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모터 드라이버 저전압 Fet 높은 주파수 스위치에 안정

  • Motor Driver Low Voltage Fet Stable For High Frequency Switch
원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
지불 조건 사전에 100% T/T(EXW)
공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
효율성 높은 효율성과 신뢰성 EAS 기능 높은 EAS 기능
저항 낮은 RDS(ON) 트렌치 공정 적용 무선 충전, 고속 충전, 모터 드라이버, DC/DC 컨버터, 고주파 스위치, 동기 정류.
소비 전력 낮은 전력 손실 제품 이름 저전압 MOSFET
트렌치 공정의 장점 더 작은 RSP, 직렬 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합하고 활용할 수 있습니다. SGT 프로세스 적용 모터 드라이버, 5G 기지국, 에너지 저장, 고주파 스위치, 동기 정류.
강조하다

모터 드라이버 저전압 Fet

,

저전압 Fet 안정적

,

스위치 저전력 Fet
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
제품 설명

높은 EAS 용량 높은 주파수 스위치 응용을위한 낮은 Rds ((ON) MOSFET

제품 설명:

저전압 MOSFET는 무선 충전, 빠른 충전, 모터 드라이버, DC/DC 변환기,고주파 스위치, 및 동기 교정. 그것은 뛰어난 낮은 게이트 전압과 낮은 Rds ((ON) 을 가지고 있으며, 낮은 전력 손실과 높은 EAS 기능을 가능하게합니다.또한 획기적인 FOM 최적화를 채택하고 트렌치 프로세스 및 SGT 프로세스의 도움으로 더 많은 응용 프로그램을 다루고 있습니다..

 

기술 매개 변수:

제품 이름 매개 변수
저전압 MOSFET SGT 프로세스 장점: 돌파구 FOM 최적화, 더 많은 응용 프로그램을 커버합니다.
저전압 MOSFET 효율성: 높은 효율성 과 신뢰성
저전압 MOSFET 트렌치 프로세스 응용: 무선 충전, 빠른 충전, 모터 드라이버, DC/DC 변환기, 고주파 스위치, 동기 수정
저전압 MOSFET 트렌치 프로세스 장점: 작은 RSP, 시리즈 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합 및 활용 할 수 있습니다.
저전압 MOSFET 저항: 낮은 Rds ((ON)
저전압 MOSFET 구조 프로세스: 트렌치/SGT
저전압 MOSFET EAS 능력: 높은 EAS 능력
저전압 MOSFET 전력 소비: 낮은 전력 손실
저전압 MOSFET SGT 프로세스 응용: 모터 드라이버, 5G 베이스 스테이션, 에너지 저장, 고주파 스위치, 동기 수정
 

응용 프로그램:

REASUNOS 저전압 MOSFET

REASUNOS 저전압 MOSFET는 중국 광둥에서 생산된 독특하고 강력한 장치입니다. 낮은 게이트 전압, 낮은 전력 손실 및 높은 EAS 기능으로 인해 다양한 애플리케이션에 적합합니다.또한 트렌치/SGT 구조 프로세스가 있습니다.무선 충전, 빠른 충전, 모터 드라이버, DC / DC 변환기, 고주파 스위치 및 동기 수정에 적합합니다.제품의 가격은 제품에 따라 결정됩니다.. 먼지 방지, 방수 및 반 정적 튜브형 포장재에 포장되어 있으며, 카드폰 상자 안에 카튼에 배치됩니다. 배송 시간은 총 양에 따라 2-30일 사이입니다.지불 조건은 100% T/T 사전에공급 능력은 한 달에 5KK까지입니다.

 

지원 및 서비스:

저전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

우리는 저전압 MOSFET 제품에 대한 광범위한 기술 지원 및 서비스를 제공합니다.경험 많은 엔지니어의 우리 팀은 모든 질문에 답하고 제품 선택에 도움을 제공 할 수 있습니다, 설계 및 문제 해결

기술 지원

기술자 팀은 낮은 전압 MOSFET 제품에 대한 모든 기술적 질문에 답변 할 수 있습니다. 우리는 제품 선택에 대한 지침을 제공 할 수 있습니다, 디자인 조언,지원 지원, 문제 해결 지원.

제품 선택 지원

우리 의 엔지니어 들 은 부품 선택, 설계 고려 사항, 그리고 성능 요구 사항 에 대한 지침 을 제공할 수 있습니다.

설계 지침

우리 엔지니어 들 은 회로 설계, 부품 선택, 레이아웃 에 관한 조언 을 제공할 수 있습니다.

문제 해결 지원

만약 당신이 낮은 전압 MOSFET에 문제가 있다면, 우리의 엔지니어는 문제 해결 지원을 제공 할 수 있습니다. 우리는 당신이 가질 수 있는 모든 문제를 식별하고 해결하는 데 도움이 될 수 있습니다.

 

포장 및 운송:

저전압 MOSFET 포장 및 운송:

저전압 MOSFET는 정전 전류 충전으로 인한 손상을 방지하기 위해 정전 방지에 포장해야합니다.그 다음 가방은 운송 도중 충격 및 충돌을 방지하기 위해 보호 포장을 가진 견고한 고지 상자에 배치되어야 합니다.상자에는 제품 이름, 수신자 주소 및 배송 주소가 명확하게 표시되어야 합니다.

 

FAQ:

  • Q: REASUNOS 저전압 MOSFET는 무엇입니까?
  • A: REASUNOS 저전압 MOSFET는 낮은 전압에서 작동하는 금속 산화물 반도체 현장 효과 트랜지스터 (MOSFET) 구성 요소입니다.
  • Q: REASUNOS 저전압 MOSFET는 어디서 생산됩니까?
  • A: REASUNOS 저전압 MOSFET는 중국 광둥에서 제조됩니다.
  • Q: REASUNOS 저전압 MOSFET의 가격은 얼마입니까?
  • A: REASUNOS 저전압 MOSFET의 가격은 제품에 따라 다릅니다. 자세한 사항은 저희에게 문의하십시오.
  • Q: REASUNOS 저전압 MOSFET은 어떻게 포장됩니까?
  • A: REASUNOS 저전압 MOSFET 는 먼지, 물, 반 정적 튜버형 포장재 에 포장 되어 있으며, 고리판 상자 에 포장 되어 있습니다.
  • Q: REASUNOS 저전압 MOSFET의 배송 시간은 얼마나 되나요?
  • A: REASUNOS 저전압 MOSFET의 배송 시간은 전체 양에 따라 2~30일입니다.
꼬리표:

N 채널 모스페트 낮은 문장 전압

안정적인 저전력 P 채널 모스페트

기본 스테이션 저전압 MOSFET