MOSFET à haute tension de type N FRD intégré à faible résistance pour moteur

Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Fuite La basse fuite peut atteindre moins de 1 µ A Application de transistor MOSFET de HT Conducteur de LED, adaptateurs, alimentation d'énergie de changement industrielle, inverseurs etc.
Application incluse de transistor MOSFET de HT de FRD Série de moteur, inverseur, demi pont/pleines applications de montage en pont, etc. dissipation thermique Grande dissipation thermique
Nom du produit Transistor MOSFET à haute tension Le type N
Résistance Basse Sur-résistance Estimation de tension Tension à haute tension/ultra-haute
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N type MOSFET haute tension

,

FRD intégré MOSFET haute tension

,

Moteur de type N Mosfet

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Description de produit

Description du produit:

MOSFET haute tension: MOSFET haute tension FRD intégré avec une grande dissipation thermique et une structure MOS de puissance spéciale

Le MOSFET haute tension est un type de transistor MOSFET haute tension N avec une structure MOS de puissance spéciale et une nouvelle technologie de dopage variable latérale.La structure intégrée de notre MOSFET haute tension offre d'excellentes caractéristiques à haute température, ce qui en fait un choix idéal pour le compteur intelligent, l'alimentation électrique de l'armoire, l'alimentation électrique de commutation industrielle et le système électrique, etc.

La conception unique de notre MOSFET haute tension présente les avantages suivants:

  • Grande dissipation de chaleur
  • Nouvelle technologie de dopage variable latérale
  • Structure du MOS de puissance spéciale
  • Excellentes caractéristiques à haute température

Notre MOSFET à haute tension FRD intégré a été testé et certifié selon les normes les plus élevées de sécurité et de performance, garantissant un fonctionnement efficace et fiable.

 

Paramètres techniques:

Nom du produit Paramètres techniques
MOSFET haute tension Type: N
Rating de tension: haute tension/ultra-haute tension
Résistance: faible
Technologie: MOSFET
Fuite: une faible fuite peut atteindre moins de 1 μA
Dissipation de chaleur: grande dissipation de chaleur
Avantages: nouvelle technologie de dopage variable latérale, structure MOS de puissance spéciale, excellentes caractéristiques à haute température.
Application: pilote LED, adaptateurs, alimentation électrique par commutation industrielle, onduleurs, série de moteurs, onduleurs, applications de circuit à demi-pont/plein pont, etc.
 

Applications:

REASUNOS High Voltage MOSFET est un dispositif de puissance semi-conducteur fiable et robuste spécialement conçu pour les applications à haute tension.ce qui le rend idéal pour les séries automobilesIl est également doté d'une bonne dissipation de chaleur, d'une faible résistance à l'allumage et d'une résistance à la poussière, à l'eau,et emballage tubulaire antistatique pour des performances et une protection fiablesIl est disponible à un prix compétitif et a une capacité d'approvisionnement de 5KK / mois. Les conditions de paiement sont 100% T / T à l'avance (EXW). Le délai de livraison est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.

 

Assistance et services:

MOSFET offre un support technique et un service pour ses produits.et fournir l'entretien et la réparation des produitsEn outre, notre personnel compétent peut fournir une assistance technique aux clients dans la mise en place et l'exploitation de leur produit.

Pour plus d'informations sur notre support technique et notre service pour les produits MOSFET haute tension, veuillez nous contacter à info@example.com.

 

Emballage et expédition

Le MOSFET haute tension doit être emballé et expédié conformément aux directives suivantes:

  • L'emballage doit être scellé pour éviter tout dommage au produit.
  • L'emballage doit être étiqueté avec les spécifications du produit.
  • L'expédition doit être effectuée par un transporteur fiable.
  • Des informations de suivi doivent être fournies.
  • L'expédition doit être effectuée en temps opportun.
 

FAQ:

Q: Quel est le nom de marque de ce MOSFET haute tension?
R: Le nom de marque de ce MOSFET haute tension est REASUNOS.
Q: D'où vient ce MOSFET haute tension?
R: Ce MOSFET haute tension est du Guangdong, en Chine.
Q: Combien coûte ce MOSFET haute tension?
R:Le prix de ce MOSFET haute tension sera confirmé en fonction du produit.
Q: Quel type d'emballage est utilisé pour ce MOSFET haute tension?
R:Ce MOSFET haute tension est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique et placé dans une boîte en carton dans des cartons.
Q: Combien de temps faut-il pour livrer ce MOSFET haute tension?
R: Le délai de livraison sera de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.