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mots clés [ converter high power mosfet ] rencontre 96 produits.
N type 1200V Sic Power Mosfet, Transistor à effet de champ de silicium d' oxyde métallique
| Nom du produit: | MOSFET en carbure de silicium |
|---|---|
| l'efficacité: | Rendement élevé |
| Résistance: | Faible résistance |
Transistors Mosfet à faible puissance 20V 60V pour la charge sans fil
| Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
|---|---|
| Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
Transistors Mosfet à faible puissance multi-scène SGT Stable avec basse tension de seuil
| Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
|---|---|
| Nom du produit: | MOSFET basse tension |
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
Invertisseur stable à haute tension MOSFET Transistor multi-fonction
| Estimation de tension: | Tension à haute tension/ultra-haute |
|---|---|
| Application incluse de transistor MOSFET de HT de FRD: | Série de moteur, inverseur, demi pont/pleines applications de montage en pont, etc. |
| Nom du produit: | Transistor MOSFET à haute tension |
SGT Puissance à basse tension industrielle Mosfet, Mosfet stable Voltage de seuil de basse porte
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
|---|---|
| Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
Mosfets à faible puissance polyvalents, N-Channel Mosfet Voltage de seuil bas
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
|---|---|
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
Moteur électronique à haute puissance pour véhicules automobiles
| Le RDS (dessus): | Le bas RDS (DESSUS) |
|---|---|
| Résistance à la température: | Résistance aux températures élevées |
| Nom du produit: | Semi-conducteurs à haute puissance |
650V Puissance par carbure de silicium Mosfet Multifonctionnel Durable N Channel
| Application du projet: | Onduleur solaire, convertisseur DC/DC haute tension, pilote de moteur, alimentation UPS, alimentatio |
|---|---|
| Résistance: | Faible résistance |
| l'efficacité: | Rendement élevé |
Moteur de conduite à haute efficacité pour la station de base 5G
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| Power consumption: | Low Power Loss |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
MOSFET de carbure de silicium de type N à haute température pratique de 650 V
| l'efficacité: | Rendement élevé |
|---|---|
| Le pouvoir: | Puissance élevée |
| Résistance: | Faible résistance |