottimizzazione FOM del processo SGT copre più applicazioni.che è anche un vantaggio di questi dispositivi.

 

Parametri tecnici:

Parametro Processo di trincea Processo SGT
Processo di struttura Trincea SGT
Capacità EAS Capacità elevata di EAS Capacità elevata di EAS
Vantaggi del processo di trincea RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate. Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione MOSFET a bassa tensione
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona. Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
Resistenza Basso Rds ((ON) Basso Rds ((ON)
Efficienza Alta efficienza e affidabilità Alta efficienza e affidabilità
Consumo di energia Basse perdite di potenza Basse perdite di potenza
 

Applicazioni:

MOSFET a bassa tensione: elevata efficienza e bassa perdita di potenza

REASUNOS MOSFET a bassa tensione offre un'elevata efficienza e una bassa perdita di potenza.e imballaggi tubulari antistaticiIl tempo di consegna è di 2-30 giorni, a seconda della quantità totale. Il termine di pagamento è 100% T / T in anticipo (EXW). La capacità di fornitura è di 5KK / mese.Il MOSFET a bassa tensione ha una ottimizzazione FOM rivoluzionaria, coprendo più applicazioni, consentendo di essere utilizzato per la ricarica wireless, la ricarica rapida, il driver del motore, il convertitore DC/DC, l'interruttore ad alta frequenza e la rettifica sincrona.ha anche un'elevata capacità di EAS.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio di MOSFET a bassa tensione

Al, forniamo supporto tecnico e servizi per i nostri prodotti MOSFET a bassa tensione. Il nostro team di supporto è disponibile per rispondere a qualsiasi domanda o problema che potete avere riguardo ai nostri prodotti.

Supporto tecnico

Il nostro team di supporto tecnico è disponibile per aiutarvi con domande o problemi relativi ai nostri prodotti MOSFET a bassa tensione.Puoi contattarci per telefono., e-mail, o sul nostro sito web per assistenza tecnica.

Servizio e riparazione

Se avete bisogno di riparazioni o assistenza per i vostri prodotti MOSFET a bassa tensione, i nostri tecnici sono disponibili per aiutarvi.Puoi contattarci per discutere l'opzione migliore per le tue esigenze.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione del MOSFET a bassa tensione

Per la spedizione dei MOSFET a bassa tensione, i prodotti devono essere in un sacchetto antistatico con una quantità sufficiente di materiale ammortizzante per proteggerli dagli urti.I prodotti devono inoltre essere confezionati in una scatola che li protegga dall'umidità e da qualsiasi altro pericolo ambientaleLa scatola deve essere chiaramente contrassegnata con il nome del prodotto e l'indirizzo del destinatario.

I MOSFET a bassa tensione dovrebbero essere confezionati in conformità alle norme e alle linee guida del vettore e spediti con un metodo di trasporto affidabile e sicuro.Tutti i documenti di spedizione devono essere compilati accuratamente e completamente.

 

FAQ:

Domande e risposte
Q1: Qual è il marchio di questo MOSFET a bassa tensione?

R1:Il marchio di questo MOSFET a bassa tensione è REASUNOS.

D2: Da dove proviene questo prodotto MOSFET a bassa tensione?

A2:Questo prodotto MOSFET a bassa tensione proviene dal Guangdong, in Cina.

Q3:Quanto costa questo prodotto MOSFET a bassa tensione?

A3:Il costo di questo prodotto MOSFET a bassa tensione deve essere confermato in base al prodotto.

Q4:In quale confezione è disponibile questo prodotto MOSFET a bassa tensione?

A4:Questo prodotto MOSFET a bassa tensione viene fornito in un imballaggio tubulare antistatico, impermeabile alla polvere e impermeabile, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.

Q5: Quanto tempo ci vuole per consegnare questo prodotto MOSFET a bassa tensione?

R5:Il tempo di consegna di questo prodotto MOSFET a bassa tensione è di 2-30 giorni, a seconda della quantità totale.