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Hochspannungs-MOSFET-Transistor Ultrahochspannungstechnologie
| Widerstand: | Niedriger Auf-Widerstand |
|---|---|
| Leckage: | Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen |
| Hochspg Mosfet-Anwendung: | LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. |
Ultrahohe Spannung MOSFET mit hervorragenden Eigenschaften bei hohen Temperaturen
| Hochspg Mosfet-Anwendung: | LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET |
| Produktbezeichnung: | Hochspannungs-MOSFET |
Ultra-HV-MOSFET für intelligente Zähler-Inverter mit hoher Wärmeverteilung
| Produktbezeichnung: | Hochspannungs-MOSFET |
|---|---|
| Typ: | N |
| Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung: | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. |
Ultra-HV-MOSFET für die Anwendung von LED-Treiber für Elektroenergiesysteme
| Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung: | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET |
| Leckage: | Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen |
Hochspannungs-MOSFET für LED-Treiber-Motorserien mit hoher Wärmeabsorption
| Vorteile: | Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig |
|---|---|
| Nennspannung: | Hochspannungs-/Ultrahochspannung |
| Wärmeableitung: | Große Wärmeableitung |
Anwendung von Ultra-HV-MOSFET-Smartmetern mit geringer Leckage 1 μ A für die industrielle Automatisierung
| Technologie: | MOSFET |
|---|---|
| Leckage: | Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen |
| Nennspannung: | Hochspannungs-/Ultrahochspannung |
Eingebettete FRD-Hochspannungs-MOSFET mit neuer seitlicher variabler Dopingtechnologie für industrielle Schaltanlage
| Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg: | Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen |
|---|---|
| Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung: | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. |
| Typ: | N |
Hochspannungs-MOSFET mit geringer Leckage Neue Lateralvariable Doping-Technologie
| Nennspannung: | Hochspannungs-/Ultrahochspannung |
|---|---|
| Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg: | Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen |
| Produktbezeichnung: | Hochspannungs-MOSFET |
Hochspannungs-MOSFET für industrielle Schaltanlage mit hoher Wärmeverteilung
| Technologie: | MOSFET |
|---|---|
| Hochspg Mosfet-Anwendung: | LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. |
| Produktbezeichnung: | Hochspannungs-MOSFET |
MOSFET eingebettete FRD HV Hochspannungs-FET für Anwendungen usw.
| Produktbezeichnung: | Hochspannungs-MOSFET |
|---|---|
| Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg: | Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen |
| Wärmeableitung: | Große Wärmeableitung |