650V Siliziumkarbid-Leistung Mosfet Multifunktions-Dauerhaft N-Kanal

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Min Bestellmenge 600
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Kartons in einer Kartonbox.
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Anwendung Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, Widerstand Geringer Widerstand
Effizienz Hohe Leistungsfähigkeit Typ N
Material Siliziumkarbid Vorteile Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu
Produktbezeichnung Siliziumkarbid-MOSFET Einheitentyp MOSFET
Hervorheben

650 V Siliziumkarbid-Leistungs-Mosfet

,

Silikonkarbid-Power Mosfet Multifunktionell

,

Nachhaltiges Silizium-N-Kanal-Mosfet

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
7 RSM120025Z N 90 1200 25 34 TO247-4 600
8 RSM120040W N 68 1200 40 55 TO247-3 600
9 RSM120040Z N 68 1200 40 55 TO247-4 600
10 RSM120075W N 33 1200 75 95 TO247-3 600
11 RSM120075Z N 33 1200 75 95 TO247-4 600
12 RSM120080W N 36 1200 80 98 TO247-3 600
13 RSM120080Z N 36 1200 80 98 TO247-4 600
14 RSM120160W N 18 1200 160 196 TO247-3 600
15 RSM120160Z N 18 1200 160 196 TO247-4 600
16 RSM1701K0W N 5 1700 1000 1300 TO247-3 600
17 RSM1701K0Z N 5 1700 1000 1300 TO247-4 600
18 RSM170045W N 72 1700 45 70 TO247-3 600
19 RSM170045Z N 72 1700 45 70 TO247-4 600
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

Der SiC-MOSFET ist ein Hochleistungs- und Hochfrequenzgerät, das auf der nationalen Militärstandard-Produktionslinie basiert.Sein Material ist SiliziumkarbidDieses Produkt eignet sich für viele Anwendungen wie Schaltmodus-Stromversorgungen, Motorantriebe und Leistungsumwandler.Es hat verschiedene Vorteile wie geringe Leitung und Schaltverluste, hohe Frequenzbetrieb, niedrige Gate-Ladung und hohe Sperrspannung.Seine geringe Torladung und hohe Sperrspannung machen ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für viele Anwendungen..

Die von unserer Firma hergestellten SiC-MOSFETs sind von hoher Qualität und Zuverlässigkeit, was sie zur perfekten Wahl für viele Anwendungen macht.Wir haben eine breite Palette von Produkten für verschiedene Anwendungen und AnforderungenUnsere Produkte sind so konzipiert, dass sie den höchsten Standards entsprechen und sicher und zuverlässig hergestellt werden.Wir bemühen uns, den besten Kundenservice zu bieten und sicherzustellen, dass unsere Produkte allen Bedürfnissen unserer Kunden entsprechen.

 

Technische Parameter:

Eigentum Wert
Häufigkeit Hochfrequenz
Widerstand Niedriger Widerstand
Vorteile Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig.
Typ N
Material Siliziumkarbid
Effizienz Hohe Effizienz
Gerätetypen MOSFET
Anwendung Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw.
Macht Hohe Macht
Produktbezeichnung MOSFET aus Siliziumkarbid
Schlüsselwörter SiC-Feldwirkungstransistor, SiC-Feldwirkungstransistor, SiC-Feldwirkungstransistor, SiC-Feldwirkungstransistor
 

Anwendungen:

REASUNOS Silicon Carbide MOSFET ist für verschiedene Anwendungen und Szenarien geeignet. Es handelt sich um einen auf Siliziumkarbid basierenden Metalloxid-Halbleiterfeldwirkungstransistor (MOSFET).hohe Frequenz, und wenig Widerstand, was es zu einer großartigen Wahl für industrielle, automobile und Verbraucheranwendungen macht.

Das REASUNOS Silicon Carbide MOSFET ist ein Hochleistungsgerät mit überlegenen Temperatur-, Spannungs- und Stromfähigkeiten, das einen Hochfrequenzbetrieb ermöglicht.Es ist so konzipiert, dass es eine hervorragende Zuverlässigkeit bietet.Die robuste Konstruktion und der geringe Widerstand machen sie für den Hochspannungsbetrieb geeignet und bieten eine zuverlässige Stromversorgungslösung.

REASUNOS Silicon Carbide MOSFET ist eine ideale Lösung für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Automobil-, Verbraucher- und Industrieelektronik.Es ist in verschiedenen Verpackungen und Konfigurationen erhältlich, so dass es für eine breite Palette von Anwendungen geeignet ist. Es ist aus hochwertigem Siliziumkarbid hergestellt und seine überlegene Leistung und Haltbarkeit machen es perfekt für Anwendungen wie Automobil,Verbraucher, und Industrieelektronik.

Das REASUNOS Silicon Carbide MOSFET ist mit einer Mindestbestellmenge von 600 erhältlich, und kommt mit staub-, wasser- und antistatischer Rohrverpackung,in einer Kartonscheibe in KartonschichtenDer Preis dieses Geräts hängt vom Produkt ab. Die Lieferzeit wird auf 2-30 Tage geschätzt, abhängig von der Gesamtmenge. Die Zahlung erfolgt vollständig per T/T im Voraus (EXW).Die Lieferfähigkeit von REASUNOS Silicon Carbide MOSFET beträgt 5KK/Monat.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

MOSFET-Technikunterstützung und Service für Siliziumkarbid

Wir bieten technische Unterstützung und Service für unsere Siliziumkarbid-MOSFET-Produkte.technische Unterstützung und Fehlerbehebung.

Unser technisches Team verfügt über Erfahrung in allen Aspekten des Betriebs und des Designs von Siliziumkarbid-MOSFETs.Unsere Ingenieure sind auch zur Verfügung, um bei Produkttests und Validierung zu helfen.

Wir bieten umfassende Schulungen und Unterstützung für unsere Silicon Carbide MOSFET Produkte.Unsere Schulungen vermitteln den Kunden das Wissen und die Fähigkeiten, die sie benötigen, um ihre Silicon Carbide MOSFET-Produkte zu verwenden und zu warten.

Unser Team ist telefonisch, per E-Mail,und Live-Chat, um alle Ihre Fragen zu beantworten und einen schnellen Service zu bieten.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Siliziumkarbid-MOSFET:

  • Verpackung: Das Siliziumkarbid-MOSFET wird in einen antistatischen Beutel verpackt, der dann in einem elektrostatisch-dissivierenden Beutel versiegelt wird.
  • Versand: Das Siliziumkarbid-MOSFET wird in einer sicheren Box mit geeigneter Polsterung versandt, um vor Schäden während des Transports zu schützen.
 

Häufige Fragen:

Das Silicon Carbide MOSFET ist der Markenname REASUNOS.

Das Silicon Carbide MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.

Die Mindestbestellmenge für das Silicon Carbide MOSFET beträgt 600.

Der Preis des Siliziumkarbid-MOSFET wird durch das Produkt bestimmt.

Das Silicon Carbide MOSFET ist in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt, die in Kartons in einer Kartonbox platziert sind.