N 타입 고전압 MOSFET 모터에 대한 저항이 낮은 내장 FRD

원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
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공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
누출 낮은 누설은 1 µ A 미만에 도달할 수 있습니다. HV MOSFET 애플리케이션 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 인버터 등
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지/풀 브리지 회로 애플리케이션 등 방열 뛰어난 열 방출
제품 이름 고전압 MOSFET 종류
저항 낮은 온 저항 전압 정격 고전압/초고압
강조하다

N형 고전압 MOSFET

,

고전압 MOSFET 내장 FRD

,

모터 N 타입 모스페트

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

제품 설명:

고전압 MOSFET: 장착된 FRD 고전압 MOSFET

고전압 MOSFET는 특수 전력 MOS 구조와 새로운 변수 변수 도핑 기술을 갖춘 N 고전압 MOSFET 트랜지스터의 일종입니다.우리의 고전압 MOSFET의 통합 구조는 높은 온도에서 우수한 특성을 제공합니다이는 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급, 산업 스위치 전원 공급 및 전기 전력 시스템 등에 이상적인 선택이됩니다.

우리의 고전압 MOSFET의 독특한 디자인은 다음과 같은 장점을 가지고 있습니다:

  • 큰 열 분산
  • 새로운 변변성 부변 도핑 기술
  • 특수 전력 MOS 구조
  • 높은 온도에서 우수한 특성

우리의 내장된 FRD 고전압 MOSFET는 안전과 성능의 최고 표준에 따라 테스트되고 인증되어 효율적이고 신뢰할 수있는 운영을 보장합니다.

 

기술 매개 변수:

제품 이름 기술 매개 변수
고전압 MOSFET 종류: N
전압 등급: 고전압/우상고전압
저항: 낮은 켜기 저항
기술: MOSFET
누출: 낮은 누출은 1 μ A 이하로 도달 할 수 있습니다.
열분산: 큰 열분산
장점: 새로운 변변성 후방 도핑 기술, 특수 전력 MOS 구조, 높은 온도에서 우수한 특성.
응용 프로그램: LED 드라이버, 어댑터, 산업 스위칭 전원 공급 장치, 인버터, 모터 시리즈, 인버터, 반 브릿지 / 풀 브릿지 회로 응용 프로그램 등.
 

응용 프로그램:

REASUNOS 고전압 MOSFET는 고전압 애플리케이션을 위해 특별히 설계된 신뢰할 수 있고 견고한 전력 반도체 장치입니다.모터 시리즈에 적합합니다., 인버터, 반 브릿지 / 풀 브릿지 회로 응용 프로그램, 그리고 다른 전력 응용 프로그램. 그것은 또한 큰 열 분산, 낮은 저항, 그리고 먼지 방지, 방수,그리고 안정적인 성능과 보호를 위해 반 정적 튜브 포장을. 경쟁력 있는 가격에 제공되며 5KK / 월의 공급 능력을 가지고 있습니다. 지불 조건은 100% T / T 사전에 (EXW). 배달 시간은 전체 양에 따라 2-30 일입니다.

 

지원 및 서비스:

고전압 MOSFET는 제품에 대한 기술 지원 및 서비스를 제공합니다. 여기에는 고객 지원, 제품 질문에 답, 제품 문제를 해결,그리고 제품 유지보수 및 수리를 제공또한, 우리의 숙련된 직원은 고객의 제품 설정 및 운영에 기술 지원을 제공할 수 있습니다.

고전압 MOSFET 제품에 대한 기술 지원 및 서비스에 대한 자세한 내용은 info@example.com에서 문의하십시오.

 

포장 및 운송:

고전압 MOSFET는 다음 지침에 따라 포장 및 배송되어야 합니다.

  • 제품 손상 예방을 위해 패키지는 밀폐되어야 합니다.
  • 패키지에는 제품 사양이 표시되어야 합니다.
  • 배송은 신뢰할 수 있는 운송사를 통해 이루어져야 합니다.
  • 추적 정보가 제공되어야 합니다.
  • 배송은 제때 이루어져야 합니다.
 

FAQ:

Q: 이 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?
A:이 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.
Q: 이 고전압 MOSFET은 어디서 왔나요?
A: 이 고전압 MOSFET는 중국 광둥에서 왔습니다.
Q: 이 고전압 MOSFET 비용은 얼마일까요?
A:이 고전압 MOSFET의 가격은 제품에 따라 확인됩니다.
Q:이 고전압 MOSFET에 어떤 종류의 포장을 사용합니까?
A:이 고전압 MOSFET는 먼지, 방수 및 반 정적 튜버형 포장지에 포장되어 고판 상자에 배치됩니다.
Q: 이 고전압 MOSFET를 공급하는 데 얼마나 걸릴까요?
A: 배달 시간은 전체 양에 따라 2-30일입니다.