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Hochspannungs-MOSFET für industrielle Schaltanlage mit hoher Wärmeverteilung
| Herkunftsort | Guangdong, KN |
|---|---|
| Markenname | REASUNOS |
| Preis | Confirm price based on product |
| Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
| Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
| Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |
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xProduktdetails
| Technologie | MOSFET | Hochspg Mosfet-Anwendung | LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. |
|---|---|---|---|
| Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET | Wärmeableitung | Große Wärmeableitung |
| Typ | N | Leckage | Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen |
| Widerstand | Niedriger Auf-Widerstand | Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. |
| Hervorheben | MOSFET für die industrielle Schaltanlage |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Produkt-Beschreibung
Beschreibung des Produkts:
Hochspannungs-MOSFET
Hochspannungs-MOSFETs sind eingebettete FRD-HV-MOSFETs, die eine sehr hohe Spannung und eine gute Wärmeableitung bieten, mit geringer Widerstandsleistung und MOSFET-Technologie.mit einer Breite von mehr als 20 mm,.
Hochspannungs-MOSFETs sind für eine überlegene Leistung mit fortschrittlichem thermischem Management und zuverlässigem Schutz vor Kurzschlüssen konzipiert.Sie eignen sich besonders für Leistungskritische Anwendungen, da sie eine hohe Effizienz und einen geringen Stromverbrauch bieten.
Zusätzlich zu einer hohen Spannung bieten diese MOSFETs auch einen geringen Einschaltwiderstand, der es ihnen ermöglicht, bei niedrigeren Temperaturen und höheren Frequenzen zu arbeiten.Dies stellt sicher, dass das Gerät eine zuverlässige Stromversorgung bieten und die Anforderungen seiner Anwendung erfüllen kann.
Mit ihren fortschrittlichen Funktionen und hohen Spannungswerte sind Hochspannungs-MOSFETs ideal für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet.und Unterhaltungselektronik, sowie in der Militär- und Luftfahrtindustrie.
Technische Parameter:
| Produktbezeichnung | Eigenschaften |
|---|---|
| Hochspannungs-MOSFET | Große Wärmeverteilung Hochspannung/Ultrahochspannung Neue Technologie für dopingbedingte Nebenwirkungen MOS-Struktur mit spezieller Leistung Ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen Typ: N Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendungen: Motorreihe, Inverter, Half-Bridge/Full-Bridge-Schaltkreis-Anwendungen usw. Anwendungen von HV Mosfet: LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Inverter usw. Ultra-HV-MOSFET-Anwendungen: Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltstromversorgung, elektrisches Stromsystem usw. Niedriger Einsatzwiderstand |
Anwendungen:
Hochspannungs-MOSFETs werden häufig in eingebetteten FRD-Systemen, Hochspannungs-MOS-Gate-Transistoren und Hochspannungs-FETs verwendet.Es ist für den Betrieb bei hohen Temperaturen ausgelegt und verfügt über eine überlegene Leistung MOS Struktur und neue seitliche variable Doping-TechnologieDie Spannungsbewertung ist hohe Spannung/ultra-hohe Spannung und der Betriebswiderstand ist gering.
REASUNOS Hochspannungs-MOSFET ist zu einem günstigen Preis erhältlich und in staub-, wasser- und antistatischer Rohrverpackung in Karton verpackt.Lieferzeit beträgt 2-30 Tage je nach GesamtmengeDie Zahlungsfrist beträgt 100% T/T im Voraus (EXW).
Unterstützung und Dienstleistungen:
- Technische Unterstützung für Hochspannungs-MOSFET
- Anleitung zur Fehlerbehebung
- Produktleistung Optimierung
- Nutzungsszenario Beratung
- Hochspannungs-MOSFET-Dienstleistungen
- Technischer Support rund um die Uhr
- Unterstützung bei der Einrichtung und Installation
- Softwareaktualisierungen und Upgrades
Verpackung und Versand:
Hochspannungs-MOSFETs müssen nach folgenden Anforderungen verpackt und versandt werden:
- Das Gerät muss in einem Beutel mit elektrostatischer Entladung (ESD) verpackt sein, um es vor statischer Elektrizität zu schützen.
- Die Verpackung sollte klar mit dem Produktnamen und der Bauteilnummer versehen sein.
- Die Verpackung sollte auch eine Verpackungsliste enthalten, die die Menge der Produkte, die Teilnummer und alle anderen einschlägigen Informationen enthält.
- Die Verpackung sollte in einem Karton geliefert werden, der stark genug ist, um das Gerät vor Stoß und Vibrationen zu schützen.
- Die Box muss mit dem Produktnamen, der Teilnummer und der Bestimmungsadresse versehen sein.
- Die Verpackung sollte auch eine innere Verpackung für zusätzlichen Schutz enthalten.
- Das Paket sollte über einen zuverlässigen Versanddienst versandt werden, der Nachverfolgungsinformationen bereitstellen kann.
Häufige Fragen:
Hochspannungs-MOSFET Häufig gestellte Fragen und Antworten
F1: Wie lautet der Markenname des Hochspannungs-MOSFET?A1: Der Markenname des Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
F2: Wo wird das Hochspannungs-MOSFET hergestellt?
A2: Das Hochspannungs-MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.
F3: Wie hoch ist der Preis für das Hochspannungs-MOSFET?
A3: Der Preis des Hochspannungs-MOSFET hängt vom Produkt ab. Bitte bestätigen Sie den Preis beim Lieferanten.
F4: Wie ist die Verpackung des Hochspannungs-MOSFET?
A4: Das Hochspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.
F5: Wie lange dauert die Lieferung des Hochspannungs-MOSFET?
A5: Die Lieferzeit des Hochspannungs-MOSFET hängt von der Gesamtmenge ab.
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