Ultrahohe Spannung MOSFET mit hervorragenden Eigenschaften bei hohen Temperaturen

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Hochspg Mosfet-Anwendung LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. Technologie MOSFET
Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET Typ N
Vorteile Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig Nennspannung Hochspannungs-/Ultrahochspannung
Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. Wärmeableitung Große Wärmeableitung
Hervorheben

MOSFET mit hoher Temperatur und hoher Spannung

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Ausgezeichnete Eigenschaften Hochspannungs-MOSFET

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Ausgezeichnete Eigenschaften MOSFET

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

Hochspannungs-MOSFET: Der Transistor, auf den man sich verlassen kann

Ein Hochspannungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Mosfet-Transistor, der für Ultra-Hochspannungsanwendungen entwickelt wurde.Es ist mit einer neuen seitlichen variablen Dopingtechnologie ausgestattet, die es ihm ermöglicht, hervorragende Eigenschaften in hohem Temperaturumfeld zu erreichen.Darüber hinaus bietet die spezielle Power MOS-Struktur eine überlegene Fähigkeit zur Wärmeableitung sowie einen geringen Einschaltwiderstand.

Hochspannungs-MOSFET ist die ideale Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen wie intelligente Zähler, Schrankenstromversorgungen, industrielle Schaltstromversorgungen und elektrische Stromversorgungssysteme.Der Transistor ist so konzipiert, dass er in Hochspannungs- und Hochtemperaturumgebungen eine hohe Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit bietet, so dass es die perfekte Wahl für diejenigen ist, die einen zuverlässigen und zuverlässigen Transistor brauchen.

Hochspannungs-MOSFET ist die perfekte Wahl für diejenigen, die nach einem zuverlässigen, zuverlässigen und leistungsstarken Transistor suchen, der Ultra-Hochspannungsanwendungen bewältigen kann.Die neue dopingtechnische Variante, spezielle Leistung MOS-Struktur, und ausgezeichnete Eigenschaften in Hochtemperaturumgebungen machen es zu einer idealen Wahl für diejenigen, die einen Transistor benötigen, auf den sie zählen können.

 

Technische Parameter:

Parameter Wert
Typ N
Anwendung von HV Mosfet LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw.
Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Leckage Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen
Technologie MOSFET
Anwendung von Ultra-HV-MOSFET Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw.
Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw.
Nennspannung Hochspannung/Ultrahochspannung
Wärmeabbau Große Wärmeverteilung
Widerstand Niedriger Einsatzwiderstand
 

Anwendungen:

REASUNOS Hochspannungs-MOSFET ist ein leistungsfähiges, hochwertiges Produkt mit hoher Wärmeabgabe und geringem Widerstand. Es ist speziell für industrielle Anwendungen wie LED-Treiber,mit einer Leistung von mehr als 50 kWEs handelt sich um ein eingebettetes FRD HV MOSFET mit ultrahoher Spannung, das in rauen Umgebungen stabil arbeiten kann.Seine hervorragende Leistung und zuverlässige Qualität machen ihn zur besten Wahl für Kunden.

Unser Hochspannungs-MOSFET ist in staub-, wasser- und antistatischer Rohrverpackung erhältlich, in einer Kartonschachtel in Kartons.und unsere Versorgungsfähigkeit beträgt 5KK/Monat. Wir akzeptieren 100% T/T im Voraus ((EXW) Zahlungsbedingungen, und die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage je nach Gesamtmenge.

Wählen Sie REASUNOS Hochspannungs-MOSFET und Sie erhalten ein zuverlässiges Qualitätsprodukt mit großer Wärmeabgabe, ultrahoher Spannungsbewertung und geringem Widerstand.Unser Produkt ist die beste Wahl für industrielle Anwendungen.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Dienstleistungen für Hochspannungs-MOSFET

Bei uns bieten wir technischen Support und Dienstleistungen für unsere Kunden, die sich für den Kauf unserer Hochspannungs-MOSFET-Produkte entscheiden.Betrieb, Fehlerbehebung und Wartung ihrer Produkte, und wir sind hier, um zu helfen.

Unsere technischen Dienstleistungen umfassen:

  • Installationshilfe
  • Betriebsanleitung
  • Unterstützung bei der Fehlerbehebung
  • Wartungsempfehlungen
  • Ersatzteile und Komponenten

Wenn Sie Probleme mit unseren Hochspannungs-MOSFET-Produkten haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFET

Hochspannungs-MOSFETs werden in ESD-sicheren Verpackungen verpackt und versandt.Die Verpackungen sind mit dem Produktnamen gekennzeichnetDie Pakete werden dann in robuste Kartons mit einem Polstermaterial wie Schaum oder Blasenfolie verpackt, um Schäden während des Versands zu vermeiden.

Hochspannungs-MOSFETs werden je nach Bedarf des Kunden per Standard-Boden-, Beschleunigungs- oder Übernachtungsversand versandt.Während beschleunigte und Übernachtung Versandoptionen gegen eine zusätzliche Gebühr zur Verfügung stehenDie Kunden erhalten die Nachverfolgungsinformationen, nachdem das Produkt versandt wurde.

 

Häufige Fragen:

F: Wie heißt der Hochspannungs-MOSFET?

A:Der Markenname des Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.

F: Woher kommt das Hochspannungs-MOSFET?

A:Das Hochspannungs-MOSFET stammt aus Guangdong, China.

F: Wie viel kostet das Hochspannungs-MOSFET?

A:Der Preis des Hochspannungs-MOSFET hängt vom Produkt ab.

F: Wie ist das Hochspannungs-MOSFET verpackt?

A:Das Hochspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt.

F: Wie lange dauert die Lieferung des Hochspannungs-MOSFET?

A:Die Lieferzeit des Hochspannungs-MOSFET hängt von der Gesamtmenge ab, in der Regel dauert sie 2-30 Tage.

F: Welche Zahlungsbedingungen gelten für das Hochspannungs-MOSFET?

A:Die Zahlungsbedingungen für das Hochspannungs-MOSFET sind 100% T/T im Voraus (EXW).