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mots clés [ converter high power mosfet ] rencontre 96 produits.
Capacité EAS élevée basse Rds ((ON) processus de tranchée MOSFET rectification synchrone
Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
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Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
Moteur de conduite à haute efficacité pour la station de base 5G
Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
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EAS capability: | High EAS Capability |
SGT process Application: | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
Mousfet de carbure SiC industriel à commutation de fréquence résistant à la chaleur durable
l'efficacité: | Rendement élevé |
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Matériel: | Carbure de silicium |
Type de dispositif: | Transistor MOSFET |
MOSFET à carbure de silicium stable à haute fréquence
Matériel: | Carbure de silicium |
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Fréquence: | À haute fréquence |
Type de dispositif: | Transistor MOSFET |
MOSFET multi-scène à ultra-faible tension stable pour une charge rapide
Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
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Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
Conducteur moteur basse tension Fet stable pour le commutateur haute fréquence
l'efficacité: | Haute efficacité et fiabilité |
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Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
Fonction multi MOSFET SGT à basse tension durable avec RSP plus petit
Application de processus de SGT: | Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r |
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Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
MOSFET industriel à basse tension multifonctionnel pour la station de base 5G
Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
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Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
Stockage de l'énergie MOSFET basse tension pratique N-canal Haute capacité EAS
Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
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Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
Composant de semi-conducteurs à haute fréquence révolutionnaire pour les systèmes d'énergie renouvelable
Résistance à la température: | Résistance aux températures élevées |
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Courant de récupération d'inversion: | Courant de récupération inverse extrêmement faible |
Efficacité: | Haute efficacité |