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तेज़ चार्जिंग कम शक्ति Fet स्थिर बहुक्रियाशील कम सीमा

  • Fast Charging Low Power Fet Stable Multifunctional Low Threshold
उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीय उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता ट्रेंच प्रक्रिया आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस
प्रतिरोध कम आरडीएस(चालू) संरचना प्रक्रिया ट्रेंच/एसजीटी
एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन। बिजली की खपत कम बिजली हानि
प्रमुखता देना

तेज़ चार्जिंग कम पावर Fet

,

कम शक्ति और स्थिर

,

मल्टीफंक्शनल लो थ्रेसहोल्ड मोस्फेट
आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
उत्पाद विवरण

कम शक्ति हानि एसजीटी कम वोल्टेज एमओएसएफईटी

उत्पाद का वर्णन:

कम वोल्टेज MOSFET एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जिसका व्यापक रूप से बिजली नियंत्रण अनुप्रयोगों में उपयोग किया जाता है। यह एक खाई प्रक्रिया, कम वोल्टेज ट्रांजिस्टर है, जिसमें कई फायदे हैं जैसे कि छोटे आरएसपी,दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास स्वतंत्र रूप से संयुक्त और उपयोग किया जा सकता हैइसका उपयोग मुख्य रूप से मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन में किया जाता है।कम वोल्टेज वाले एमओएसएफईटी अपने कम बिजली हानि और उच्च दक्षता के लिए जाने जाते हैं, जो उन्हें विश्वसनीय बनाता है। इसके अलावा, एसजीटी प्रक्रिया का सफलतापूर्वक एफओएम अनुकूलन अधिक अनुप्रयोगों को कवर करता है। कम वोल्टेज एमओएसएफईटी भी कम वीजीएस मोस्फेट के लिए जाने जाते हैं,जो भी इन उपकरणों का एक फायदा है.

 

तकनीकी मापदंडः

पैरामीटर खाई की प्रक्रिया एसजीटी प्रक्रिया
संरचना प्रक्रिया खाई एसजीटी
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
खाई प्रक्रिया के फायदे छोटे आरएसपी, दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास को स्वतंत्र रूप से जोड़ा और उपयोग किया जा सकता है। अधिक अनुप्रयोगों को कवर करने के लिए सफलतापूर्वक FOM अनुकूलन।
उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET कम वोल्टेज MOSFET
खाई प्रक्रिया अनुप्रयोग वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस सुधार।
प्रतिरोध कम आरडीएस (ऑन) कम आरडीएस (ऑन)
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीयता उच्च दक्षता और विश्वसनीयता
बिजली की खपत कम शक्ति हानि कम शक्ति हानि
 

अनुप्रयोग:

REASUNOS निम्न वोल्टेज मोस्फेटः उच्च दक्षता और कम शक्ति हानि

REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET उच्च दक्षता और कम बिजली हानि प्रदान करता है। यह गुआंग्डोंग, चीन में निर्मित है, और उत्पाद के आधार पर कीमत की पुष्टि की जाती है। पैकेजिंग धूलरोधी, जलरोधी है,और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग, एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर डाल दिया कार्टन में. प्रसव के समय 2-30 दिन है, कुल मात्रा के आधार पर. भुगतान की अवधि अग्रिम में 100% टी / टी (EXW) है. आपूर्ति क्षमता 5KK / माह है.निम्न वोल्टेज MOSFET में एक सफलता FOM अनुकूलन है, अधिक अनुप्रयोगों को कवर करता है, जिससे इसका उपयोग वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन के लिए किया जा सकता है।इसमें उच्च ईएएस क्षमता भी है।.

 

सहायता एवं सेवाएं:

कम वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा

पर, हम अपने कम वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए तकनीकी सहायता और सेवाएं प्रदान करते हैं। हमारी सहायता टीम हमारे उत्पादों के बारे में आपके किसी भी प्रश्न या समस्या का उत्तर देने के लिए उपलब्ध है।

तकनीकी सहायता

हमारी तकनीकी सहायता टीम हमारे निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पादों के बारे में प्रश्नों या समस्याओं में आपकी सहायता के लिए उपलब्ध है। हम समस्या निवारण सलाह और सहायता भी प्रदान करते हैं।आप हमसे फोन पर संपर्क कर सकते हैं, ईमेल, या तकनीकी सहायता के लिए हमारी वेबसाइट.

सेवा और मरम्मत

यदि आपको अपने कम वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए मरम्मत या सेवा की आवश्यकता है, तो हमारे तकनीशियन मदद करने के लिए उपलब्ध हैं। हमारे पास मरम्मत, रखरखाव और उन्नयन सहित सेवा विकल्पों की एक विस्तृत श्रृंखला है।आप अपनी आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा विकल्प पर चर्चा करने के लिए हमसे संपर्क कर सकते हैं.

 

पैकिंग और शिपिंगः

कम वोल्टेज MOSFET के लिए पैकेजिंग और शिपिंग

कम वोल्टेज के एमओएसएफईटी के शिपिंग के लिए, उत्पादों को एक एंटी-स्टेटिक बैग में होना चाहिए जिसमें पर्याप्त मात्रा में शॉक से बचाने के लिए शफनिंग सामग्री हो।उत्पादों को एक ऐसे बॉक्स में भी पैक किया जाना चाहिए जो उन्हें नमी और किसी भी अन्य पर्यावरणीय खतरों से बचाएगाबॉक्स पर उत्पाद का नाम और इच्छित प्राप्तकर्ता का पता स्पष्ट रूप से लिखा होना चाहिए।

कम वोल्टेज के एमओएसएफईटी को वाहक के नियमों और दिशा-निर्देशों के अनुसार पैक किया जाना चाहिए और परिवहन के एक विश्वसनीय और सुरक्षित तरीके का उपयोग करके शिप किया जाना चाहिए।सभी शिपिंग दस्तावेज सही और पूरी तरह से भरे जाने चाहिए.

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

प्रश्न और उत्तर
Q1: इस निम्न वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम क्या है?

A1:इस निम्न वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम REASUNOS है।

Q2:यह निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पाद कहां से आता है?

A2:यह निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पाद गुआंग्डोंग, चीन से है।

Q3:इस निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पाद की लागत कितनी है?

A3:इस निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पाद की लागत उत्पाद के आधार पर पुष्टि की जानी है।

Q4:यह निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पाद किस पैकेज में आता है?

A4:यह निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पाद धूल, जलरोधक और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग में आता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।

Q5:इस निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पाद को वितरित करने में कितना समय लगता है?

A5:इस निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पाद का वितरण समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है।

टैग:

एन चैनल मोस्फेट निम्न सीमा वोल्टेज

स्थिर निम्न शक्ति पी चैनल मोस्फेट

बेस स्टेशन कम वोल्टेज MOSFET

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