N kanał wysokonapięciowy MOSFET wielofunkcyjny 1uA dla adapterów
Miejsce pochodzenia | Guangdong, CN |
---|---|
Nazwa handlowa | REASUNOS |
Cena | Confirm price based on product |
Szczegóły pakowania | Pyłoszczelne, wodoodporne i antystatyczne opakowania rurowe, umieszczane wewnątrz kartonu w kartonac |
Czas dostawy | 2-30 dni (w zależności od całkowitej ilości) |
Zasady płatności | 100% T/T z góry (EXW) |
Możliwość Supply | 5KK/miesiąc |

Skontaktuj się ze mną, aby otrzymać bezpłatne próbki i kupony.
WhatsApp:0086 18588475571
czat: 0086 18588475571
Skype'a: sales10@aixton.com
W razie jakichkolwiek wątpliwości zapewniamy całodobową pomoc online.
xTechnologia | MOSFET | Przeciek | Niski wyciek może osiągnąć mniej niż 1 µA |
---|---|---|---|
Opór | Niska rezystancja włączenia | Zastosowanie MOSFET o ultrawysokim napięciu | Inteligentny licznik, zasilacz szafkowy, przemysłowy zasilacz impulsowy, system zasilania elektryczn |
Wbudowana aplikacja FRD HV MOSFET | Seria silników, falownik, zastosowania obwodów półmostkowych/pełnych mostków itp. | Rodzaj | N |
Zalety | Nowa technologia dopingu bocznego, specjalna struktura MOS Power, doskonałe właściwości w wysokiej t | Rozpraszanie ciepła | Świetne odprowadzanie ciepła |
Podkreślić | N kanał wysokonapięciowy MOSFET,Wysokonapięciowy MOSFET wielofunkcyjny,Adaptory wysokiego napięcia N Channel Mosfet |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Opis produktu:
Wysokonapięciowy MOSFET to wysokowydajny tranzystor MOS-gate.który zapewnia doskonałe właściwości w wysokich temperaturachTransistor ten jest wyposażony w nową technologię dopingu zmiennego bocznego i specjalną strukturę mocy MOS, co czyni go odpowiednim do różnych zastosowań wymagających wysokiego napięcia i ultrawysokiego napięcia,takie jak sterownik LED, adaptery, przemysłowe zasilanie przełącznikowe, falowniki itp.
Wysokonapięciowy MOSFET ma wiele zalet, takich jak wyjątkowa wydajność w wysokiej temperaturze, doskonałe właściwości w wysokiej temperaturze oraz wysokie napięcie/ultra wysokie napięcie.Ma również niskie opory i szybką prędkość przełączania, co czyni go odpowiednim dla wielu zastosowań wysokonapięciowych.Jego specjalna struktura MOS mocy i technologia dopingu zmiennego bocznego zapewniają, że może wytrzymać wysokie napięcia i może być używany przez wiele lat bez degradacji.
MOSFET wysokiego napięcia jest idealnym wyborem dla różnych zastosowań wymagających wysokiego napięcia i ultrawysokiego napięcia.Ma doskonałe właściwości w wysokich temperaturach i zapewnia wyjątkową wydajność w wysokich temperaturachDzięki nowej technologii dopingu zmiennego bocznego i specjalnej strukturze mocy MOS jest idealnym wyborem dla sterowników LED, adapterów, przemysłowych zasobów zasilania, inwerterów itp.
Parametry techniczne:
Nazwa produktu | Parametry |
---|---|
MOSFET wysokonapięciowy | Nowa technologia dopingu zmiennego, specjalna struktura MOS, doskonałe właściwości w wysokich temperaturach. |
Zastosowanie HV Mosfet | Kierowca LED, adaptery, przemysłowe zasilanie przełącznikowe, inwertery itp. |
Odporność | Niski opór |
Zastosowanie MOSFET Ultra-HV | Inteligentny licznik, zasilanie gabinetu, zasilanie przemysłowe, system zasilania elektrycznego itp. |
Rozpraszanie ciepła | Duże rozpraszanie ciepła |
Wbudowana aplikacja FRD HV MOSFET | Seria silników, Inwerter, Aplikacje pół mostów/pełnych mostów, itp. |
Poziom napięcia | Wysokie/ultrawysokie napięcie |
Rodzaj | N |
Wyciek | Niski poziom przecieku może osiągnąć mniej niż 1 μA |
Zastosowanie:
Reasunos High Voltage MOSFET to typ tranzystora N-kanałowego, który jest idealny do zastosowań wysokiego napięcia.Z funkcjami takimi jak nowa technologia dopingu zmiennego bocznegoSpecjalna struktura MOS i doskonałe właściwości w wysokich temperaturach.ten produkt ma napięcie wysokiego napięcia/ultrawysokiego napięcia i wyciek niskiego wycieku może osiągnąć mniej niż 1 μA.
Reasunos wysokonapięciowy MOSFET jest zaprojektowany w celu zaspokojenia potrzeb różnych gałęzi przemysłu, zwłaszcza tych, które znajdują się w trudnych warunkach.umieszczone w pudełku kartonowym w kartonachProdukt jest dostępny w Guangdong w Chinach i może zostać dostarczony w ciągu 2-30 dni, w zależności od całkowitej ilości.Cena tego produktu jest oparta na specyfikacji produktu i płatność może być dokonana za pośrednictwem 100% T/T z góry (EXW)Produkt jest dostępny w dużych ilościach z możliwością dostaw 5KK/miesiąc.
Reasunos High Voltage MOSFET jest niezawodnym i wydajnym wyborem dla zastosowań wysokiego napięcia.To idealne rozwiązanie dla projektów wbudowanych, które wymagają wysokiego napięcia., ultra wysokiego napięcia i niskiej wycieków.
Wsparcie i usługi:
Oferujemy kompleksowy zakres rozwiązań wsparcia technicznego i serwisowych dla klientów korzystających z wysokonapięciowych MOSFET.Nasz zespół ekspertów jest do Państwa dyspozycji, aby odpowiedzieć na wszelkie pytania, jakie mogą Państwo mieć i doradzić w zakresie najlepszego wykorzystania wysokonapięciowych MOSFET w Państwa aplikacjiMożemy również udzielić pomocy w rozwiązywaniu problemów, które mogą wystąpić.
Nasz zespół wsparcia technicznego jest dostępny od poniedziałku do piątku od 8:00 do 17:00 (czas lokalny) w celu udzielenia Państwu pomocy w przypadku jakichkolwiek pytań lub żądań.Posiadamy również forum wsparcia online, na którym możesz wysłać pytania i uzyskać odpowiedzi od naszego zespołu ekspertów..
Nasze technicy są wysoko wykwalifikowani i doświadczeni w obsłudze tych komponentów,i może zapewnić szeroki zakres usług, w tym czyszczenieMożemy również doradzić w zakresie najlepszego wykorzystania wysokonapięciowych MOSFET w Twojej aplikacji i pomóc w zidentyfikowaniu potencjalnych problemów, zanim staną się kosztownymi naprawami.
Jeśli masz jakiekolwiek pytania lub chcesz uzyskać więcej informacji na temat naszych rozwiązań w zakresie wsparcia technicznego i serwisu dla MOSFETów wysokiego napięcia, nie wahaj się skontaktować z nami.
Opakowanie i wysyłka:
MOSFETy wysokonapięciowe są zazwyczaj pakowane w statyczną rurę z tworzywa sztucznego i wysyłane w pudełku zapewniającym wystarczającą ochronę przed polami elektrycznymi.Pudełko powinno być wyłożone materiałem ESD (elektrostatycznego rozładowania), aby zapewnić, że produkt nie zostanie uszkodzony podczas transportuNależy również zaznaczyć na pudełku odpowiednie etykiety ostrzegawcze dotyczące materiałów niebezpiecznych.
W trakcie pakowania i wysyłki z wysokonapięciowymi MOSFET należy zachować szczególną ostrożność.Wszystkie części powinny być sprawdzane pod kątem uszkodzeń przed pakowaniem i wysyłką.
Wszystkie opakowania powinny być ściśle uszczelnione i oznaczone odpowiednimi informacjami o przewozie.
Częste pytania:
- P: Jaka jest nazwa marki wysokonapięciowego MOSFET?
- A: Nazwa handlowa wysokonapięciowego MOSFET to REASUNOS.
- P: Skąd pochodzi wysokonapięciowy MOSFET?
- Odpowiedź: Pochodem wysokonapięciowego MOSFET jest Guangdong w Chinach.
- P: Jaka jest cena wysokonapięciowego MOSFET?
- A: Cena wysokonapięciowego MOSFET zależy od produktu, proszę potwierdzić cenę.
- P: Jak wygląda opakowanie wysokonapięciowego MOSFET?
- Odpowiedź: Opakowanie wysokonapięciowego MOSFET jest opakowaniem rurowatym, wodoodpornym i antystatycznym, umieszczonym w kartonie w kartonach.
- P: A czas dostawy wysokonapięciowego MOSFET?
- Odpowiedź: Czas dostawy MOSFET wysokonapięciowego wynosi 2-30 dni, w zależności od całkowitej ilości.
- P: Jakie są warunki płatności wysokonapięciowego MOSFET?
- O: Warunki płatności wysokonapięciowego MOSFET wynoszą 100% T/T z góry ((EXW).
- P: A co z możliwością dostaw wysokonapięciowego MOSFET?
- Odpowiedź: Zdolność dostaw wysokonapięciowego MOSFET wynosi 5KK/miesiąc.