고전압 MOSFET 대열 분산과 함께 산업 전환 전원 공급

원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
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공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
기술 MOSFET HV MOSFET 애플리케이션 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 인버터 등
제품 이름 고전압 MOSFET 방열 뛰어난 열 방출
종류 누출 낮은 누설은 1 µ A 미만에 도달할 수 있습니다.
저항 낮은 온 저항 임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지/풀 브리지 회로 애플리케이션 등
강조하다

산업용 스위치 전원 공급 MOSFET

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

제품 설명:

고전압 MOSFET

고전압 MOSFET는 첨부 FRD HV MOSFET로, 초고전압 등급과 뛰어난 열분 dissipating을 제공하며, 낮은 온 저항과 MOSFET 기술을 제공합니다. 이 유형의 MOSFET는 N 타입입니다.고전압 및/또는 초고전압 전원 공급을 필요로 하는 다양한 애플리케이션에 적합합니다..

고전압 MOSFET는 뛰어난 성능을 위해 고도로 설계되어 있으며, 첨단 열 관리 및 단회로에 대한 신뢰할 수있는 보호 기능을 제공합니다.그들은 특히 전력 결정적인 응용 프로그램에 적합합니다., 그들은 높은 효율과 낮은 전력 소비를 제공하기 위해 설계되었습니다.

고전압 등급을 제공하는 것 외에도 이 MOSFET들은 낮은 전원 저항을 제공하여 낮은 온도와 높은 주파수에서 작동할 수 있습니다.이것은 장치가 신뢰할 수있는 전원 공급을 제공하고 응용 프로그램의 요구 사항을 충족 할 수 있는지 확인합니다..

첨단 기능과 고전압 등급으로, 고전압 MOSFET는 다양한 응용 프로그램에 이상적입니다. 그들은 의료, 자동차, 산업,소비자 전자제품, 또한 군사 및 항공 우주 산업에서.

 

기술 매개 변수:

제품 이름 특징
고전압 MOSFET 큰 열 분산
고전압/극대고전압
새로운 변변성 양측 도핑 기술
특수 전력 MOS 구조
높은 온도 에서 탁월 한 특성
낮은 누출은 1μA 이하로 도달 할 수 있습니다.
종류: N
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션: 모터 시리즈, 인버터, 하프 브릿지 / 풀 브릿지 회로 애플리케이션 등
HV 모스페트 애플리케이션: LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터 등
울트라-HV MOSFET 응용: 스마트 미터, 캐비닛 전력 공급, 산업 스위칭 전력 공급, 전기 전력 시스템, 등.
낮은 전원 저항
 

응용 프로그램:

고전압 MOSFET는 임베디드 FRD 시스템, 고전압 MOS 게이트 트랜지스터 및 고전압 FET에서 널리 사용됩니다. REASUNOS는 뛰어난 특성을 가진 새로운 고전압 MOSFET을 개발했습니다.그것은 고온 작동을 위해 설계되어 있으며 우수한 전력 MOS 구조와 새로운 변동 변동 도핑 기술을 갖추고 있습니다.. 그 전압 등급은 고전압 / 초고전압이며 온 저항은 낮습니다. 또한 훌륭한 열 방출을 제공합니다.

REASUNOS 고전압 MOSFET 는 경쟁력 있는 가격 에 판매 되고 있으며, 먼지, 물, 반 정적 인 튜브형 포장재 로 제공 됩니다. 이 튜브 는 고전지 상자 안 에 있는 카튼 상자 에 배치 됩니다.배송 시간은 2~30일이며, 전체 수량에 따라 달라집니다.지불 기간은 100% T / T 사전 (EXW). 회사는 5KK / 월의 공급 능력을 제공합니다.

 

지원 및 서비스:

  • 고전압 MOSFET 기술 지원
    • 문제 해결 지침
    • 제품 성능 최적화
    • 사용 시나리오 컨설팅
  • 고전압 MOSFET 서비스
    • 24/7 기술 지원
    • 설치 및 설치에 대한 도움
    • 소프트웨어 업데이트 및 업그레이드
 

포장 및 운송:

고전압 MOSFET는 다음의 요구 사항에 따라 포장되고 배송되어야 합니다.

  • 장치는 정전 전기로부터 보호하기 위해 정전 전기 방출 (ESD) 봉지에 포장되어야 합니다.
  • 패키지에는 제품 이름과 부품 번호가 명확하게 표시되어야 합니다.
  • 패키지는 또한 장치의 양, 부품 번호 및 기타 관련 정보를 포함하는 패키지 목록을 포함해야합니다.
  • 패키지는 충격과 진동으로부터 장치를 보호하기 위해 충분히 튼튼한 상자에 배송되어야 합니다.
  • 상자에는 제품 이름, 부품 번호 및 목적지 주소가 표시되어야 합니다.
  • 패키지는 또한 추가적인 보호를 위해 내부 상자를 포함해야합니다.
  • 패키지는 추적 정보를 제공할 수 있는 신뢰할 수 있는 운송 서비스를 통해 배송되어야 합니다.
 

FAQ:

고전압 MOSFET 자주 묻는 질문 및 대답
Q1: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?
A1: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.
Q2: 고전압 MOSFET는 어디에서 생산됩니까?
A2: 고전압 MOSFET는 중국 광둥에서 생산됩니다.
Q3: 고전압 MOSFET의 가격은 무엇입니까?
A3: 고전압 MOSFET의 가격은 제품에 따라 달라집니다. 공급 업체와 가격을 확인하십시오.
Q4: 고전압 MOSFET의 패키지는 무엇입니까?
A4: 고전압 MOSFET는 먼지, 방수, 반 정적 튜버형 포장으로 포장되어 있으며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.
Q5: 고전압 MOSFET를 공급하는 데 얼마나 걸리나요?
A5: 고전압 MOSFET의 배달 시간은 총량에 달려 있습니다. 배달 시간은 일반적으로 2 ~ 30 일입니다.