다목적 고전압 MOSFET LED 드라이버를 위한 열 분산

원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
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공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
제품 이름 고전압 MOSFET 방열 뛰어난 열 방출
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지/풀 브리지 회로 애플리케이션 등 HV MOSFET 애플리케이션 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 인버터 등
저항 낮은 온 저항 장점 새로운 측면 가변 도핑 기술, 특수 Power MOS 구조, 고온 특성이 우수합니다.
누출 낮은 누설은 1 µ A 미만에 도달할 수 있습니다. 전압 정격 고전압/초고압
강조하다

다목적 고전압 모스페트

,

고전압 MOSFET 열 분산

,

LED 드라이버 고전압 Fet

필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

제품 설명:

고전압 MOSFET을 소개합니다. FRD HV MOSFET이 내장되어 있으며, 낮은 저항과 고전압/초고전압 등급이 있습니다.이 초고전압 MOSFET은 초고전압 또는 초고전압 전원을 필요로 하는 응용 프로그램에 완벽합니다. 낮은 전원 저항은 높은 효율성과 낮은 전력 손실을 제공합니다. 이 유형의 N MOSFET은 모든 고전압 또는 초고전압 애플리케이션에 대한 완벽한 선택입니다.고전압 MOSFET는 초고전압 MOSFET 전원이 필요한 모든 응용 프로그램에 대한 완벽한 선택입니다.

 

기술 매개 변수:

속성 설명
장점 새로운 변동성 도핑 기술, 특수 전력 MOS 구조, 높은 온도에서 우수한 특성.
종류 N
초고압 MOSFET 적용 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급, 산업 스위칭 전력 공급, 전기 전력 시스템, 등
저항력 낮은 전원 저항
기술 MOSFET
열 분산 큰 열 분산
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지 / 풀 브리지 회로 응용 프로그램, 등
제품 이름 고전압 MOSFET
HV 모스페트 적용 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터 등
전압 등급 고전압/극대고전압
 

응용 프로그램:

고전압 MOSFET 트랜지스터

REASUNOS 고전압 MOSFET 트랜지스터는 내장 FRD HV MOSFET 애플리케이션에 완벽한 선택입니다. 그것은 낮은 누출을 가지고 있으며 1μA 이하에 도달 할 수 있습니다.그리고 높은 열 분산은 신뢰성 높은 성능을 보장합니다.그것은 LED 드라이버, 어댑터, 산업 스위칭 전원 공급, 인버터 등에 적용 될 수 있습니다. 그것의 유형은 N입니다.

REASUNOS의 제품은 경쟁력 있는 가격으로, 먼지, 방수, 반 정적 튜버 포장을 가지고 있으며, 카튼 상자 안에 배치되어 있습니다.배송 시간은 2~30일이며, 전체 수량에 따라 달라집니다.. 지불 조건은 100% T/T 사전입니다. EXW. 공급 능력은 5KK / 달입니다.

지원 및 서비스:

고전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

우리는 우리의 고전압 MOSFET 제품에 대한 포괄적인 기술 지원과 서비스를 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.우리의 고객 서비스 팀은 귀하의 질문에 답하고 조언과 도움을 제공 할 수 있습니다..

우리는 다음과 같은 다양한 서비스를 제공합니다.

  • 기술 상담 및 문제 해결
  • 제품 선택 및 디자인 지원
  • 고장 부품 수리 및 교체
  • 소프트웨어 및 펌웨어 업데이트
  • 교육 및 교육 자료

우리는 우수한 고객 서비스를 제공하고 고객이 우리의 제품으로 가능한 최고의 경험을 할 수 있도록 노력합니다. 질문이 있거나 도움이 필요한 경우 저희에게 연락하십시오.

 

포장 및 운송:

 

포장 및 운송

고전압 MOSFET는 표면 장착 용도로 이상적인 밀폐 된 정전 전류 방출 (ESD) 안전 튜브로 공급됩니다. 튜브는 수분, 먼지, 습성으로부터 제품을 보호하기 위해 설계되었습니다.,그리고 정전력. 파이프는 또한 제품 식별 및 인증 정보로 표시 될 수 있습니다.

이 제품은 운송 도중 손상을 방지하기 위해 딱딱한 포장재로 배송됩니다. 패키지에는 또한 습기 차단 가방이 포함되어 있으며, 이는 제품이 건조하고 습기가 없도록 보장합니다.모든 운송 재료는 제품이 원형 상태에서 배달되도록 설계되었습니다..

 

FAQ:

 

질문 및 답변

Q1: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?
A1: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.

Q2: 제품은 어디서 만들어집니다?
A2: 고전압 MOSFET은 중국 광둥에서 만들어집니다.

Q3: 고전압 MOSFET 비용은 얼마입니까?
A3: 고전압 MOSFET의 가격은 제품에 따라 다릅니다. 자세한 내용은 저희에게 문의하십시오.

Q4: 고전압 MOSFET에 어떤 종류의 포장을 사용합니까?
A4: 고전압 MOSFET 는 먼지 막, 방수, 반 정적 튜버형 포장재 에 포장 되어 있으며, 카튼 상자 안 에 배치 되어 있습니다.

Q5: 고전압 MOSFET의 수속 시간은 얼마입니까?
A5: 고전압 MOSFET의 납품 시간은 2~30일 (총량에 따라) 이다.