고온에서 우수한 특성을 가진 초고전압 MOSFET

원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
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제품 상세 정보
HV MOSFET 애플리케이션 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 인버터 등 기술 MOSFET
제품 이름 고전압 MOSFET 종류
장점 새로운 측면 가변 도핑 기술, 특수 Power MOS 구조, 고온 특성이 우수합니다. 전압 정격 고전압/초고압
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지/풀 브리지 회로 애플리케이션 등 방열 뛰어난 열 방출
강조하다

고온 고전압 MOSFET

,

우수한 특성 고전압 MOSFET

,

우수한 특성 MOSFET

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

제품 설명:

고전압 MOSFET: 믿을 수 있는 트랜지스터

고전압 MOSFET는 초고전압 애플리케이션을 위해 설계된 고전압 전력 MOSFET 트랜지스터이다.그것은 높은 온도 환경에서 우수한 특성을 달성 할 수 있도록 새로운 변동 변동 도핑 기술을 갖추고 있습니다.또한, 그것의 특별한 파워 MOS 구조는 열을 분산하는 뛰어난 능력을 제공, 그리고 낮은 온 저항.

고전압 MOSFET는 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업 스위치 전원 공급 장치 및 전기 전력 시스템과 같은 다양한 응용 분야에 이상적인 선택입니다.트랜지스터는 고전압 및 고온 환경에서 뛰어난 성능과 신뢰성을 제공하기 위해 설계되었습니다., 그것은 신뢰할 수 있고 신뢰할 수 있는 트랜지스터를 필요로 하는 사람들을위한 완벽한 선택입니다.

고전압 MOSFET는 초고전압 애플리케이션을 처리할 수 있는 신뢰할 수 있고 안정적이고 고성능 트랜지스터를 찾는 사람들에게 완벽한 선택입니다.새로운 변동성 부작용, 특별한 전력 MOS 구조, 고온 환경에서 우수한 특성은 그들이 의지 할 수있는 트랜지스터가 필요한 사람들에게 이상적인 선택으로 만듭니다.

 

기술 매개 변수:

매개 변수 가치
종류 N
HV 모스페트 적용 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터 등
제품 이름 고전압 MOSFET
누출 낮은 누출은 1μA 이하로 도달 할 수 있습니다.
기술 MOSFET
초고압 MOSFET 적용 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급, 산업 스위칭 전력 공급, 전기 전력 시스템, 등
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지 / 풀 브리지 회로 응용 프로그램, 등
전압 등급 고전압/극대고전압
열 분산 큰 열 분산
저항력 낮은 전원 저항
 

응용 프로그램:

REASUNOS 고전압 MOSFET는 고성능, 고품질의 제품으로 열 분산이 뛰어나고 전원 저항이 낮습니다. 특히 LED 드라이버,어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터 등이 있습니다. 그것은 초고 전압 등급을 가진 내장 FRD HV MOSFET이며, 혹독한 환경에서 안정적으로 작동 할 수 있습니다.그것의 우수한 성능과 신뢰할 수있는 품질은 고객을위한 최고의 선택.

우리의 고전압 MOSFET는 먼지, 방수, 그리고 반 정적 튜버형 포장재로 제공됩니다.그리고 우리의 공급 능력은 5KK/월입니다. 우리는 100% T / T를 미리 받아 들인다 (EXW) 지불 조건, 그리고 배달 시간은 전체 양에 따라 2-30일입니다.

REASUNOS의 고전압 MOSFET를 선택하면 높은 열 분산, 초고전압 등급 및 낮은 저항으로 신뢰할 수 있는 품질의 제품을 얻을 수 있습니다.우리의 제품은 산업용 애플리케이션에 가장 좋은 선택입니다.

 

지원 및 서비스:

고전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

저희 회사에서는 고전압 MOSFET 제품을 구매하는 고객에게 기술 지원과 서비스를 제공합니다.작업, 문제 해결, 그리고 그들의 제품의 유지보수, 그리고 우리는 여기에 도움이 있습니다.

우리의 기술 지원 및 서비스는 다음을 포함합니다:

  • 설치 지원
  • 운영 지침
  • 문제 해결 지원
  • 유지보수 권고
  • 대체 부품 및 부품

만약 당신이 우리의 고전압 MOSFET 제품으로 어떤 문제를 겪고 있다면, 저희에게 연락하는 것을 주저하지 마십시오. 우리의 지식과 경험이 풍부한 팀은 항상 도움이 준비되어 있습니다.

 

포장 및 운송:

고전압 MOSFET 의 포장 및 운송

고전압 MOSFET는 ESD 안전 패키지에 포장되어 배송됩니다. ESD 안전 패키지는 추가 보호를 위해 거품 포장 또는 공기 가득 찬 가방 및 / 또는 거품 패딩을 포함합니다.패키지는 제품 이름과 함께 표시됩니다., 설명 및 바코드. 패키지는 운송 중에 손상을 방지하기 위해 폼 또는 거품 포장과 같은 완충 물질이있는 견고한 카드 박스에 배치됩니다.

고전압 MOSFET는 고객의 필요에 따라 표준 지상, 가속, 또는 하루 중 배송을 통해 배송됩니다. 표준 지상 운송은 일반적으로 3-7 일,추가 요금으로 가속화 및 하루 중 배송 옵션이 제공됩니다.고객들은 제품이 배송된 후에 추적 정보를 받게 됩니다.

 

FAQ:

Q: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?

A:고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.

Q: 고전압 MOSFET은 어디서 왔나요?

A:고전압 MOSFET는 중국 광둥에서 왔습니다.

Q: 고전압 MOSFET의 가격은 얼마인가요?

A:고전압 MOSFET의 가격은 제품에 따라 달라집니다.

Q: 고전압 MOSFET는 어떻게 포장됩니까?

A:고전압 MOSFET는 먼지, 방수, 반 정적 튜버형 포장으로 포장되어 있으며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.

Q: 고전압 MOSFET를 공급하는 데 얼마나 걸리나요?

A:고전압 MOSFET의 배송 시간은 전체 양에 따라 다르며 일반적으로 2-30일 정도 걸립니다.

Q: 고전압 MOSFET에 대한 지불 조건은 무엇입니까?

A:고전압 MOSFET의 지불 조건은 100% T/T Advance (EXW) 입니다.