N-Typ Hochspannungs-MOSFET eingebettete FRD mit niedrigem Widerstand für den Motor

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Leckage Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen Hochspg Mosfet-Anwendung LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw.
Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. Wärmeableitung Große Wärmeableitung
Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET Typ N
Widerstand Niedriger Auf-Widerstand Nennspannung Hochspannungs-/Ultrahochspannung
Hervorheben

N-Typ Hochspannungs-MOSFET

,

Hochspannungs-MOSFET eingebettete FRD

,

Motor Mosfet Typ N

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

Hochspannungs-MOSFET: eingebettete FRD-Hochspannungs-MOSFET mit hoher Wärmeverteilung und spezieller Leistungsstruktur

High Voltage MOSFET ist eine Art N-Hochspannungs-MOSFET-Transistor mit spezieller Leistungs-MOS-Struktur und neuer seitlicher variabler Dopingtechnologie.Die integrierte Struktur unseres Hochspannungs-MOSFET bietet hervorragende Eigenschaften bei hohen Temperaturen, was es zu einer idealen Wahl für intelligente Zähler, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltstromversorgung und elektrisches Stromsystem usw. macht.

Das einzigartige Design unseres Hochspannungs-MOSFET hat folgende Vorteile:

  • Große Wärmeableitung
  • Neue Technologie für die dopingbedingte Verlagerung
  • MOS-Struktur für Spezialleistung
  • Ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen

Unser eingebettetes FRD-Hochspannungs-MOSFET wurde nach den höchsten Sicherheits- und Leistungsstandards getestet und zertifiziert, um einen effizienten und zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Technische Parameter
Hochspannungs-MOSFET Typ: N
Spannungsbewertung: Hochspannung/Ultrahohe Spannung
Widerstand: Niedriger Einschaltwiderstand
Technologie: MOSFET
Leckage: Eine geringe Leckage kann weniger als 1 μA erreichen
Wärmeabbau: Große Wärmeabbau
Vorteile: Neue Lateralvariable Doping-Technologie, spezielle Leistungs-MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hoher Temperatur.
Anwendungsbereich: LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Inverter, Motorreihe, Inverter, Half-Bridge/Full-Bridge-Schaltkreis-Anwendungen usw.
 

Anwendungen:

REASUNOS High Voltage MOSFET ist ein zuverlässiges und robustes Leistungshalbleitergerät, das speziell für Hochspannungsanwendungen entwickelt wurde.Dies macht es ideal für die Motorenerie., Wechselrichter, Halbbrücke/Fullbrücke-Schaltkreis-Anwendungen und andere Strom-Anwendungen.und antistatische Rohrverpackungen für zuverlässige Leistung und Schutz. Es ist zu einem wettbewerbsfähigen Preis erhältlich und verfügt über eine Lieferkapazität von 5KK / Monat. Die Zahlungsbedingungen sind 100% T / T im Voraus (EXW). Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

High Voltage MOSFET bietet technische Unterstützung und Service für seine Produkte an. Dazu gehört die Bereitstellung von Kundendienst, die Beantwortung von Produktfragen, die Lösung von Produktproblemen, dieund die Bereitstellung von Produktwartung und ReparaturDarüber hinaus können unsere sachkundigen Mitarbeiter den Kunden bei der Einrichtung und dem Betrieb ihres Produkts technische Hilfe leisten.

Für weitere Informationen über unseren technischen Support und unseren Service für Hochspannungs-MOSFET-Produkte kontaktieren Sie uns bitte unter info@example.com.

 

Verpackung und Versand:

Das Hochspannungs-MOSFET muss gemäß den folgenden Richtlinien verpackt und versandt werden:

  • Die Verpackung muss versiegelt sein, um Schäden am Produkt zu vermeiden.
  • Die Verpackung muss mit den Produktspezifikationen versehen sein.
  • Der Versand muss durch einen zuverlässigen Spediteur erfolgen.
  • Es sind die Nachverfolgungsinformationen anzugeben.
  • Der Versand muss rechtzeitig erfolgen.
 

Häufige Fragen:

F: Wie heißt dieser Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Markenname dieses Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
F: Woher kommt dieses Hochspannungs-MOSFET?
A: Dieses Hochspannungs-MOSFET stammt aus Guangdong, China.
F: Wie viel kostet dieses Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Preis dieses Hochspannungs-MOSFET wird je nach Produkt bestätigt.
F: Welche Art von Verpackung wird für dieses Hochspannungs-MOSFET verwendet?
A:Dieses Hochspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.
F: Wie lange dauert die Lieferung dieses Hochspannungs-MOSFET?
A: Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, je nach Gesamtmenge.