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多目的高電圧MOSFET LEDドライバーのための熱分散

  • Multipurpose High Voltage MOSFET Heat Dissipation For LED Driver
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
製品名 高圧MOSFET 熱放散 大きい熱放散
埋め込まれたFRD HV MOSFETの塗布 モーター シリーズ、インバーター、半分橋/完全なブリッジ・サーキットの塗布、等。 HV Mosfetの塗布 LEDの運転者、アダプター、産業転換の電源、インバーター等
抵抗 低いオン抵抗 利点 新しい側面可変的な添加の技術、特別な力MOSの構造、高温の優秀な特徴。
漏れ 低い漏出は1つ以下のµ Aに達することができる 電圧評価 高圧/超高度の電圧
ハイライト

多目的高電圧モスフェット

,

高電圧 MOSFET 熱分散

,

LEDドライバ 高電圧FET
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
製品の説明

製品説明:

高圧MOSFETの導入 組み込みFRD HV MOSFET 低電圧抵抗と高圧/超高圧評価この超高電圧MOSFETは,高電圧または超高電圧の電力を必要とするアプリケーションに最適です低電圧抵抗により高効率と低電源損失がもたらされます.このタイプN MOSFETは,高電圧または超高電圧のアプリケーションにとって完璧な選択です.高電圧MOSFETは,超高電圧MOSFET電力を必要とする任意のアプリケーションのための完璧な選択です.

 

技術パラメータ:

属性 記述
利点 新しい横変形ドーピング技術 特殊パワーMOS構造 高温での優れた特性
タイプ N
ウルトラHV MOSFET 適用 スマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチング電源,電気電力システムなど
抵抗力 低オン抵抗
テクノロジー MOSFET
熱散 熱 の 散らばる 大量
組み込み FRD HV MOSFET アプリケーション モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路のアプリケーションなど
製品名 高電圧MOSFET
HV モスフェット 適用 LEDドライバー,アダプター,産業用スイッチング電源,インバーターなど
定位電圧 高電圧/超高電圧
 

応用:

高電圧MOSFETトランジスタ

REASUNOS 高電圧 MOSFET トランジスタは,組み込み FRD HV MOSFET アプリケーションに最適な選択です. 漏れは低く,1μA未満に達できます.高い熱消耗が信頼性の高い性能を保証しますLEDドライバ,アダプター,産業用スイッチング電源,インバーターなどに適用できます.そのタイプはNです.

REASUNOSの製品は,競争力のある価格で,防塵,防水,反静的管状のパッケージ付きで,紙箱に詰め込まれています.配達時間は2~30日 総量によって異なります. 支払条件は100%T/T先払いです. 供給能力は5KK/月です.

サポートとサービス

高電圧MOSFETの技術サポートとサービス

高電圧MOSFET製品に包括的な技術サポートとサービスを提供することにコミットしています.顧客サービスチームは,あなたの質問に答え,助言と援助を提供するために利用可能です.

我々は,以下のようなサービスを提供します.

  • 技術的なアドバイスとトラブルシューティング
  • 製品選択と設計支援
  • 欠陥のある部品の修理と交換
  • ソフトウェアとファームウェアの更新
  • 訓練・教育用資料

当社は,優れた顧客サービスを提供し,お客様が当社の製品で可能な限り最高の体験を味わうように努めています.ご質問や支援が必要な場合は,ご連絡ください.

 

梱包と輸送:

 

梱包 と 輸送

高電圧MOSFETは,表面のマウントアプリケーションに理想的な密閉電気静止放電 (ESD) の安全なチューブで供給されています.チューブは,水分,塵,湿度から製品を保護するように設計されています.,また,チューブには製品識別と認証情報も付けられる.

商品は輸送中に損傷を防ぐため,固い包装で送られます.包装には,製品が乾燥し,湿度がないことを保証する湿度防止袋も含まれています.すべての輸送材料は,製品が原始状態で配達されることを保証するように設計されています..

 

FAQ:

 

Q&A

Q1: 高電圧MOSFETのブランド名は何ですか?
A1: 高電圧MOSFETのブランド名は REASUNOSです

Q2: 製品はどこで作られていますか?
A2: 高電圧MOSFETは中国の広東で製造されています

Q3: 高電圧MOSFETのコストは?
A3: 高電圧MOSFETの価格は製品によって異なります.詳細についてはご連絡ください.

Q4: 高電圧MOSFETにはどんなパッケージが使用されていますか?
A4: 高電圧MOSFETは,防塵,防水,反静的管状の包装に詰められ,紙箱に詰められています.

Q5: 高電圧MOSFETのリードタイムは何ですか?
A5: 高電圧MOSFETの配送時間は2~30日 (総量に応じて) です.

札:

安定した高電圧電源モスフェット

耐熱 高電圧 シック モスフェット

工業用超高電圧トランジスタ