650V Siliziumkarbid-Leistung Mosfet Multifunktions-Dauerhaft N-Kanal
Herkunftsort | Guangdong, KN |
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Markenname | REASUNOS |
Min Bestellmenge | 600 |
Preis | Confirm price based on product |
Verpackung Informationen | Staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Kartons in einer Kartonbox. |
Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |

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xAnwendung | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, | Widerstand | Geringer Widerstand |
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Effizienz | Hohe Leistungsfähigkeit | Typ | N |
Material | Siliziumkarbid | Vorteile | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu |
Produktbezeichnung | Siliziumkarbid-MOSFET | Einheitentyp | MOSFET |
Hervorheben | 650 V Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet,Silikonkarbid-Power Mosfet Multifunktionell,Nachhaltiges Silizium-N-Kanal-Mosfet |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Beschreibung des Produkts:
Der SiC-MOSFET ist ein Hochleistungs- und Hochfrequenzgerät, das auf der nationalen Militärstandard-Produktionslinie basiert.Sein Material ist SiliziumkarbidDieses Produkt eignet sich für viele Anwendungen wie Schaltmodus-Stromversorgungen, Motorantriebe und Leistungsumwandler.Es hat verschiedene Vorteile wie geringe Leitung und Schaltverluste, hohe Frequenzbetrieb, niedrige Gate-Ladung und hohe Sperrspannung.Seine geringe Torladung und hohe Sperrspannung machen ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für viele Anwendungen..
Die von unserer Firma hergestellten SiC-MOSFETs sind von hoher Qualität und Zuverlässigkeit, was sie zur perfekten Wahl für viele Anwendungen macht.Wir haben eine breite Palette von Produkten für verschiedene Anwendungen und AnforderungenUnsere Produkte sind so konzipiert, dass sie den höchsten Standards entsprechen und sicher und zuverlässig hergestellt werden.Wir bemühen uns, den besten Kundenservice zu bieten und sicherzustellen, dass unsere Produkte allen Bedürfnissen unserer Kunden entsprechen.
Technische Parameter:
Eigentum | Wert |
---|---|
Häufigkeit | Hochfrequenz |
Widerstand | Niedriger Widerstand |
Vorteile | Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig. |
Typ | N |
Material | Siliziumkarbid |
Effizienz | Hohe Effizienz |
Gerätetypen | MOSFET |
Anwendung | Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw. |
Macht | Hohe Macht |
Produktbezeichnung | MOSFET aus Siliziumkarbid |
Schlüsselwörter | SiC-Feldwirkungstransistor, SiC-Feldwirkungstransistor, SiC-Feldwirkungstransistor, SiC-Feldwirkungstransistor |
Anwendungen:
REASUNOS Silicon Carbide MOSFET ist für verschiedene Anwendungen und Szenarien geeignet. Es handelt sich um einen auf Siliziumkarbid basierenden Metalloxid-Halbleiterfeldwirkungstransistor (MOSFET).hohe Frequenz, und wenig Widerstand, was es zu einer großartigen Wahl für industrielle, automobile und Verbraucheranwendungen macht.
Das REASUNOS Silicon Carbide MOSFET ist ein Hochleistungsgerät mit überlegenen Temperatur-, Spannungs- und Stromfähigkeiten, das einen Hochfrequenzbetrieb ermöglicht.Es ist so konzipiert, dass es eine hervorragende Zuverlässigkeit bietet.Die robuste Konstruktion und der geringe Widerstand machen sie für den Hochspannungsbetrieb geeignet und bieten eine zuverlässige Stromversorgungslösung.
REASUNOS Silicon Carbide MOSFET ist eine ideale Lösung für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Automobil-, Verbraucher- und Industrieelektronik.Es ist in verschiedenen Verpackungen und Konfigurationen erhältlich, so dass es für eine breite Palette von Anwendungen geeignet ist. Es ist aus hochwertigem Siliziumkarbid hergestellt und seine überlegene Leistung und Haltbarkeit machen es perfekt für Anwendungen wie Automobil,Verbraucher, und Industrieelektronik.
Das REASUNOS Silicon Carbide MOSFET ist mit einer Mindestbestellmenge von 600 erhältlich, und kommt mit staub-, wasser- und antistatischer Rohrverpackung,in einer Kartonscheibe in KartonschichtenDer Preis dieses Geräts hängt vom Produkt ab. Die Lieferzeit wird auf 2-30 Tage geschätzt, abhängig von der Gesamtmenge. Die Zahlung erfolgt vollständig per T/T im Voraus (EXW).Die Lieferfähigkeit von REASUNOS Silicon Carbide MOSFET beträgt 5KK/Monat.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Wir bieten technische Unterstützung und Service für unsere Siliziumkarbid-MOSFET-Produkte.technische Unterstützung und Fehlerbehebung.
Unser technisches Team verfügt über Erfahrung in allen Aspekten des Betriebs und des Designs von Siliziumkarbid-MOSFETs.Unsere Ingenieure sind auch zur Verfügung, um bei Produkttests und Validierung zu helfen.
Wir bieten umfassende Schulungen und Unterstützung für unsere Silicon Carbide MOSFET Produkte.Unsere Schulungen vermitteln den Kunden das Wissen und die Fähigkeiten, die sie benötigen, um ihre Silicon Carbide MOSFET-Produkte zu verwenden und zu warten.
Unser Team ist telefonisch, per E-Mail,und Live-Chat, um alle Ihre Fragen zu beantworten und einen schnellen Service zu bieten.
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Siliziumkarbid-MOSFET:
- Verpackung: Das Siliziumkarbid-MOSFET wird in einen antistatischen Beutel verpackt, der dann in einem elektrostatisch-dissivierenden Beutel versiegelt wird.
- Versand: Das Siliziumkarbid-MOSFET wird in einer sicheren Box mit geeigneter Polsterung versandt, um vor Schäden während des Transports zu schützen.
Häufige Fragen: