Все продукты
N канал высоковольтный MOSFET многофункциональный 1uA для адаптеров
| Место происхождения | Гуандун, CN |
|---|---|
| Фирменное наименование | REASUNOS |
| Цена | Confirm price based on product |
| Упаковывая детали | Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка |
| Время доставки | 2-30 дней (зависит от общего количества) |
| Условия оплаты | 100% T/T заранее ((EXW) |
| Поставка способности | 5кк/месяц |
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Технологии | MOSFET | Утечка | Низкая утечка может достигнуть меньше чем 1 µ a |
|---|---|---|---|
| Сопротивление | Низкое На-сопротивление | Применение MOSFET Ультра-HV | Умный метр, электропитание шкафа, промышленное переключая электропитание, система электропитания, Et |
| Врезанное применение MOSFET HV FRD | Серия мотора, инвертор, половинный мост/полные применения мостиковой схемы, Etc. | Тип | N |
| Преимущества | Новая боковая переменная давая допинг технология, особенная структура MOS силы, превосходные характе | тепловыделение | Большее тепловыделение |
| Выделить | N-канал высоковольтного MOSFET,Высоковольтный MOSFET многофункциональный,Адапторы высокое напряжение N канал Mosfet |
||
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Характер продукции
Описание продукта:
MOSFET высокого напряжения - это высокопроизводительный транзистор MOS-gate. Он встроен в FRD HV MOSFET (MOSFET высокого напряжения с уменьшенной диффузией поля),который обеспечивает отличные характеристики при высоких температурахЭтот транзистор оснащен новой технологией латерального переменного допинга и специальной силовой структурой MOS, что делает его подходящим для различных применений, требующих высокого напряжения и сверхвысокого напряжения.например, светодиодный драйвер, адаптеры, промышленные коммутаторы питания, инверторы и т.д.
Высоковольтный MOSFET имеет множество преимуществ, таких как выдающиеся характеристики при высоких температурах, отличные характеристики при высоких температурах и высокое напряжение / ультравысокое напряжение.Он также имеет низкое сопротивление и быструю скорость переключения, что делает его подходящим для многих применений высокого напряжения.его специальная структура MOS мощности и боковая технология переменного допинга гарантируют, что он может выдерживать высокое напряжение и может использоваться в течение многих лет без какой-либо деградации.
Высоковольтный MOSFET является идеальным выбором для различных приложений, требующих высокого напряжения и сверхвысокого напряжения.Имеет отличные характеристики при высоких температурах и обеспечивает выдающиеся характеристики при высоких температурахБлагодаря новой технологии латерального переменного допинга и специальной структуре MOS мощности, он является идеальным выбором для светодиодных драйверов, адаптеров, промышленного питания, инверторов и т. д.
Технические параметры:
| Наименование продукта | Параметр |
|---|---|
| MOSFET высокого напряжения | Новая технология латерального переменного допинга, специальная структура MOS с мощностью, отличные характеристики при высоких температурах. |
| Применение HV Mosfet | Диодный драйвер, адаптеры, промышленные переключатели питания, инверторы и т.д. |
| Сопротивление | Низкое сопротивление |
| Применение ультра-ВВ MOSFET | Умный счетчик, электроснабжение кабинета, промышленное переключающее электроснабжение, система электроэнергии и т.д. |
| Рассеивание тепла | Большое рассеивание тепла |
| Встроенное приложение FRD HV MOSFET | Моторные серии, инверторы, Half Bridge/Full Bridge Circuit приложения и т.д. |
| Направление напряжения | Высокое напряжение/Ультравысокое напряжение |
| Тип | N |
| Утечка | Низкая утечка может достигать менее 1 мкА |
Применение:
Reasunos High Voltage MOSFET - это тип N-канального транзистора, который идеально подходит для высоковольтных приложений. Он встроен с FRD HV MOSFET, что делает его чрезвычайно надежным и эффективным.С такими особенностями, как новая технология латерального допинга.Специальная мощность MOS структура, и отличные характеристики при высоких температурах,данный продукт имеет номинальное напряжение высокого напряжения/ультравысокого напряжения и утечку низкой утечки может достигать менее 1 μA.
Reasunos High Voltage MOSFET предназначен для удовлетворения потребностей различных отраслей промышленности, особенно в суровых условиях.помещенные в картонную коробку в картонных коробкахПродукт доступен в Гуандун, Китай и может быть доставлен в течение 2-30 дней, в зависимости от общего количества.Цена этого продукта основана на спецификациях продукта и оплата может быть произведена через 100% T / T заранее (EXW)Продукт доступен в больших количествах с возможностью поставки 5KK / месяц.
Reasunos High Voltage MOSFET является надежным и эффективным выбором для высоковольтных приложений.это идеальное решение для встроенных проектов, которые требуют высокого напряжения, сверхвысокое напряжение и низкие характеристики утечки.
Поддержка и услуги:
Техническая поддержка и обслуживание высоковольтных MOSFET
Мы предлагаем широкий спектр технической поддержки и сервисных решений для клиентов, использующих высоковольтные MOSFET.Наша команда экспертов готова ответить на любые ваши вопросы и дать совет о наилучшем использовании высоковольтных MOSFET в вашем приложенииМы также можем предоставить вам помощь в решении проблем, которые могут возникнуть.
Наша команда технической поддержки доступна с понедельника по пятницу с 8 утра до 5 вечера (по местному времени), чтобы помочь вам с любыми вопросами или запросами.У нас также есть онлайн-форум поддержки, где вы можете задавать вопросы и получать ответы от нашей команды экспертов.
Мы также предоставляем ряд услуг по обслуживанию и ремонту высоковольтных MOSFET.и может предоставить широкий спектр услуг, включая уборкуМы также можем предоставить советы по наилучшему использованию высоковольтных MOSFET в вашем приложении и помочь вам определить потенциальные проблемы, прежде чем они могут стать дорогостоящими ремонтами.
Если у вас есть вопросы или вы хотите получить дополнительную информацию о нашей технической поддержке и сервисных решениях для высоковольтных MOSFET, пожалуйста, не стесняйтесь связаться с нами.
Упаковка и перевозка:
Высоковольтные MOSFET обычно упаковываются в статическую рассеивающую пластиковую трубку и поставляются в коробку, которая обеспечивает достаточную защиту от электрических полей.Коробка должна быть облицована материалом ESD (электростатического разряда), чтобы гарантировать, что продукт не будет поврежден во время транспортировкиВ коробке также должны быть указаны соответствующие предупредительные этикетки для опасных материалов.
С высоковольтными MOSFET следует обращаться крайне осторожно во время упаковки и транспортировки.Все детали должны быть проверены на наличие повреждений перед упаковкой и отправкой.
Все упаковки должны быть надежно запечатаны и помечены соответствующей информацией о перевозке.
Часто задаваемые вопросы
- Вопрос: Как называется высоковольтный MOSFET?
- О: Торговая марка высоковольтного MOSFET - REASUNOS.
- Вопрос: Откуда берутся высоковольтные MOSFET?
- О: Источник высоковольтного MOSFET - Гуандун, Китай.
- Вопрос: Какова цена высоковольтного MOSFET?
- О: Цена высоковольтного MOSFET зависит от продукта, пожалуйста, подтвердите цену.
- Вопрос: Как выглядит упаковка высоковольтного MOSFET?
- О: Опаковка высоковольтного MOSFET - это пылестойкая, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в картонные коробки.
- Вопрос: Как насчет времени доставки высоковольтного MOSFET?
- О: Срок доставки высоковольтного MOSFET составляет 2-30 дней, в зависимости от общего количества.
- Вопрос: Каковы условия оплаты высоковольтного MOSFET?
- О: Условия оплаты высоковольтного MOSFET составляют 100% T/T заранее ((EXW).
- Вопрос: Как насчет возможности питания высоковольтного MOSFET?
- Ответ: Возможность поставки высоковольтного MOSFET составляет 5KK / месяц.
Порекомендованные продукты
