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実用的なインバーター モスフェット 高電圧低抵抗HVトランジスタ

  • Practical Inverter Mosfet High Voltage , Low On Resistance HV Transistor
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
テクノロジー MOSFET 埋め込まれたFRD HV MOSFETの塗布 モーター シリーズ、インバーター、半分橋/完全なブリッジ・サーキットの塗布、等。
抵抗 低いオン抵抗 漏れ 低い漏出は1つ以下のµ Aに達することができる
熱放散 大きい熱放散 利点 新しい側面可変的な添加の技術、特別な力MOSの構造、高温の優秀な特徴。
製品名 高圧MOSFET タイプ N
ハイライト

モスフェット 高電圧

,

インバーター モスフェット 高電圧

,

低抵抗HVトランジスタ
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
製品の説明

高電圧MOSFET,技術用アプリケーションのための大きな熱分散性

製品説明:

高電圧 MOSFET 超高電圧,熱の散乱が大きい

高電圧MOSFET (HV MOSFET) は,主に高電圧アプリケーションに使用される金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ (MOSFET) の種類である.高圧から超高圧までこのタイプのトランジスタは,LEDドライバ,アダプター,産業用スイッチ電源,インバーター,モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路アプリケーション高電圧が必要な他の用途.

HV MOSFETは通常N型であり,組み込みFRD構造により,高電圧が必要なアプリケーションで使用するのに適しています.高電力を必要とするデバイスのための理想的な選択ですこのタイプのトランジスタは,モーターシリーズ,インバーター,ハフブリッジ/フルブリッジ回路アプリケーションなど,幅広い高電圧アプリケーションで使用するのに適しています.

高電圧MOSFETは信頼性と効率性,コスト効率性があり,高電圧アプリケーションで人気のある選択肢となっています. また,使用しインストールも簡単です.商業用や工業用の両方にとって理想的な選択になります.

 

技術パラメータ:

製品名 高電圧MOSFET
タイプ N
定位電圧 高電圧/超高電圧
テクノロジー MOSFET
抵抗力 低オン抵抗
熱散 熱 の 散らばる 大量
漏れ 低漏れが1μA未満に達する
組み込み FRD HV MOSFET アプリケーション モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路のアプリケーションなど
ウルトラHV MOSFET 適用 スマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチング電源,電気電力システムなど
高電圧モスフェットトランジスタ そうだ
高圧電源モスフェット そうだ
高電圧MOSFETの応用 LEDドライバー,アダプター,産業用スイッチング電源,インバーターなど
 

応用:

REASUNOS 高電圧MOSFET

REASUNOS 高電圧MOSFETは 高性能の超高周波MOSゲートトランジスタで,モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路のアプリケーション製造は中国広東で,100%T/Tを先行で保証し,月5KKの供給能力があります. 価格は製品によって異なります.

REASUNOS 高電圧MOSFETは,低オン抵抗と低リークで1μA未満に達することができます.その防塵,防水,反静的管状のパッケージ,紙箱の中に入れる総量に応じて 2 日から 30 日までの迅速な配達期間を保証します.

REASUNOS 高電圧 MOSFETは,あなたのモーターシリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回路アプリケーションのための完璧な選択です. 今あなたのを取得し,その高いパフォーマンスと信頼性を楽しむ!

 

サポートとサービス

高電圧MOSFETの技術サポートとサービス

XYZでは,高電圧MOSFETの動作を 確実に保つことが重要だと理解しています.経験豊富なエンジニアと技術者のチームは,最高のサービスを提供することに専念しています.

我々は幅広い技術サポートサービスを提供します.

  • 問題解決と診断
  • ソフトウェアとファームウェアの更新
  • ハードウェアの修理と交換
  • 設置・設定支援
  • システム最適化とパフォーマンス調整

高電圧MOSFETから最大限の利益を得られるよう 幅広いドキュメントと技術マニュアルも提供しています私たちのチームは,あなたの質問に答えるために24/7利用可能です..

 

梱包と輸送:

高電圧MOSFET製品の梱包と出荷

高電圧MOSFET製品は,抗静的袋で梱包され,出荷されます.この袋は,可能な電磁放電から製品を保護するように設計されています.そのあと 包帯 材料 を 詰め た 箱 に 置く輸送中に物理的な損傷から保護するために,泡の包装のようなもの.その箱は,その後,製品情報で封印され,ラベル付けされます.製品はその後,目的地に送られる準備ができています..

 

FAQ:

Q&A: 高電圧MOSFET

Q1: 高電圧MOSFETのブランド名は何ですか?

A1: 高電圧MOSFETのブランド名は REASUNOSです

Q2: 高電圧MOSFETの原産地はどこにあるのか?

A2: 高電圧MOSFETの原産地は CNの広東です.

Q3: 高電圧MOSFETの価格をどうやって得るか?

A3: 高電圧MOSFETの価格は製品によって確認されます.

Q4: 高電圧MOSFETにはどんなパッケージの詳細がありますか?

A4: 高電圧MOSFETは,防塵,防水,反静的管状のパッケージで,紙箱の中に入れます.

Q5: 高電圧MOSFETの配送時間はどのくらいですか?

A5: 高電圧MOSFETの配達時間は2~30日 (総量によって異なります).

Q6: 高電圧MOSFETの支払い条件は?

A6: 高電圧MOSFETの支払い条件は 100% T/T 前払い (EXW).

Q7: 高電圧MOSFETの供給能力は?

A7: 高電圧MOSFETの供給能力は 5KK / 月です.

札:

安定した高電圧電源モスフェット

耐熱 高電圧 シック モスフェット

工業用超高電圧トランジスタ