Nチャネル 高電圧 MOSFET 多機能 1uA アダプター用

起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
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供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
テクノロジー MOSFET 漏れ 低い漏出は1つ以下のµ Aに達することができる
抵抗 低いオン抵抗 超HV MOSFETの塗布 スマートなメートル、キャビネットの電源、産業転換の電源、電力システム、等。
埋め込まれたFRD HV MOSFETの塗布 モーター シリーズ、インバーター、半分橋/完全なブリッジ・サーキットの塗布、等。 タイプ N
利点 新しい側面可変的な添加の技術、特別な力MOSの構造、高温の優秀な特徴。 熱放散 大きい熱放散
ハイライト

Nチャネル 高電圧MOSFET

,

高電圧MOSFET 多機能

,

アダプタ 高電圧 Nチャネル モスフェット

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
製品の説明

製品説明:

高圧MOSFETは,高性能MOSゲートトランジスタである.FRD HV MOSFET (フィールド減少拡散高圧MOSFET) に埋め込まれている.高温で優れた性能を備えるこのトランジスタは新しい横向変数ドーピング技術と特殊なパワーMOS構造を装備しており,高電圧と超高電圧を必要とする様々なアプリケーションに適しています.例えばLEDドライバーアダプター,産業用スイッチ電源,インバーターなど

高電圧MOSFETは,高温での優れた性能,高温での優れた特性,高電圧/超高電圧等多くの利点があります.また,低電阻と高速の切り替え速度を持っています高電圧の多くの用途に適しています.特殊なパワーMOS構造と横向変形ドーピング技術により,高電圧に耐えることができ,劣化なく何年も使用できます..

高電圧と超高電圧を必要とする様々なアプリケーションに理想的な選択です.高温で優れた特性があり,高温で優れた性能を提供します.新しい横変形ドーピング技術と特殊なパワーMOS構造により,LEDドライバー,アダプター,産業用スイッチング電源,インバーターなどに最適です.

 

技術パラメータ:

製品名 パラメータ
高電圧MOSFET 新しい横変形ドーピング技術 特殊パワーMOS構造 高温での優れた特性
HV モスフェット 適用 LEDドライバー,アダプター,産業用スイッチング電源,インバーターなど
抵抗力 低オン抵抗
ウルトラHV MOSFET 適用 スマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチング電源,電気電力システムなど
熱散 熱 の 散らばる 大量
組み込み FRD HV MOSFET アプリケーション モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路のアプリケーションなど
定位電圧 高電圧/超高電圧
タイプ N
漏れ 低漏れは1μA未満に達する
 

応用:

Reasunos高圧MOSFETは,高圧アプリケーションに理想的なNチャネルトランジスタの一種である.FRD HV MOSFETを組み込み,非常に信頼性と効率性がある.新型横変性ドーピング技術特殊なパワーMOS構造と 高温での優れた特性この製品には高電圧/超高電圧の電圧評価があり,低電圧の漏れは1μA未満に達する可能性があります..

Reasunos 高電圧 MOSFET は,様々な産業のニーズ,特に厳しい環境のニーズを満たすために設計されています.それは,防塵,防水,反静的管状のパッケージでパッケージされています.紙箱の中に入れる商品は中国広東で入手可能で,総量に応じて 2~30日以内に配達できます.この製品の価格は製品仕様に基づいており,支払いは100%T/T Advance (EXW) で行えます.この製品は,月5KKの供給能力で,大量に販売されています.

Reasunos 高電圧 MOSFETは,高電圧アプリケーションの信頼性と効率性の高い選択です.そのユニークな機能と競争力のある価格により,高電圧を必要とする組み込みプロジェクトに最適なソリューションです超高電圧と低漏れ特性

サポートとサービス

高電圧MOSFETの技術サポートとサービス

高電圧MOSFETを使用する顧客のために,包括的な技術サポートとサービスソリューションを提供しています.あなたのアプリケーションで高電圧MOSFETの最良の使用についてアドバイスを与えるまた,トラブルシューティングの支援も提供し, 問題を解決することができます.

当地時間午前8時から午後5時 (現地時間) まで,月曜から金曜まで,ご質問やご要望に応えておられます.オンラインのサポートフォーラムも用意しています 専門家チームから質問と答えを投稿できます.

高電圧MOSFETの メンテナンスのサービスも提供しています清掃を含む幅広いサービスを提供できます高圧MOSFETの最適利用に関するアドバイスも提供し,コストのかかる修理になる前に潜在的な問題を特定するのに役立ちます.

高電圧MOSFETの技術サポートとサービスソリューションについて,ご質問や,もっと詳しく知りたい場合は,ご連絡ください.

 

梱包と輸送:

 

高電圧MOSFETは,通常,静的消散性プラスチックチューブに包装され,電場から十分な保護を提供する箱に配送されます.箱は,製品が運送中に損傷しないように,ESD (静電放出) 材料で敷設する必要があります.箱にはまた,危険物質に関する適切な警告ラベルが付けられなければなりません.

高電圧MOSFETは,梱包および輸送中に非常に慎重に扱われるべきです.プロセスに関与するすべてのスタッフは,保護手袋と保護眼鏡を着用する必要があります.すべてのパーツは,パッケージ化および出荷する前に,損傷を確認する必要があります..

すべてのパッケージは,安全に密封され,適切な輸送情報とラベルが付けられなければなりません.危険物質は,安全な輸送のために識別され,適切にマークされなければなりません.

 

FAQ:

 

Q: 高電圧MOSFETのブランド名は何ですか?
A: 高電圧MOSFETのブランド名は REASUNOSです
Q: 高電圧MOSFETの起源は?
A: 高電圧MOSFETの起源は中国広東です
Q: 高電圧MOSFETの価格は?
A: 高電圧MOSFETの価格は製品によって決まります 価格を確認してください
Q: 高電圧MOSFETのパッケージはどうですか?
A: 高電圧MOSFETのパッケージは,防塵,防水,反静的管状のパッケージで,紙箱の中に箱詰められています.
Q: 高電圧MOSFETの配達時間は?
A: 高電圧MOSFETの配達時間は,総量に応じて 2~30日です.
Q: 高電圧MOSFETの支払い条件は?
A: 高電圧 MOSFET の支払い条件は,100% T/T 前払いです (EXW).
Q: 高電圧MOSFETの供給能力はどうですか?
A: 高電圧MOSFETの供給能力は 5KK/月です.