650V Silicon Carbide Power Mosfet Multifunctionele Duurzame N-kanaal
Plaats van herkomst | Guangdong, CN |
---|---|
Merknaam | REASUNOS |
Min. bestelaantal | 600 |
Prijs | Confirm price based on product |
Verpakking Details | Stof-, waterdichte en antistatische buisvormige verpakking, geplaatst in een kartonnen doos in karto |
Levertijd | 2-30 dagen (afhankelijk van de totale hoeveelheid) |
Betalingscondities | 100% T/T vooraf (EXW) |
Levering vermogen | 5KK/maand |

Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.
Whatsapp:0086 18588475571
wechatten: 0086 18588475571
Skypen: sales10@aixton.com
Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.
xToepassing | Zonne-omvormer, hoogspannings-DC/DC-omzetter, motordriver, UPS-voeding, schakelende voeding, laadsta | Weerstand | Weinig weerstand |
---|---|---|---|
efficiëntie | Hoog rendement | Type | N |
Materiaal | Siliciumcarbide | Voordelen | Gebaseerd op de nationale militaire standaardproductielijn, is het proces stabiel en is de kwaliteit |
Naam van het product | Siliciumcarbide MOSFET | Apparatentype | MOSFET |
Markeren | 650V Silicon Carbide Power Mosfet,Siliciumcarbide Power Mosfet Multifunctioneel,Duurzaam silicium-N-kanaal mosfet |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Productbeschrijving:
De Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (SiC MOSFET) is een hoogvermogen, hoogfrequentieapparaat dat is gebaseerd op de nationale militaire standaard productielijn.Het materiaal is siliciumcarbide.Dit product is geschikt voor veel toepassingen, zoals schakelmodus stroomvoorzieningen, motor aandrijvingen en krachtomvormers.Het heeft verschillende voordelen zoals lage geleiding en schakelverliezenHet heeft een hoog vermogen en een hoge werkfrequentie waardoor het geschikt is voor vele toepassingen.Het is een uitstekende keuze voor veel toepassingen..
De door ons bedrijf geproduceerde SiC MOSFET's zijn van hoge kwaliteit en betrouwbaarheid, waardoor ze de perfecte keuze zijn voor veel toepassingen.We hebben een breed assortiment producten om te voldoen aan verschillende toepassingen en vereistenOnze producten zijn ontworpen om aan de hoogste normen te voldoen en worden op een veilige en betrouwbare manier geproduceerd.We streven ernaar de beste klantenservice te bieden en ervoor te zorgen dat onze producten voldoen aan alle behoeften van onze klanten.
Technische parameters:
Vastgoed | Waarde |
---|---|
Frequentie | Hoge frequentie |
Resistentie | Weinig weerstand |
Voordelen | Gebaseerd op de nationale militaire standaard productielijn, het proces is stabiel en de kwaliteit is betrouwbaar |
Type | N |
Materiaal | Siliciumcarbide |
Efficiëntie | Hoge efficiëntie |
Typ van apparaat | MOSFET |
Toepassing | Solar Inverter, High-voltage DC/DC Converter, Motor Driver, UPS stroomvoorziening, Schakelstroomvoorziening, Charging Stack, enz. |
Kracht | Hoge macht |
Productnaam | MOSFET van siliciumcarbide |
Sleutelwoorden | Transistor met halfgeleiderveld-effect van siliciumcarbide-metaaloxide, SiC-veld-effecttransistor, Siliconcarbide-metaaloxide-halfgeleiderveld-effecttransistor |
Toepassingen:
REASUNOS Silicon Carbide MOSFET is geschikt voor meerdere toepassingen en scenario's. Het is een Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) op basis van Silicon Carbide.hoge frequentie, en een lage weerstand, waardoor het een uitstekende keuze is voor industriële, automobiel- en consumententoepassingen.
De REASUNOS Silicon Carbide MOSFET is een hoogwaardig apparaat met superieure temperatuur-, spanning- en stroomcapaciteiten, waardoor een hoge frequentiebediening mogelijk is.Het is ontworpen voor uitstekende betrouwbaarheidDe robuuste constructie en de lage weerstand maken het geschikt voor hoge spanning, waardoor het een betrouwbare stroomoplossing biedt.
REASUNOS Silicon Carbide MOSFET is een ideale oplossing voor een breed scala aan toepassingen, waaronder automobiel-, consumenten- en industriële elektronica.Het is verkrijgbaar in verschillende verpakkingen en configuratiesHet is gemaakt van hoogwaardig siliciumcarbide en zijn superieure prestaties en duurzaamheid maken het perfect voor toepassingen zoals automotive,consument, en industriële elektronica.
De REASUNOS Silicon Carbide MOSFET is verkrijgbaar met een minimum orderhoeveelheid van 600, en wordt geleverd met stofdichte, waterdichte en antistatische buisvormige verpakking,in een kartonnen doos in kartonnen doos. De prijs van dit apparaat is afhankelijk van het product. De levertijd wordt geschat op tussen de 2 en 30 dagen, afhankelijk van de totale hoeveelheid. Betaling moet volledig per T/T vooraf (EXW) worden gedaan.De leveringscapaciteit van REASUNOS Silicon Carbide MOSFET is 5KK/maand.
Ondersteuning en diensten:
Wij bieden technische ondersteuning en service voor onze Silicon Carbide MOSFET producten.technische ondersteuning en probleemoplossing.
Ons technisch team heeft ervaring in alle aspecten van Silicon Carbide MOSFET-operatie en -ontwerp.Onze ingenieurs zijn ook beschikbaar om te helpen met product testen en validatie.
We bieden uitgebreide training en ondersteuning voor onze Silicon Carbide MOSFET producten.Onze trainingsessies bieden klanten de kennis en vaardigheden die ze nodig hebben om hun Silicon Carbide MOSFET producten te gebruiken en te onderhouden.
We zijn toegewijd aan het bieden van klanten met het hoogste niveau van technische ondersteuning en service.en live chat om al uw vragen te beantwoorden en snelle service te bieden.
Verpakking en verzending:
Verpakking en verzending van siliciumcarbide MOSFET:
- Verpakking: het siliciumcarbide MOSFET wordt verpakt in een antistatische zak, die vervolgens in een elektrostatisch-dissipatieve zak wordt verzegeld.
- Verzending: de MOSFET van siliciumcarbide wordt in een beveiligde doos verzonden met een geschikte vulling om te beschermen tegen eventuele schade tijdens het vervoer.
Vragen: